太陽(yáng)能電池的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池制造領(lǐng)域，具體而言，涉及一種太陽(yáng)能電池的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 硅片是制備太陽(yáng)能電池的基礎(chǔ)材料，是全球電子工業(yè)及光伏產(chǎn)業(yè)的基石?，F(xiàn)有工 藝中，太陽(yáng)能電池通常采用以下步驟制得：硅片切割、硅片清洗、制絨、擴(kuò)散、PECVD、以及印 刷燒結(jié)。
[0003] 隨著市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，高效率及低成本是太陽(yáng)能電池未來的發(fā)展方向。然而硅 片表面通常被油污以及其他有機(jī)物等污染，并且生產(chǎn)環(huán)節(jié)中由于自動(dòng)化程度的限制，人為 因素造成的污染也不可避免，其中手印片的比例很大。由于上述原因的存在，太陽(yáng)能電池的 成品率大幅下降，因此經(jīng)過切割加工的硅片必須進(jìn)行清洗。
[0004] 現(xiàn)有的清洗硅片的方法中，通常是使用化學(xué)試劑對(duì)硅片進(jìn)行清洗，常用的清洗劑 為高純水、有機(jī)溶劑、濃酸強(qiáng)堿以及高純中性洗滌劑等。但是當(dāng)有大批量的硅片需要清洗 時(shí)，化學(xué)試劑的使用量也會(huì)增大，那必然會(huì)帶來環(huán)境污染的問題，同時(shí)大量化學(xué)試劑的使用 對(duì)操作人員也有一定的危險(xiǎn)性。并且采用現(xiàn)有的清洗方法，清洗效果并不理想，進(jìn)而導(dǎo)致太 陽(yáng)能電池的成品率令人不太滿意。
[0005] 鑒于上述問題的存在，有必要開發(fā)出一種環(huán)保、高效的去除硅片表面油污或其他 有機(jī)污染物的方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的主要目的在于提供一種太陽(yáng)能電池的制備方法，以解決現(xiàn)有的太陽(yáng)能電 池制備工藝中存在的硅片表面油污和有機(jī)污染物不易去除，從而導(dǎo)致電池成品率低的問 題。
[0007] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種太陽(yáng)能電池的制備方法， 依序包括切割硅片、制絨、擴(kuò)散、濕法刻蝕、PECVD和印刷燒結(jié)的步驟，在切割硅片和制絨步 驟之間，還包括對(duì)切割后的硅片進(jìn)行燒結(jié)處理的步驟。
[0008] 進(jìn)一步地，燒結(jié)處理的步驟包括：將切割后的硅片在第一溫度下進(jìn)行第一次燒結(jié)， 第一溫度為380~450°C，燒結(jié)時(shí)間為9~IOs ;將切割后的硅片在第二溫度下進(jìn)行第二次 燒結(jié)，第二溫度為380~450°C，燒結(jié)時(shí)間為9~IOs ;將切割后的硅片在第三溫度下進(jìn)行第 三次燒結(jié)，第三溫度為400~450°C，燒結(jié)時(shí)間為8~9s ;將切割后的硅片在第四溫度下進(jìn) 行第四次燒結(jié)，第四溫度為400~450°C，燒結(jié)時(shí)間為8~9s ;將切割后的硅片在第五溫度 下進(jìn)行第五次燒結(jié)，第五溫度為480~530°C，燒結(jié)時(shí)間為8~9s ;以及將切割后的硅片在 第六溫度下進(jìn)行第六次燒結(jié)，第六溫度為480~530°C，燒結(jié)時(shí)間為8~9s。
[0009] 進(jìn)一步地，燒結(jié)處理的步驟包括：將切割后的硅片在第一溫度下進(jìn)行第一次燒結(jié)， 第一溫度為400~430°C，燒結(jié)時(shí)間為9~IOs ;將切割后的硅片在第二溫度下進(jìn)行第二次 燒結(jié)，第二溫度為400~430°C，燒結(jié)時(shí)間為9~IOs ;將切割后的硅片在第三溫度下進(jìn)行第 三次燒結(jié)，第三溫度為410~440°C，燒結(jié)時(shí)間為8~9s ;將切割后的硅片在第四溫度下進(jìn) 行第四次燒結(jié)，第四溫度為410~440°C，燒結(jié)時(shí)間為8~9s ;將切割后的硅片在第五溫度 下進(jìn)行第五次燒結(jié)，第五溫度為490~520°C，燒結(jié)時(shí)間為8~9s ;以及將切割后的硅片在 第六溫度下進(jìn)行第六次燒結(jié)，第六溫度為490~520°C，燒結(jié)時(shí)間為8~9s。
[0010] 進(jìn)一步地，在燒結(jié)處理的步驟中，向切割后的硅片表面通入壓縮空氣。
[0011] 進(jìn)一步地，在切割硅片的步驟之后，且在燒結(jié)處理的步驟之前，還包括對(duì)切割后的 硅片進(jìn)行預(yù)熱處理的步驟。
[0012] 進(jìn)一步地，預(yù)熱處理的步驟中，第一預(yù)熱溫度為280~330°C，預(yù)熱時(shí)間為11~ 12s ;第二預(yù)熱溫度為280~330°C，預(yù)熱時(shí)間為11~12s ;第三預(yù)熱溫度為280~330°C，預(yù) 熱時(shí)間為11~12s ;第四預(yù)熱溫度為280~330°C，預(yù)熱時(shí)間為11~12s ;優(yōu)選地，預(yù)熱處理 的步驟包括：第一預(yù)熱溫度為290~320°C，預(yù)熱時(shí)間為11~12s ;第二預(yù)熱溫度為290~ 320°C，預(yù)熱時(shí)間為11~12s ;第三預(yù)熱溫度為290~320°C，預(yù)熱時(shí)間為11~12s ;第四預(yù) 熱溫度為290~320°C，預(yù)熱時(shí)間為11~12s。
[0013] 進(jìn)一步地，在燒結(jié)處理的步驟之后，且在制絨步驟之前，還包括對(duì)燒結(jié)處理后的硅 片進(jìn)行冷卻的步驟。
[0014] 進(jìn)一步地，冷卻步驟包括：將燒結(jié)處理后的硅片進(jìn)行第一次冷卻，使其溫度降至 150~250°C ;以及將燒結(jié)處理后的硅片進(jìn)行第二次冷卻，使其溫度降至80~130°C。
[0015] 進(jìn)一步地，第一次冷卻的步驟中，冷卻速率為28. 75~47. 5°C/s ;以及第二次冷卻 的步驟中，冷卻速率為2. 5~21. 25°C /s。
[0016] 進(jìn)一步地，冷卻步驟中，冷卻方式為風(fēng)冷、水冷或自然冷卻。
[0017] 本發(fā)明的主要目的在于提供一種太陽(yáng)能電池的制備方法。應(yīng)用本發(fā)明的技術(shù)方 案，在切割硅片和制絨步驟之間，進(jìn)一步對(duì)切割后的硅片進(jìn)行了燒結(jié)處理。通過燒結(jié)處理步 驟可以使硅片表面的油污和其他有機(jī)污染物與空氣中的氧氣發(fā)生氧化反應(yīng)，并以氣態(tài)形式 逸散。從而能夠較為徹底地去除硅片表面的這些污染物，達(dá)到有效清潔硅片表面的效果。進(jìn) 而能夠提尚太陽(yáng)能電池的成品合格率。
【具體實(shí)施方式】
[0018] 需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相 互組合。下面將結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明。
[0019] 如【背景技術(shù)】所描述的，現(xiàn)有的制備方法存在著硅片表面油污和有機(jī)污染物不易去 除，從而導(dǎo)致電池成品率低的缺陷。為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種太陽(yáng)能電池的制 備方法，依序包括切割硅片、制絨、擴(kuò)散、濕法刻蝕、PECVD和印刷燒結(jié)的步驟，其中，在切割 硅片和制絨步驟之間，還包括對(duì)切割后的硅片進(jìn)行燒結(jié)處理的步驟。
[0020] 本發(fā)明提供的上述制備方法中，在切割硅片和制絨步驟之間，進(jìn)一步對(duì)切割后的 硅片進(jìn)行了燒結(jié)處理。通過燒結(jié)處理步驟可以使硅片表面的油污和其他有機(jī)污染物與空氣 中的氧氣發(fā)生氧化反應(yīng)，并以氣態(tài)形式逸散。從而能夠較為徹底地去除硅片表面的這些污 染物，達(dá)到有效清潔硅片表面的效果。進(jìn)而能夠提高太陽(yáng)能電池的成品合格率。
[0021] 上述制備方法中，只要對(duì)切割后的硅片進(jìn)行了燒結(jié)處理，就可以在一定程度上清 潔硅片表面的污染物，進(jìn)而提高太陽(yáng)能電池的合格率。而本領(lǐng)域技術(shù)人員也可以選擇具體 的燒結(jié)工藝。在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，上述燒結(jié)處理的步驟包括將切割后的硅片在第一 溫度下進(jìn)行第一次燒結(jié)，第一溫度為380~450°C，燒結(jié)時(shí)間為9~IOs ;將切割后的娃片在 第二溫度下進(jìn)行第二次燒結(jié)，第二溫度為380~450°C，燒結(jié)時(shí)間為9~IOs ;將切割后的硅 片在第三溫度下進(jìn)行第三次燒結(jié)，第三溫度為400~450°C，燒結(jié)時(shí)間為8~9s ;將切割后 的硅片在第四溫度下進(jìn)行第四次燒結(jié)，第四溫度為400~450°C，燒結(jié)時(shí)間為8~9s ;將切 割后的硅片在第五溫度下進(jìn)行第五次燒結(jié)，第五溫度為480~530°C，燒結(jié)時(shí)間為8~9s ; 以及將切割后的硅片在第六溫度下進(jìn)行第六次燒結(jié)，第六溫度為