高出光率的led芯片結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明高出光率的LED芯片結(jié)構(gòu)，屬于LED芯片技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]目前LED技術(shù)已經(jīng)取得很大成果，但是LED電光轉(zhuǎn)換效率還不是很高。人們已經(jīng)提出了多種能提高光提取效率的方法，比如倒裝結(jié)構(gòu)、芯片形狀幾何化結(jié)構(gòu)、圖形襯底、光子晶體、表面粗化、背鍍反射鏡、電流擴(kuò)展優(yōu)化等。然而，如何突破現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)一步提高出光效率仍然是當(dāng)前需要解決的重要問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明克服現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，所要解決的技術(shù)問題為提供一種高出光率的LED芯片結(jié)構(gòu)，具體是提高LED芯片電流擴(kuò)散、提高最終出光率。
[0004]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:高出光率的LED芯片結(jié)構(gòu)，包括發(fā)光本體，所述發(fā)光本體的上端設(shè)置有N電極，所述發(fā)光本體的下端設(shè)置有P電極，所述發(fā)光本體和N電極之間設(shè)置有P型金屬。
[0005]所述P型金屬蒸鍍在N電極的下端面上。
[0006]兩個(gè)所述的P電極對(duì)稱設(shè)置在發(fā)光本體的下部兩端。
[0007]所述N電極呈凸形，所述P型金屬位于N電極凸形的正下方，所述P型金屬的寬度小于N電極凸形的下部寬度。
[0008]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有的有益效果是:本發(fā)明解決了 LED芯片內(nèi)部電流擴(kuò)散不均勻所導(dǎo)致的出光率低的技術(shù)問題，在發(fā)光本體的上端設(shè)置N電極，在發(fā)光本體的下端設(shè)置P電極，將P型金屬設(shè)置在發(fā)光本體和N電極之間，通過提高LED芯片電流擴(kuò)散，提高最終出光率。
【附圖說明】
[0009]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0010]圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖中:1為發(fā)光本體、2為N電極、3為P電極、4為P型金屬。
【具體實(shí)施方式】
[0012]如圖1所示，本發(fā)明高出光率的LED芯片結(jié)構(gòu)，包括發(fā)光本體1，所述發(fā)光本體I的上端設(shè)置有N電極2，所述發(fā)光本體I的下端設(shè)置有P電極3，所述發(fā)光本體I和N電極2之間設(shè)置有P型金屬4。
[0013]所述P型金屬4蒸鍍在N電極2的下端面上。
[0014]兩個(gè)所述的P電極3對(duì)稱設(shè)置在發(fā)光本體I的下部兩端。
[0015]所述N電極2呈凸形，所述P型金屬4位于N電極2凸形的正下方，所述P型金屬4的寬度小于N電極2凸形的下部寬度。
[0016]本發(fā)明是在外延層表面進(jìn)行微影作業(yè)，圖形與N-pad形狀類似，通過冷鍍方式將P型金屬蒸鍍于芯片N面，進(jìn)行蝕刻作業(yè)，將P型金屬圖形化；然后在P型金屬表面蒸鍍N—padο
[0017]通過上述方式，最終實(shí)現(xiàn)在紅光芯片的N-Pad下面蒸鍍一層P型金屬，形成Schottky使電流向四周擴(kuò)散。
[0018]本發(fā)明的工作原理:在接通電源后，由于P型金屬的存在，電流不會(huì)集中于PAD正下方區(qū)域，而向電極周圍擴(kuò)散，最大限度了通過芯片發(fā)光區(qū)，從而增加了芯片的出光率。
[0019]上面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例作了詳細(xì)說明，但是本發(fā)明并不限于上述實(shí)施例，在本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所具備的知識(shí)范圍內(nèi)，還可以在不脫離本發(fā)明宗旨的前提下作出各種變化。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.高出光率的LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于:包括發(fā)光本體(1)，所述發(fā)光本體(I)的上端設(shè)置有N電極(2 )，所述發(fā)光本體(I)的下端設(shè)置有P電極(3 )，所述發(fā)光本體(I)和N電極(2)之間設(shè)置有P型金屬(4)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高出光率的LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述P型金屬(4)蒸鍍在N電極(2)的下端面上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高出光率的LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于:兩個(gè)所述的P電極(3)對(duì)稱設(shè)置在發(fā)光本體(I)的下部兩端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高出光率的LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述N電極(2)呈凸形，所述P型金屬(4)位于N電極(2)凸形的正下方，所述P型金屬(4)的寬度小于N電極(2)凸形的下部寬度。
【專利摘要】本發(fā)明公開了高出光率的LED芯片結(jié)構(gòu)，具體是提高LED芯片電流擴(kuò)散、提高最終出光率；采用的技術(shù)方案為：高出光率的LED芯片結(jié)構(gòu)，包括發(fā)光本體，所述發(fā)光本體的上端設(shè)置有N電極，所述發(fā)光本體的下端設(shè)置有P電極，所述發(fā)光本體和N電極之間設(shè)置有P型金屬；本發(fā)明廣泛應(yīng)用于LED芯片技術(shù)領(lǐng)域。
【IPC分類】H01L33-38
【公開號(hào)】CN104851950
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510147201
【發(fā)明人】沈志強(qiáng), 許智程, 李莎莎
【申請(qǐng)人】山西南燁立碁光電有限公司
【公開日】2015年8月19日
【申請(qǐng)日】2015年3月31日