方法，其中，表面的第一加熱和第二加熱的步驟還包括:在加熱過程中使氣體在被加熱的表面處流動以控制圍繞表面的環(huán)境條件。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，所述氣體包括含氧氣體。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，所述氣體包括含硫氣體。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，所述氣體包括惰性氣體。
25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，在第一加熱過程中使用的氣體包括含氧氣體，在第二加熱過程中使用的氣體包括惰性氣體。
26.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，在第一加熱過程中使用的氣體包括含硫氣體，在第二加熱過程中使用的氣體包括惰性氣體。
27.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，在第一加熱過程中使用的氣體包括惰性氣體，在第二加熱過程中使用的氣體包括含氧氣體。
28.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，在第一加熱過程中使用的氣體包括惰性氣體，在第二加熱過程中使用的氣體包括含硫氣體。
29.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，所述方法還包括: 在與半導體層或部分半導體層相鄰的至少一個表面上施加鹵化物化合物的第一預涂層O
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中，在半導體窗口層沉積在基底上之后并在沉積半導體吸收層之前，在半導體窗口層的開口表面上施加鹵化物化合物的第一預涂層；以及 其中，在將半導體吸收層沉積在半導體窗口層上之后，在半導體吸收層的開口表面上實施鹵化物熱處理。
31.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中，在沉積半導體窗口層和半導體吸收層之前，在基底的開口表面上施加鹵化物化合物的第一預涂層；以及 其中，在將半導體吸收層沉積在半導體窗口層上之后，在半導體吸收層的開口表面上實施鹵化物熱處理。
32.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，所述方法還包括: 在與半導體層或部分半導體層相鄰的至少一個表面上施加鹵化物化合物的第二預涂層O
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中，在沉積半導體窗口層和半導體吸收層之前，在基底的開口表面上施加鹵化物化合物的第一預涂層； 其中，在將半導體窗口層沉積在基底上之后并在沉積半導體吸收層之前，在半導體窗口層的開口表面上施加鹵化物的第二預涂層；以及 其中，在將半導體吸收層沉積在半導體窗口層上之后，在半導體吸收層的開口表面上實施鹵化物熱處理。
34.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，形成薄膜半導體層的步驟還包括: 在基底上形成半導體窗口層； 在半導體窗口層上形成第一半導體吸收層；以及 在第一半導體吸收層上形成第二半導體吸收層。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的方法，所述方法還包括: 在與半導體層或部分半導體層相鄰的至少一個表面上施加鹵化物化合物的第一預涂層；以及 在與半導體層或部分半導體層相鄰的至少一個表面上施加鹵化物化合物的第二預涂層O
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的方法，其中，在沉積第一半導體吸收層之前，在半導體窗口層的開口表面上施加鹵化物化合物的第一預涂層； 其中，在沉積第二半導體吸收層之前，在第一半導體吸收層的開口表面上施加鹵化物化合物的第二預涂層；以及 其中，在將第二半導體吸收層沉積在第一半導體吸收層上之后，在第二半導體吸收層的開口表面上實施鹵化物熱處理。
37.—種用于形成光伏器件中的鹵化物處理的半導體層的裝置，所述裝置包括用于處理沉積的薄膜層的表面的鹵化物熱處理系統(tǒng)，其中，鹵化物熱處理系統(tǒng)包括: 第一鹵化物施加模塊，用于在薄膜層的表面上施加鹵化物化合物的第一涂層； 結(jié)合到第一鹵化物施加模塊的第一加熱模塊，用于加熱薄膜層的鹵化物涂覆表面； 結(jié)合到第一加熱模塊的第二鹵化物施加模塊，用于在薄膜層的表面上施加鹵化物化合物的第二涂層；以及 結(jié)合到第二鹵化物施加模塊的第二加熱模塊，用于加熱薄膜層的鹵化物涂覆表面。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的裝置，所述裝置還包括:結(jié)合到鹵化物熱處理系統(tǒng)的第一沉積系統(tǒng)，用于形成半導體薄膜層。
39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的裝置，所述裝置還包括:傳送系統(tǒng)，用于將基底運輸通過鹵化物熱處理系統(tǒng)和第一沉積系統(tǒng)。
40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的裝置，其中，第一鹵化物施加模塊包括用于將鹵化物化合物的第一涂層施加在薄膜層的表面上的第一鹵化物分配器，第二鹵化物施加模塊包括用于將鹵化物化合物的第二涂層施加在薄膜層的表面上的第二鹵化物分配器。
41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的裝置，其中，第一鹵化物分配器和第二鹵化物分配器是液體噴射分配器。
42.根據(jù)權(quán)利要求40所述的裝置，其中，第一鹵化物分配器和第二鹵化物分配器是氣相分配器。
43.根據(jù)權(quán)利要求39所述的裝置，其中，第一加熱模塊包括用于加熱薄膜層的鹵化物涂覆表面的第一加熱器，第二加熱模塊包括用于加熱薄膜層的鹵化物涂覆表面的第二加熱器。
44.根據(jù)權(quán)利要求43所述的裝置，其中，第一加熱模塊還包括用于在加熱過程中將氣體引導到薄膜層的鹵化物涂覆表面周圍的第一氣體注入端口，第二加熱模塊還包括用于在加熱過程中將氣體引導到薄膜層的鹵化物涂覆表面周圍的第二氣體注入端口。
45.根據(jù)權(quán)利要求44所述的裝置，所述裝置還包括:用于在第一加熱模塊和第二加熱模塊周圍提供惰性氣體簾幕的氣體簾幕系統(tǒng)，以保持在第一加熱模塊和第二加熱模塊中的環(huán)境條件。
46.根據(jù)權(quán)利要求39所述的裝置，所述裝置還包括:結(jié)合到鹵化物熱處理系統(tǒng)的第二沉積系統(tǒng)，用于形成半導體薄膜層， 其中，第一沉積系統(tǒng)結(jié)合到第一鹵化物施加模塊，用于形成將被鹵化物熱處理系統(tǒng)處理的半導體薄膜層；并且 其中，第二沉積系統(tǒng)結(jié)合到第二加熱模塊，用于在已經(jīng)被鹵化物熱處理系統(tǒng)處理的表面上方形成半導體薄膜層。
47.一種光伏器件，所述光伏器件包括: 基底; 至少第一半導體層，被沉積為與基底相鄰； 退火的第一鹵化物涂層，位于第一半導體層的表面上；以及 退火的第二鹵化物涂層，位于第一半導體層的表面上。
48.根據(jù)權(quán)利要求47所述的光伏器件，所述光伏器件還包括沉積在基底上的TCO層，其中，第一半導體層沉積在TCO層上。
49.根據(jù)權(quán)利要求48所述的光伏器件，其中，第一半導體層具有大于或等于2μπι的粒度。
50.根據(jù)權(quán)利要求48所述的光伏器件，其中，第一半導體層是半導體吸收層。
51.根據(jù)權(quán)利要求50所述的光伏器件，其中，第一半導體層是半導體碲化鎘層。
52.根據(jù)權(quán)利要求51所述的光伏器件，其中，鹵化物涂層是CdCl2、MnCl2、MgCl2、ZnCl2、NH4CUTeCl4^HCl 或 NaCl 中的至少一種。
53.根據(jù)權(quán)利要求47所述的光伏器件，所述光伏器件還包括沉積在第一半導體層上的第二半導體層。
54.根據(jù)權(quán)利要求53所述的光伏器件，其中，第一半導體層是半導體窗口層，第二半導體層是半導體吸收層。
55.根據(jù)權(quán)利要求54所述的光伏器件，其中，半導體窗口層是硫化鎘層，半導體吸收層是碲化鎘層。
【專利摘要】一種包括具有鹵化物熱處理的表面的半導體層的光伏器件、用于生產(chǎn)其的方法和用于生產(chǎn)其的裝置，所述鹵化物熱處理的表面提高至少在半導體層內(nèi)的晶粒生長并改善半導體層之間的界面。鹵化物熱處理包括在與半導體層或部分半導體層相鄰的表面上施加并加熱鹵化物化合物的多個涂層。
【IPC分類】H01L21-02, H01L21-36
【公開號】CN104798184
【申請?zhí)枴緾N201380036017
【發(fā)明人】阿克萊斯·吉普塔, 馬庫斯·哥勞克勒, 里克·C·鮑威爾, 彭希林, 王建軍, 趙志波, 吉吉斯·特里維迪
【申請人】第一太陽能有限公司
【公開日】2015年7月22日
【申請日】2013年5月20日
【公告號】EP2852969A1, US20130327391, WO2013177047A1