用于提供等離子體至處理腔室的裝置的制造方法
【專利說明】用于提供等離子體至處理腔室的裝置
[0001] 領(lǐng)域
[0002] 本發(fā)明的實施例一般而言設(shè)及半導(dǎo)體處理設(shè)備。
[000引背景
[0004] 常規(guī)的基板處理腔室通常使用具有一或多個電極的等離子體源，所述電極經(jīng)配置 W從處理氣體形成等離子體。常規(guī)的等離子體源在處理氣體W及/或等離子體分布于所述 處理腔室之前通常會將處理氣體W及/或等離子體混合。然而，發(fā)明人已觀察到該樣將處 理氣體混合會使等離子體源不兼容于需要處理氣體能單獨且獨立地提供至處理腔室的沉 積工藝，例如循環(huán)沉積工藝，舉例而言，原子層沉積（ALD)。
[0005] 因此，發(fā)明人提供用于提供等離子體至處理腔室的經(jīng)改良裝置的實施例。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明提供用于提供等離子體至處理腔室的裝置的實施例。在一些實施例中，一 種用于提供等離子體至處理腔室的裝置可包含；電極；第一接地板，所述第一接地板設(shè)置 于所述電極下方且與所述電極相間隔W定義出介于所述電極與所述第一接地板之間的空 腔；電性絕緣體，所述電性絕緣體設(shè)置于所述電極與所述第一接地板之間W避免所述電極 直接接觸于所述第一接地板；第二接地板，所述第二接地板設(shè)置于所述第一接地板下方且 與所述第一接地板相間隔W定義出介于所述第一接地板與所述第二接地板之間的第一通 道；多個第一通孔，所述多個第一通孔設(shè)置成通過所述第一接地板W將所述通道流體性地 禪接至所述空腔；第一氣體進(jìn)氣口，所述第一氣體進(jìn)氣口禪接至所述第一通道；第=接地 板，所述第=接地板設(shè)置于所述第二接地板下方且與第二接地板相間隔W定義出介于所述 第二接地板與所述第=接地板之間的第二通道；多個導(dǎo)管，所述多個導(dǎo)管設(shè)置成通過所述 第一接地板、所述第二接地板，W及所述第=接地板W將所述空腔流體性地禪接至位于所 述第=接地板下方的區(qū)域；多個氣體出氣口孔，所述多個氣體出氣口孔設(shè)置成通過所述第 =接地板W將所述第二通道流體性地禪接至所述第=接地板下方的所述區(qū)域；W及第二氣 體進(jìn)氣口，所述第二氣體進(jìn)氣口禪接至所述第二通道。
[0007] 在一些實施例中，處理腔室蓋具有整合裝置，所述整合裝置用于提供等離子體至 所述處理腔室，其中用于提供等離子體的整合裝置可包含；電極；第一接地板，所述第一接 地板設(shè)置于所述電極下方且與所述電極相間隔W定義出介于所述電極與所述第一接地板 之間的空腔；電性絕緣體，所述電性絕緣體設(shè)置于所述電極與所述第一接地板之間W避免 所述電極直接接觸于所述第一接地板；第二接地板，所述第二接地板設(shè)置于所述第一接地 板下方且與所述第一接地板相間隔W定義出介于所述第一接地板與所述第二接地板之間 的第一通道；多個第一通孔，所述多個第一通孔設(shè)置成通過所述第一接地板W將所述通道 流體性地禪接至所述空腔；第一氣體進(jìn)氣口，所述第一氣體進(jìn)氣口禪接至所述第一通道； 第一出氣口，所述第一出氣口禪接至所述第一通道；第=接地板，所述第=接地板設(shè)置于所 述第二接地板下方且與第二接地板相間隔W形成介于所述第二接地板與所述第=接地板 之間的第二通道；多個導(dǎo)管，所述多個導(dǎo)管設(shè)置成通過所述第一接地板、所述第二接地板， w及所述第=接地板w將所述空腔流體性地禪接至位于所述第=接地板下方的區(qū)域；多個 氣體出氣口孔，所述氣體出氣口孔設(shè)置成通過所述第=接地板W將所述第二通道流體性地 禪接至所述第=接地板下方的所述區(qū)域；W及第二氣體進(jìn)氣口，所述第二氣體進(jìn)氣口禪接 至所述第二通道；第二出氣口，所述第二出氣口禪接至所述第二通道；W及W下至少一個： 環(huán)，所述環(huán)設(shè)置于所述第一通道內(nèi)且定義出介于所述多個通孔與所述第一氣體進(jìn)氣口之間 的氣室，其中所述環(huán)具有多個通孔，所述多個通孔將所述氣室流體性地禪接于所述多個通 孔；或環(huán)，所述環(huán)設(shè)置于所述第二通道內(nèi)且定義出介于所述多個氣體出氣口孔與所述第二 氣體進(jìn)氣口之間的氣室，其中所述環(huán)具有多個通孔，所述多個通孔將所述氣室流體性地禪 接于所述多個氣體出氣口孔。
[0008] 本發(fā)明的其它與進(jìn)一步實施例則敘述于下。
[0009] 附圖簡單說明
[0010] 通過參照所附圖中描繪的本發(fā)明的例示實施例，可了解在下面更詳細(xì)討論且簡短 總結(jié)于上的本發(fā)明的實施例。但是，注意到，附圖只例示本發(fā)明的一般實施例且因此不視為 限制本發(fā)明的范圍，因為本發(fā)明可容許其它等效實施例。
[0011] 圖1圖示了根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的用于提供等離子體至處理腔室的裝置的 示意性側(cè)視圖。
[0012] 圖2圖示了根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的用于提供等離子體至處理腔室的裝置的 示意性側(cè)視圖。
[0013] 圖3圖示了根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的用于提供等離子體至處理腔室的裝置的 示意性上視圖。
[0014] 圖4圖示了根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的適于與用于提供等離子體至處理腔室的 裝置一起使用的處理腔室。
[0015] 為了促進(jìn)理解，已經(jīng)在任何可能的地方使用相同的元件符號來表示圖中共同的相 同元件。圖未依照尺寸繪制，且可W為了清楚加W簡化。可理解到，一個實施例的元件與特 征可有利地并入在其它實施例中，而不用另外詳述。
[0016] 具體描述
[0017] 本發(fā)明提供用于提供等離子體至處理腔室的裝置的實施例，所述處理腔室可有助 于氣體W及/或等離子體單獨且獨立地供應(yīng)至處理腔室。
[001引參照圖1，在一些實施例中，用于提供等離子體至處理腔室的裝置（等離子體源100)通?？砂姌O102、設(shè)置于所述電極102下方且與所述電極102間隔的第一接地板 104、設(shè)置于所述第一接地板104下方的第二接地板105,W及設(shè)置于所述第二接地板104下 方的第=接地板106。第一接地板104、第二接地板105,W及第=接地板106禪接于接地， 例如，共接地136,直接或間接禪接共接地136 (例如經(jīng)由通過其它接地元件禪接）?？涨?108設(shè)置于電極102與第一接地板104之間。第一通道設(shè)置于第一接地板104與第二接地 板105之間。第二通道164設(shè)置于第二接地板105與第=接地板106之間。
[0019] 第一接地板104、第二接地板105、第S接地板106W及電極102可由任何與工藝 兼容的導(dǎo)電材料來制造。舉例而言，在一些實施例中，第一接地板104、第二接地板105、第 =接地板106,W及電極102可由金屬或金屬合金來制造，舉例而言，如侶、涂覆鑲的侶、鋼、 不誘鋼、鐵、鑲、銘、上述材料的合金、上述材料的組合或類似物。第一接地板104、第二接地 板105、第S接地板106W及電極102中的每一個可由相同材料來制造，或在一些實施例中，W不同材料來制造。
[0020] 電容禪合的等離子體空腔被整合于等離子體源100內(nèi)且被置于等離子體源100頂 部。電容禪合的等離子體空腔由頂電極（如陽極）W及底電極（如陰極）所形成，且由絕 緣間隔物所間隔開，所述絕緣間隔物如陶瓷間隔物。舉例而言，如圖1所圖示，電性絕緣體 110 (如絕緣間隔物）被設(shè)置于電極102與第一接地板104之間W在電極102與第一接地板 104之間形成空腔108。電性絕緣體110可為設(shè)置于電極102與第一接地板104的外圍之 間的環(huán)，W定義出空腔108且防止氣體從空腔108沿電極102W及第一接地板104的邊緣 泄漏出來。一或多個與工藝兼容的密封件（未示），如0形環(huán)或其它襯墊材料，可設(shè)置于電 性絕緣體110與電極102W及/或第一接地板104之間。空腔108提供該樣的空腔，在所 述空腔內(nèi)第一氣體（如第一處理氣體）可被提供W允許氣體點燃W形成等離子體。電性絕 緣體110使電極102與第一接地板104電性地隔離。電性絕緣體110可由任何與