一種tft陣列基板及顯示裝置的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種TFT陣列基板及顯示裝置的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]ITO(indium tin oxide，銦錫氧化物)由于具有較高的電導(dǎo)率和較高的光透過率、以及良好的附著性和穩(wěn)定性、并能被酸刻蝕等優(yōu)點，而被用于制作透明電極。
[0003]然而，由于存在很多會影響ITO沉積的因素，例如基板溫度的改變、ITO沉積速率的改變、ITO沉積時水汽量的調(diào)整，都會造成ITO結(jié)晶形態(tài)的改變，從而在刻蝕過程中導(dǎo)致刻蝕殘留。
[0004]以制備用于液晶顯示裝置的陣列基板為例:如圖1所示，在形成像素電極50的過程中，會產(chǎn)生ITO殘留501，特別是當ITO殘留501位于半導(dǎo)體層40的溝道區(qū)且與該溝道區(qū)接觸時，會導(dǎo)致產(chǎn)品特性異常，漏電流偏大，信賴性測試中產(chǎn)生高溫污漬等不良。
[0005]目前很多廠家采用IZ0(Indium Zinc Oxide，銦鋅氧化物)來代替ΙΤ0，但是IZO表面容易被氧化，而且靶材昂貴。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的實施例提供一種TFT陣列基板及顯示裝置的制備方法，可以避免在溝道區(qū)產(chǎn)生ITO殘留。
[0007]為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案:
[0008]一方面，提供一種TFT陣列基板的制備方法，包括:在基板上形成半導(dǎo)體層，并在所述半導(dǎo)體層上形成至少與所述半導(dǎo)體層的溝道區(qū)對應(yīng)的遮擋圖案，所述遮擋圖案與所述半導(dǎo)體層接觸；在形成有所述遮擋圖案的基板上形成ITO材料的透明電極，并在形成所述透明電極后去除所述遮擋圖案。
[0009]優(yōu)選的，采用不與所述ITO材料發(fā)生反應(yīng)的材料去除所述遮擋圖案。
[0010]優(yōu)選的，所述遮擋圖案與所述半導(dǎo)體層通過一次構(gòu)圖工藝形成。
[0011]進一步優(yōu)選的，所述遮擋圖案的材料為光刻膠材料；所述遮擋圖案與所述半導(dǎo)體層通過一次構(gòu)圖工藝形成，包括:在基板上形成半導(dǎo)體薄膜，并在所述半導(dǎo)體薄膜上形成光刻膠薄膜；采用灰色調(diào)掩膜板或半色調(diào)掩膜板對形成有所述光刻膠薄膜的基板進行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分、光刻膠半保留部分和光刻膠完全去除部分；其中，所述光刻膠完全保留部分對應(yīng)待形成所述遮擋圖案的區(qū)域，所述光刻膠半保留部分對應(yīng)待形成所述半導(dǎo)體層中除與所述遮擋圖案對應(yīng)的其他區(qū)域，所述光刻膠完全去除部分對應(yīng)除與半導(dǎo)體層對應(yīng)的其他區(qū)域；采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分的所述半導(dǎo)體薄膜，形成所述半導(dǎo)體層；采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分的光刻膠，所述光刻膠完全保留部分形成所述遮擋圖案。
[0012]可選的，所述半導(dǎo)體層包括非晶硅層和η+非晶硅層；在形成所述透明電極并去除所述遮擋圖案后，所述方法還包括對所述半導(dǎo)體層的所述溝道區(qū)進行刻蝕以露出所述非晶娃層。
[0013]進一步優(yōu)選的，所述方法還包括形成源極和漏極，且對所述半導(dǎo)體層的所述溝道區(qū)進行刻蝕以及形成源極和漏極通過一次構(gòu)圖工藝完成；對所述半導(dǎo)體層的所述溝道區(qū)進行刻蝕以及形成所述源極和所述漏極通過一次構(gòu)圖工藝完成，具體包括:在形成所述透明電極并去除所述遮擋圖案后，形成金屬薄膜，并在所述金屬薄膜上形成光刻膠薄膜；采用普通掩膜板對形成有所述光刻膠薄膜的基板進行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分和光刻膠完全去除部分；其中，所述光刻膠完全保留部分對應(yīng)待形成包括所述源極和所述漏極的導(dǎo)電層的區(qū)域，所述光刻膠完全去除部分對應(yīng)除與待形成所述導(dǎo)電層對應(yīng)的其他區(qū)域；采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分的所述金屬薄膜形成所述源極和所述漏極，并對所述半導(dǎo)體層的所述溝道區(qū)進行刻蝕以露出所述非晶硅層；去除所述光刻膠完全保留部分的光刻膠薄膜。
[0014]可選的，在形成所述遮擋圖案后以及形成所述透明電極前，所述方法還包括形成源極和所述漏極。
[0015]基于上述，優(yōu)選的，所述透明電極為像素電極。
[0016]進一步優(yōu)選的，所述方法還包括:形成鈍化層和公共電極。
[0017]另一方面，提供一種顯示裝置的制備方法，包括上述陣列基板的制備方法。
[0018]進一步，還包括形成彩膜基板。
[0019]本發(fā)明的實施例提供一種TFT陣列基板及顯示裝置的制備方法，通過在形成ITO材料的透明電極前，形成至少覆蓋所述半導(dǎo)體層的溝道區(qū)的遮擋圖案，以在形成所述透明電極后，使產(chǎn)生的ITO殘留位于所述遮擋圖案上，這樣在將所述遮擋圖案去除后，便可將位于其上的ITO殘留一同去除，從而可以避免在溝道區(qū)產(chǎn)生ITO殘留。
【附圖說明】
[0020]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0021]圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的形成像素電極時在半導(dǎo)體層的溝道區(qū)產(chǎn)生ITO殘留的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2為本發(fā)明實施例提供的一種TFT陣列基板制備方法的流程示意圖；
[0023]圖3為本發(fā)明實施例提供的形成半導(dǎo)體層和遮擋圖案的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖4為在圖3的基礎(chǔ)上形成透明電極以及ITO殘留的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖5為在圖4的基礎(chǔ)上去除遮擋圖案后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖6a_6d為本發(fā)明實施例提供的一種形成半導(dǎo)體層和遮擋圖案的過程示意圖；
[0027]圖7a_7c為本發(fā)明實施例提供的一種形成源極和漏極并同時對半導(dǎo)體層的溝道區(qū)進行刻蝕的過程示意圖；
[0028]圖8為本發(fā)明實施例提供的在形成遮擋圖案的基礎(chǔ)上先形成源極和漏極的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖9為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0030]附圖標記:
[0031]20-柵極；30_柵絕緣層；40a_半導(dǎo)體薄膜；40_半導(dǎo)體層；401_非晶娃層；402_n+非晶硅層；403_溝道區(qū)；50a-透明電極；50_像素電極；501_IT0殘留；60_半導(dǎo)體層；70-光刻膠薄膜；701_光刻膠完全保留部分；702_光刻膠半保留部分；703_光刻膠完全去除部分；80_灰色調(diào)掩膜板；801_完全不透明部分、802-半透明部分、803-完全透明部分；90a-金屬薄膜901-源極；902_漏極；100_鈍化層；110-公共電極。
【具體實施方式】
[0032]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0033]本發(fā)明實施例提供了一種TFT陣列基板的制備方法，如圖2所示，該方法包括如下步驟:
[0034]SOl、如圖3所示，在基板上形成半導(dǎo)體層40，并在所述半導(dǎo)體層40上形成至少與所述半導(dǎo)體層40的溝道區(qū)403對應(yīng)的遮擋圖案60，所述遮擋圖案60與所述半導(dǎo)體層40接觸。優(yōu)選為直接接觸。
[0035]其中，所述半導(dǎo)體層40的材料可以是非晶硅，也可以是金屬氧化物，或者可以是其他半導(dǎo)體材料。考慮到當所述半導(dǎo)體層40采用非晶硅材料時，即所述半導(dǎo)體層40包括非晶硅層和η+非晶硅層時，需要對所述半導(dǎo)體層40的溝道區(qū)403進行刻蝕，基于此，所述遮擋圖案60可以如圖3所示形成在未刻蝕前的所述半導(dǎo)體層40的溝道區(qū)403，也可以形成在刻蝕后的所述半導(dǎo)體40的溝道區(qū)403。當然，對于所述半導(dǎo)體層40采用除非晶硅外的其他材料時，則不存在刻蝕的問題，所述遮擋圖案60就如圖3所示形成在所述半導(dǎo)體層40的溝道區(qū)403。
[0036]此外，遮擋圖案60至少與所述半導(dǎo)體層40的溝道區(qū)403對應(yīng)，可以是所述遮擋圖案60只與所述半導(dǎo)體層40的溝道區(qū)403對應(yīng)，也可以是所述遮擋圖案60除了與所述溝道區(qū)403還與所述半導(dǎo)體層40的其他區(qū)域?qū)?yīng)，只要不影響后續(xù)S102形成的所述透明電極50a即可。其中，本發(fā)明實施例中不對所述遮擋圖案60的材料進行限定，只要在S102步驟中去除所述遮擋圖案60后，該遮擋圖案60的材料不會殘留在所述溝道區(qū)403即可。
[0037]S02、如圖4和圖5所示，在形成有所述遮擋圖案60的基板上形成ITO材料的透明電極50a，并在形成所述透明電極50a后去