離子注入方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域，尤其涉及一種離子注入方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 半導(dǎo)體器件制造工藝中，例如，BCD(Bipolar-CMOS-DMOS，雙極晶體管-互補(bǔ)型金 屬氧化物半導(dǎo)體-雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）工藝或RFLDM0S(高頻橫向雙擴(kuò)散金屬氧化 物半導(dǎo)體)工藝中的下沉層（sinker)注入，通常會(huì)涉及到離子注入工藝。具體舉例來(lái)說(shuō)，W 離子注入的能量為80Kev，注入劑量為7E15為例，現(xiàn)有的離子注入工藝方法通常包括；在半 導(dǎo)體表面上涂布光阻膠層，所述光阻膠層的厚度為10000A~15000A;通過(guò)曝光顯影，去除 預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的所述光阻膠層；根據(jù)上述離子注入的參數(shù)，向所述半導(dǎo)體表面進(jìn)行離子注入。
[0003] 在上述方案中，在離子注入過(guò)程中，高能量的離子長(zhǎng)時(shí)間對(duì)半導(dǎo)體表面進(jìn)行轟擊， 使得注入?yún)^(qū)的半導(dǎo)體表面由單晶態(tài)變?yōu)榉蔷B(tài)，而非注入?yún)^(qū)的半導(dǎo)體仍然是單晶態(tài)，該就 會(huì)在單晶態(tài)和非晶態(tài)的交界處，產(chǎn)生一個(gè)很大的應(yīng)力，而該個(gè)應(yīng)力可能導(dǎo)致龜裂，造成半導(dǎo) 體損傷，影響器件性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明提供一種離子注入方法，用于解決現(xiàn)有離子注入方法容易導(dǎo)致半導(dǎo)體損傷 的問(wèn)題。
[0005] 本發(fā)明提供一種離子注入方法，包括：
[0006] 在半導(dǎo)體表面上形成墊氧化層；
[0007] 采用型號(hào)為安智電子材料公司MiR700型的光阻膠，在所述墊氧化層的表面上涂 布光阻膠層；
[0008] 通過(guò)曝光顯影，去除預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的所述光阻膠層，并根據(jù)預(yù)設(shè)的離子注入?yún)?shù)，向 所述半導(dǎo)體表面進(jìn)行離子注入。
[0009] 本發(fā)明提供的離子注入方法，通過(guò)在半導(dǎo)體表面上形成墊氧化層，在所述墊氧化 層的表面上涂布型號(hào)為安智電子材料公司（AZElectronicMaterial)MiR700型的光阻膠， 曝光顯影后進(jìn)行離子注入的技術(shù)方案，有效避免在離子注入過(guò)程中造成半導(dǎo)體損傷。
【附圖說(shuō)明】
[0010] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的離子注入方法的流程示意圖；
[0011] 圖2-圖6為實(shí)施例一執(zhí)行過(guò)程中形成的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012] 為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例 中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。為了方便說(shuō)明，放大或者 縮小了不同層和區(qū)域的尺寸，所W圖中所示大小和比例并不一定代表實(shí)際尺寸，也不反映 尺寸的比例關(guān)系。
[0013] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的離子注入方法的流程示意圖，為了對(duì)本實(shí)施例中的 方法進(jìn)行清楚系統(tǒng)的描述，圖2-圖6為實(shí)施例一執(zhí)行過(guò)程中形成的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖，女口 圖1所示，所述方法包括W下步驟：
[0014] 101、在半導(dǎo)體表面上形成墊氧化層。
[0015] 具體的，執(zhí)行101之后的所述結(jié)構(gòu)的剖面示意圖如圖2所示，其中，所述半導(dǎo)體用 標(biāo)號(hào)21表不，所述墊氧化層用標(biāo)號(hào)22表不。
[0016] 其中，所述半導(dǎo)體可W為半導(dǎo)體元素，例如單晶娃、多晶娃或非晶結(jié)構(gòu)的娃或娃錯(cuò) (SiGe)，也可W為混合的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，例如碳化娃、鍵化鋼、蹄化鉛、神化鋼、磯化鋼、神化嫁 或鍵化嫁、合金半導(dǎo)體或其組合。本實(shí)施例在此不對(duì)其進(jìn)行限制。
[0017] 可選的，所述墊氧化層的厚度可W為300A~600A。具體的，在本實(shí)施例中，使用 所述墊氧化層作為離子注入的緩沖層，減輕離子注入后形成的注入?yún)^(qū)和非注入?yún)^(qū)之間的應(yīng) 力，避免因應(yīng)力過(guò)大造成的半導(dǎo)體損傷。
[0018] 102、采用型號(hào)為安智電子材料公司（AZElectronicMaterial)MiR700型的光阻 膠，在所述墊氧化層的表面上涂布光阻膠層。
[0019] 具體的，執(zhí)行102之后的所述結(jié)構(gòu)的剖面示意圖如圖3所示，其中，所述光阻膠層 用標(biāo)號(hào)31表7]^。
[0020] 其中，型號(hào)為安智電子材料公司MiR700型的光阻膠，能夠更加有效地保護(hù)注入?yún)^(qū) 和非注入?yún)^(qū)交界處的半導(dǎo)體表面，進(jìn)一步避免半導(dǎo)體損傷。
[0021] 103、通過(guò)曝光顯影，去除預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的所述光阻膠層，并根據(jù)預(yù)設(shè)的離子注入?yún)?數(shù)，向所述半導(dǎo)體表面進(jìn)行離子注入。
[0022] 具體的，執(zhí)行103之后，將在預(yù)設(shè)區(qū)域下方的半導(dǎo)體表面內(nèi)形成注入?yún)^(qū)，相應(yīng)的， 執(zhí)行103之后的所述結(jié)構(gòu)的剖面示意圖如圖4所示，其中，所述注入?yún)^(qū)用標(biāo)號(hào)41表示。
[0023] 需要說(shuō)明的是，所述預(yù)設(shè)區(qū)域可W根據(jù)實(shí)際器件制造工藝中的器件結(jié)構(gòu)確定，圖 中所示的只是具體舉例的一種【具體實(shí)施方式】，本實(shí)施例并未對(duì)其進(jìn)行限制。
[0024] 具體舉例來(lái)說(shuō)，可W通過(guò)離子注入，向所述半導(dǎo)體表面注入測(cè)離子，且離子注入的 劑量為7Xl〇i5ions/cm2,離子注入的能量為100千電子伏（kev)。相應(yīng)的，所述光阻膠層的 厚度可W為26000埃(A)。
[0025] 在實(shí)際應(yīng)用中，在進(jìn)行離子注入后，還需要去除半導(dǎo)體表面剩余的光阻膠層和墊 氧化層，W進(jìn)行后續(xù)的工藝流程。則相應(yīng)的，在103之后，所述方法還可W包括：
[0026] 依次去除所述光阻膠層和所述墊氧化層。
[0027] 具體的，去除所述光阻膠層之后的所述結(jié)構(gòu)的剖面示意圖如圖5所示，進(jìn)一步的， 去除所述墊氧化層之后的所述結(jié)構(gòu)的剖面示意圖如圖6所示。
[0028] 可選的，可W采用氨氣酸，通過(guò)清洗處理去除所述墊氧化層。具體的，可W選取濃 度為1%的氨氣酸進(jìn)行清洗，且清洗的時(shí)長(zhǎng)可W設(shè)為30分鐘。
[0029] 需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中各附圖的結(jié)構(gòu)只是W現(xiàn)有的一種常見(jiàn)結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行離 子注入的具體示例，在實(shí)際應(yīng)用中，其結(jié)構(gòu)也可W為圖中所示結(jié)構(gòu)W外的其它結(jié)構(gòu)。
[0030] 本實(shí)施例提供的離子注入方法，通過(guò)在半導(dǎo)體表面上形成墊氧化層，在所述墊氧 化層的表面上涂布型號(hào)為安智電子材料公司MiR700型的光阻膠，曝光顯影后進(jìn)行離子注 入的技術(shù)方案，有效避免在離子注入過(guò)程中造成的半導(dǎo)體損傷，進(jìn)而提高器件的器件性能。
[0031] 最后應(yīng)說(shuō)明的是；W上各實(shí)施例僅用W說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制； 盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其 依然可W對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征 進(jìn)行等同替換；而該些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技 術(shù)方案的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種離子注入方法，其特征在于，包括： 在半導(dǎo)體表面上形成墊氧化層； 采用型號(hào)為安智電子材料公司MiR700型的光阻膠，在所述墊氧化層的表面上涂布光 阻膠層； 通過(guò)曝光顯影，去除預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的所述光阻膠層，并根據(jù)預(yù)設(shè)的離子注入?yún)?shù)，向所述 半導(dǎo)體表面進(jìn)行離子注入。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述墊氧化層的厚度為300A~600A。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)預(yù)設(shè)的離子注入?yún)?shù)，向所述半 導(dǎo)體表面進(jìn)行離子注入，具體包括： 通過(guò)離子注入，向所述半導(dǎo)體表面注入硼離子，其中，離子注入的劑量為7X1015ions/cm2,離子注入的能量為lOOkev。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述光阻膠層的厚度為26000A。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述向所述半導(dǎo)體表面進(jìn)行 離子注入之后，還包括： 依次去除所述光阻膠層和所述墊氧化層。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述去除所述墊氧化層，具體包括： 采用氫氟酸，通過(guò)清洗處理，去除所述墊氧化層。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述氫氟酸的濃度為1%，所述清洗處理的 時(shí)長(zhǎng)為30分鐘。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種離子注入方法，包括：在半導(dǎo)體表面上形成墊氧化層；采用型號(hào)為安智電子材料公司（AZ Electronic Material）MiR700型的光阻膠，在所述墊氧化層的表面上涂布光阻膠層；通過(guò)曝光顯影，去除預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的所述光阻膠層，并根據(jù)預(yù)設(shè)的離子注入?yún)?shù)，向所述半導(dǎo)體表面進(jìn)行離子注入。通過(guò)本發(fā)明提供的離子注入方法，能夠有效避免在離子注入過(guò)程中造成半導(dǎo)體損傷。
【IPC分類】H01L21-265
【公開(kāi)號(hào)】CN104810260
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410042291
【發(fā)明人】聞?wù)h, 馬萬(wàn)里, 趙文魁
【申請(qǐng)人】北大方正集團(tuán)有限公司, 深圳方正微電子有限公司
【公開(kāi)日】2015年7月29日
【申請(qǐng)日】2014年1月28日