薄膜晶體管陣列面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明的實施例涉及一種薄膜晶體管陣列面板。
【背景技術(shù)】
[0002] 諸如液晶顯示器（IXD)、有機發(fā)光二極管（OLED)顯示器、電泳顯示器和等離子體 顯示器的平板顯示器包括多對場產(chǎn)生電極和在場產(chǎn)生電極之間的電光活性層。IXD包括作 為電光活性層的液晶層，OLED顯示器包括作為電光活性層的有機發(fā)射層。場產(chǎn)生電極中 (一對電極中）的一個通常連接到開關(guān)元件以接收電信號，電光活性層將電信號轉(zhuǎn)換為光 信號以顯示圖像。
[0003] 包括薄膜晶體管的顯示面板可以包括在平板顯示器中。許多層的電極、半導(dǎo)體等 在薄膜晶體管陣列面板上被圖案化，在圖案化工藝過程中通常使用掩模。
[0004] 同時，半導(dǎo)體的組成或結(jié)構(gòu)可以確定薄膜晶體管的特性。在這樣的半導(dǎo)體中頻繁 地使用非晶硅，但由于非晶硅中的低電荷迀移率而使得制造包括非晶硅的高性能薄膜晶 體管受到限制。此外，在使用多晶娃（polysilicon)(例如，多晶體娃（polycrystalline silicon))的情況下，由于多晶娃的尚電荷遷移率，容易制造尚性能薄I旲晶體管，但是由于 高成本和低均勻性而使得制造大尺寸薄膜晶體管陣列面板受到限制。
[0005] 因此，已經(jīng)對使用（利用）氧化物半導(dǎo)體的薄膜晶體管進行了研宄，該氧化物半導(dǎo) 體具有比非晶硅高的電子迀移率和高的電流通/斷率（on/offrate)，并且具有比多晶硅 低的成本和高的均勻性。
[0006]為了改善薄膜晶體管的電子迀移率，可以改變半導(dǎo)體的材料或者可以增大薄膜晶 體管的溝道寬度。
[0007] 然而，薄膜晶體管的溝道寬度的增大導(dǎo)致整個薄膜晶體管的尺寸的增大，因此，在 顯示裝置的制造工藝過程中會使開口率劣化。
[0008] 在此【背景技術(shù)】部分公開的上述信息僅用于增強對本發(fā)明的【背景技術(shù)】的理解，因 此，它可以包含不形成對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講在該國家已經(jīng)公知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 本發(fā)明的實施例涉及一種可以在不使開口率劣化的情況下改善薄膜晶體管的特 性的薄膜晶體管陣列面板。
[0010] 根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的薄膜晶體管陣列面板包括：基底；柵極線，在基底 上，每條柵極線包括柵電極；半導(dǎo)體層，在基底上；柵極絕緣層，在柵電極和半導(dǎo)體層之間； 蝕刻停止件，在半導(dǎo)體層上；數(shù)據(jù)布線層，在基底上，數(shù)據(jù)布線層包括與柵極線交叉的數(shù)據(jù) 線、連接到數(shù)據(jù)線的源電極和面對源電極的漏電極；鈍化層，覆蓋源電極、漏電極和蝕刻停 止件，其中，蝕刻停止件包括在源電極和漏電極之間的蝕刻防止部分，蝕刻防止部分和半導(dǎo) 體層彼此疊置的疊置區(qū)域的上側(cè)和下側(cè)之間的最短距離A在平面圖中通過直線來表示，半 導(dǎo)體層的溝道部分的寬度比最短距離A大。
[0011] 蝕刻停止件可以覆蓋半導(dǎo)體層的一部分，并且具有暴露半導(dǎo)體層的另一部分的第 一接觸孔和第二接觸孔，源電極可以通過第一接觸孔接觸半導(dǎo)體層，漏電極可以通過第二 接觸孔接觸半導(dǎo)體層。
[0012] 第一接觸孔和第二接觸孔中的至少一個可以具有彼此面對且相互不平行的兩邊。
[0013] 第一接觸孔可以具有第一平面圖案，第二接觸孔可以具有第二平面圖案，第一平 面圖案的邊和第二平面圖案的邊可以彼此面對，第一平面圖案的所述邊和源電極的與第一 平面圖案的所述邊鄰近的邊彼此平行，第二平面圖案的所述邊和漏電極的與第二平面圖案 的所述邊鄰近的邊可以彼此平行。
[0014] 第一接觸孔和第二接觸孔中的至少一個可以具有圓邊。
[0015] 半導(dǎo)體層的在源電極和漏電極之間且接觸蝕刻停止件的暴露部分可以具有直線 的形狀。
[0016] 第一接觸孔可以具有第一平面圖案，第二接觸孔可以具有第二平面圖案，第一平 面圖案的邊和第二平面圖案的邊彼此面對，第一平面圖案和第二平面圖案的彼此面對的邊 中的一邊可以具有凹進部分，另一邊可以具有凸起部分。
[0017] 第一平面圖案的所述邊或第二平面圖案的所述邊可以具有兩個或更多個凹進部 分或者兩個或更多個凸起部分。
[0018] 第一接觸孔和第二接觸孔可以與柵電極疊置。
[0019] 整個蝕刻停止件可以位于基底上。
[0020] 蝕刻停止件可以是位于半導(dǎo)體層上的島。
[0021] 蝕刻停止件可以具有相對于表示最短距離A的直線傾斜的形狀。
[0022] 蝕刻停止件可以包括彎曲部分。
[0023] 蝕刻停止件的一邊可以包括凸起部分，蝕刻停止件的另一邊可以包括凹進部分， 并且蝕刻停止件的所述一邊與所述另一邊可以彼此面對。
[0024] 凸起部分可以包括多個凸起，凹進部分可以包括多個凹進。
[0025] 蝕刻停止件的凸起部分和凹進部分中的每個可以是圓形的。
[0026] 半導(dǎo)體層的在源電極和漏電極之間且接觸蝕刻停止件的暴露部分可以具有直線 的形狀。
[0027] 源電極和漏電極可以與蝕刻停止件的橫向面對的邊緣疊置。
[0028] 鈍化層可以包括下鈍化層和在下鈍化層上的上鈍化層，下鈍化層可以包括氧化硅 (SiOx)，上鈍化層可以包括氮化硅（SiNx)。
[0029] 如在此所描述的，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，可以在不增大薄膜晶體管的尺寸 的情況下增大溝道寬度。因此，可以改善薄膜晶體管的諸如電荷迀移率的特性，并且可以防 止或避免（例如，減小）開口率的劣化。
【附圖說明】
[0030] 附圖與說明書一起示出了本發(fā)明的實施例，并且附圖與描述一起用于解釋本發(fā)明 的原理。
[0031] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的薄膜晶體管陣列面板的俯視圖。
[0032] 圖2是圖1的沿線11-11'截取的剖視圖。
[0033]圖3是示出圖1的示例性實施例中的薄膜晶體管的形狀的俯視圖。
[0034]圖4至圖7是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的薄膜晶體管的俯視圖。
[0035]圖8是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的薄膜晶體管陣列面板的俯視圖。
[0036] 圖9是圖8的沿線IX-IX'截取的剖視圖。
[0037]圖10是示出圖8的示例性實施例的薄膜晶體管的形狀的俯視圖。
[0038]圖11至圖14是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的薄膜晶體管的俯視圖。
[0039] 圖15是根據(jù)對比示例的薄膜晶體管的照片。
[0040]圖16是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的另一薄膜晶體管的照片。
[0041]圖17是示出根據(jù)圖15中示出的對比示例的薄膜晶體管的特性和根據(jù)圖16中示 出的示例性實施例的薄膜晶體管的特性的比較的圖。
【具體實施方式】
[0042] 在下文中，參照附圖示出并描述本發(fā)明的特定示例性實施例。如本領(lǐng)域技術(shù)人員 將認識到的，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的全部情況下，可以以各種不同的方式修改描 述的實施例。相反，提供在此描述的示例性實施例用于解釋本公開的多個方面，因此，在此 描述的示例性實施例不應(yīng)當被解釋為限制性的。
[0043] 在附圖中，為了清晰起見，可以夸大層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。將理解的是，當層 被稱作"在"另一層或基底"上"時，它可以直接在該另一層或基底上，或者它可以通過存在 一個或更多個中間元件間接在該另一層或基底上。在整個說明書中，同樣的附圖標記指示 同樣的元件。當諸如"……中的至少一個（種）"的表述在一系列元件之后時，修飾整系列 元件而不是修飾該系列元件中的個別元件。此外，當描述本發(fā)明的實施例時，"可以（可）" 的使用是指"本發(fā)明的一個或更多個實施例"。
[0044]圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的薄膜晶體管陣列面板的俯視圖。圖2是圖1的沿線11-11'截取的剖視圖。
[0045] 參照圖1和圖2,多條柵極線121形成在包括透明玻璃或塑料的基底110上。
[0046] 柵極線121傳輸柵極信號并大體上沿水平方向延伸。每條柵極線121包括從柵極 線121突出的多個柵電極124。
[0047] 柵極線121和柵電極124可以由從鋁基金屬（諸如鋁（Al)或鋁合金）、銀基金屬 (諸如銀（Ag)或銀合金）和銅基金屬（諸如銅（Cu)或銅合金）中選擇的任何一種制成或 者包括從上述材料中選擇的任何一種，但是柵極線121和柵電極124不限