一種vdmos制作方法和一種vdmos器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種VDMOS制作方法和一種VDMOS器件。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的平面型VDMOS器件的制作方法示例參見圖1至圖6:首先在襯底和外延層上形成柵氧化層并制作多晶硅柵極，見圖1，其中I為N型襯底，2為N型外延層，3為柵氧化層，4為多晶硅；然后進(jìn)行P-體區(qū)5的注入及驅(qū)入，見圖2 ;再在柵氧化層3表面進(jìn)行光刻刻蝕，并形成N+源區(qū)6，見圖3，其中7為光刻膠；而后生長(zhǎng)氮化硅層8，進(jìn)行P+區(qū)9的驅(qū)入，見圖4 ;在此基礎(chǔ)上繼續(xù)進(jìn)行介質(zhì)層10的生長(zhǎng)，形成接觸孔，見圖5 ;最后制作正面金屬層11 (鋁、硅或銅合金等)并光刻刻蝕，在N型襯底I背面制作背面金屬層12 (鈦鎳銀復(fù)合層)。
[0003]根據(jù)以上描述可以看出，現(xiàn)有技術(shù)中的VDMOS器件制作方法較為繁瑣，在源區(qū)注入時(shí)需要進(jìn)行光刻刻蝕步驟，成本較高，并且所制作出來(lái)的VDMOS器件存在柵漏電容偏大的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004](一)要解決的技術(shù)問題
[0005]本發(fā)明提供一種VDMOS制作方法和一種VDMOS器件，以解決現(xiàn)有技術(shù)的器件制作過程繁瑣，成本較高，且制作出的柵漏電容偏大的技術(shù)問題。
[0006](二)技術(shù)方案
[0007]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種VDMOS制作方法，包括:
[0008]在第一導(dǎo)電類型外延層上制作塊狀分立的多個(gè)厚氧化層；
[0009]在所述第一導(dǎo)電類型外延層和所述厚氧化層之間制作柵氧化層；
[0010]生長(zhǎng)柵極，每個(gè)柵極均同時(shí)覆蓋厚氧化層區(qū)域和只有柵氧化層存在的區(qū)域，每相鄰兩個(gè)柵極之間均間隔一個(gè)塊狀分立的厚氧化層；
[0011]進(jìn)行第二導(dǎo)電類型輕摻雜離子的注入和驅(qū)入，在相鄰兩個(gè)柵極之間形成連續(xù)的體區(qū)，所述體區(qū)邊緣與所述柵極覆蓋下的厚氧化層區(qū)域不重合；
[0012]注入第一導(dǎo)電類型離子，形成被相鄰兩個(gè)柵極之間的厚氧化層分隔的源區(qū)；
[0013]將相鄰兩個(gè)柵極之間的厚氧化層刻蝕去除；
[0014]生長(zhǎng)氮化硅層，進(jìn)行第二導(dǎo)電類型重?fù)诫s離子的注入，制作介質(zhì)層、接觸孔、正面金屬層和背面金屬層。
[0015]進(jìn)一步地，
[0016]所述第一導(dǎo)電類型為N型，所述第二導(dǎo)電類型為P型；
[0017]或，所述第一導(dǎo)電類型為P型，所述第二導(dǎo)電類型為N型。
[0018]進(jìn)一步地，所述在第一導(dǎo)電類型外延層上制作塊狀分立的多個(gè)厚氧化層包括:
[0019]在900?1200°C下，在第一導(dǎo)電類型外延層上制作厚度為0.5?2.0 μ m的塊狀分立的多個(gè)厚氧化層。
[0020]進(jìn)一步地，所述生長(zhǎng)柵極包括:
[0021]生長(zhǎng)0.3?0.8 μ m厚的多晶硅層作為柵極，生長(zhǎng)溫度為500?700°C。
[0022]進(jìn)一步地，所述進(jìn)行第二導(dǎo)電類型輕摻雜離子的注入和驅(qū)入，在相鄰兩個(gè)柵極之間形成連續(xù)的體區(qū)包括:
[0023]以1.0E13?1.0E15個(gè)/cm的劑量，100KEV?150KEV的能量注入硼離子，形成被相鄰兩個(gè)柵極之間的厚氧化層分隔的體區(qū)；
[0024]在1100?1200°C下進(jìn)行驅(qū)入，時(shí)間50?200分鐘，在相鄰兩個(gè)柵極之間形成連續(xù)的體區(qū)。
[0025]進(jìn)一步地，所述注入第一導(dǎo)電類型離子包括:
[0026]以1.0E15?1.0E16個(gè)/cm的劑量，50KEV?150KEV的能量注入磷離子。
[0027]進(jìn)一步地，所述將相鄰兩個(gè)柵極之間的厚氧化層刻蝕去除包括:
[0028]采用干法刻蝕，將相鄰兩個(gè)柵極之間的厚氧化層刻蝕去除。
[0029]另一方面，本發(fā)明還提供一種VDMOS器件，包括:
[0030]柵極和柵氧化層之間包括厚氧化層，所述厚氧化層表面被所述柵極的一部分覆至JHL ο
[0031]進(jìn)一步地，
[0032]所述厚氧化層的厚度為0.5?2.0 μ m。
[0033]進(jìn)一步地，
[0034]所述柵極為多晶硅，厚度為0.3?0.8 μ m。
[0035](三)有益效果
[0036]可見，在本發(fā)明提供的VDMOS制作方法和VDMOS器件中，在源漏區(qū)離子注入時(shí)巧妙地利用厚氧化層形成的擋塊起到隔離作用，節(jié)省了源區(qū)形成時(shí)的光刻刻蝕步驟，優(yōu)化了制作流程，降低了制造成本。另外，厚氧化層的存在可以增加器件柵氧化層的局部厚度，起到了降低柵漏電容的作用。
【附圖說(shuō)明】
[0037]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0038]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中柵氧化層和多晶硅的示意圖；
[0039]圖2是現(xiàn)有技術(shù)中P-體區(qū)的注入和驅(qū)入示意圖；
[0040]圖3是現(xiàn)有技術(shù)中N型源區(qū)的形成示意圖；
[0041]圖4是現(xiàn)有技術(shù)中氮化硅層的生長(zhǎng)和P+區(qū)的注入示意圖；
[0042]圖5是現(xiàn)有技術(shù)中介質(zhì)層的生長(zhǎng)和接觸孔的形成示意圖；
[0043]圖6是現(xiàn)有技術(shù)中金屬層的制作示意圖；
[0044]圖7是本發(fā)明實(shí)施例VDMOS制作方法的基本流程示意圖；
[0045]圖8是本發(fā)明實(shí)施例1中VDMOS制作方法的流程示意圖；
[0046]圖9是本發(fā)明實(shí)施例1中厚氧化層的制作示意圖；
[0047]圖10是本發(fā)明實(shí)施例1中柵氧化層的制作示意圖；
[0048]圖11是本發(fā)明實(shí)施例1中多晶硅的制作示意圖；
[0049]圖12是本發(fā)明實(shí)施例1中P-體區(qū)的注入示意圖；
[0050]圖13是本發(fā)明實(shí)施例1中P-體區(qū)的驅(qū)入示意圖；
[0051]圖14是本發(fā)明實(shí)施例1中N型源區(qū)的制作示意圖；
[0052]圖15是本發(fā)明實(shí)施例1中氧化層的刻蝕示意圖；
[0053]圖16是本發(fā)明實(shí)施例1中氮化硅層的生長(zhǎng)和P+區(qū)的制作示意圖；
[0054]圖17是本發(fā)明實(shí)施例1中介質(zhì)層的生長(zhǎng)和接觸孔的形成示意圖；
[0055]圖18是本發(fā)明實(shí)施例1中金屬層的制作示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0056]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0057]本發(fā)明實(shí)施例首先提供一種VDMOS制作方法，參見圖7，該方法包括:
[0058]步驟701:在第一導(dǎo)電類型外延層上制作塊狀分立的多個(gè)厚氧化層。
[0059]步驟702:在所述第一導(dǎo)電類型外延層和所述厚氧化層之間制作柵氧化層。
[0060]步驟703:生長(zhǎng)柵極，每個(gè)柵極均同時(shí)覆蓋厚氧化層區(qū)域和只有柵氧化層存在的區(qū)域，每相鄰兩個(gè)柵極之間均間隔一個(gè)塊狀分立的厚氧化層。
[0061]步驟704:進(jìn)行第二導(dǎo)電類型輕摻雜離子的注入和驅(qū)入，在相鄰兩個(gè)柵極之間形成連續(xù)的體區(qū)，所述體區(qū)邊緣與所述柵極覆蓋下的厚氧化層區(qū)域不重合。
[0062]步驟705:注入第一導(dǎo)電類型離子，形成被相鄰兩個(gè)柵極之間的厚氧化層分隔的源區(qū)。
[0063]步驟706:將相鄰兩個(gè)柵極之間的厚氧化層刻蝕去除。
[0064]步驟707:生長(zhǎng)氮化硅層，進(jìn)行第二導(dǎo)電類型重?fù)诫s離子的注入，制作介質(zhì)層、接觸孔、正面金屬層和背面金屬層。
[0065]可見，在本發(fā)明實(shí)施例提供的VDMOS制作方法中，在源漏區(qū)離子注入時(shí)巧妙地利用厚氧化層形成的擋塊起到隔離作用，節(jié)省了源漏區(qū)形成時(shí)的光刻刻蝕步驟，優(yōu)化了制作流程，降低了制造成本。另外，厚氧化層的存在可以增加器件柵氧化層的局部厚度，起到了降低柵漏電容的作用。
[0066]優(yōu)選地，第一導(dǎo)電類型和第二導(dǎo)電類型相反，當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電類型為N型時(shí)，第二導(dǎo)電類型為P型；或者第一導(dǎo)電類型為P型時(shí)，第二導(dǎo)電類型為N型。
[0067]優(yōu)選地，制作厚氧化層的方法可以為:在900?1200°C下，在第一導(dǎo)電類型外延層上制作厚度為0.5?2.0 μ m的塊狀分立的多個(gè)厚氧化層。
[0068]優(yōu)選地，柵極的生長(zhǎng)方法可以是:生長(zhǎng)0.3?0.8 μ m厚的多晶硅層作為柵極，生長(zhǎng)溫度為500?700°C。
[0069]優(yōu)選地，體區(qū)的形成過程可以包括:以1.0E13?1.0E15個(gè)/cm的劑量，100KEV?150KEV的能量注入硼離子，形成被相鄰兩個(gè)柵極之間的厚氧化層分隔的體區(qū)；在1100?1200°C下進(jìn)行驅(qū)入，時(shí)間50?200分鐘