一種實(shí)現(xiàn)高密度引腳的引線框架的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝領(lǐng)域，具體涉及一種引線框架，尤其涉及一種實(shí)現(xiàn)高密度引腳的引線框架。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，在半導(dǎo)體制造工藝領(lǐng)域，引線框架作為集成電路的芯片載體，是實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部電路引出端與外引線的電氣連接、形成電氣回路的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件，它起到了和外部導(dǎo)線連接的橋梁作用，絕大部分的半導(dǎo)體集成電路中都需要使用引線框架。
[0003]在半導(dǎo)體集成電路中，若要實(shí)現(xiàn)功率的控制和輸出，功率芯片與控制芯片往往需要封裝在同一半導(dǎo)體中。一般來說，控制芯片的管腳數(shù)量需求較大；功率芯片對管腳的數(shù)量無太大需求，其關(guān)注的是管腳的散熱及高電流承載能力。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中，引線框架在加工時(shí)，要求材料厚度較薄才能順利的蝕刻或沖壓出高密度排列的管腳，但是引線框架的厚度往往是參考管腳的散熱及高電流承載能力進(jìn)行選定的。如此，控制芯片的管腳數(shù)量受到大大限制，往往需要增加另外的引線框或其他的一些電子元器件，以擴(kuò)展控制芯片的管腳數(shù)量，但是勢必會(huì)增大產(chǎn)品的制造成本和增大產(chǎn)品的體積。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明的目的在于提出一種實(shí)現(xiàn)高密度引腳的引線框架，來解決以上技術(shù)問題。
[0006]為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
[0007]本發(fā)明提供一種實(shí)現(xiàn)高密度引腳的引線框架，包括:控制芯片框架和功率芯片框架；
[0008]所述控制芯片框架上設(shè)置有控制芯片管腳；所述功率芯片框架上設(shè)置有功率芯片管腳；
[0009]所述控制芯片框架的厚度小于所述功率芯片框架的厚度。
[0010]優(yōu)選的，所述控制芯片框架和所述功率芯片框架為分體結(jié)構(gòu)；
[0011]所述控制芯片框架包括用于連接所述功率芯片框架的第一連接端；所述功率芯片框架包括用于連接所述控制芯片框架的第二連接端；
[0012]所述第一連接端與所述第二連接端固定連接。
[0013]優(yōu)選的，所述第二連接端設(shè)置有凹槽；
[0014]所述第一連接端設(shè)置于所述凹槽內(nèi)。
[0015]優(yōu)選的，所述第一連接端通過鉚接、粘接或焊接的方式與所述第二連接端固定連接。
[0016]優(yōu)選的，所述控制芯片框架的厚度比所述功率芯片框架的厚度小0.1-0.4毫米。
[0017]優(yōu)選的，所述控制芯片框架的厚度為0.1-0.9毫米。
[0018]優(yōu)選的，所述控制芯片框架的厚度為0.2毫米，所述功率芯片框架的厚度為0.5毫米。
[0019]優(yōu)選的，所述控制芯片框架和所述功率芯片框架為一體結(jié)構(gòu)。
[0020]本發(fā)明的有益效果:引線框架的控制芯片框架部分和功率芯片框架部分選用不同厚度的材料，其中，控制芯片框架采用較薄的材料，以利于蝕刻或沖壓出高密度排列的管腳，功率芯片框架采用較厚的材料，以增強(qiáng)散熱及高電流承載的能力，如此，既能滿足控制芯片的多管腳需求，也能實(shí)現(xiàn)功率芯片管腳的散熱及高電流承載的能力。
【附圖說明】
[0021]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的實(shí)現(xiàn)高密度引腳的引線框架的正視圖。
[0022]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的實(shí)現(xiàn)高密度引腳的引線框架的一種結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
[0023]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的實(shí)現(xiàn)高密度引腳的引線框架的另一種結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
[0024]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的實(shí)現(xiàn)高密度引腳的引線框架的又一種結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
[0025]圖中:10、控制芯片框架；20、功率芯片框架；11、控制芯片管腳；12、控制芯片底座；21、功率芯片管腳；22、功率芯片底座；23、凹槽。
【具體實(shí)施方式】
[0026]下面結(jié)合附圖并通過【具體實(shí)施方式】來進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案?？梢岳斫獾氖牵颂幩枋龅木唧w實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部內(nèi)容。
[0027]下面結(jié)合附圖并通過【具體實(shí)施方式】來進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案。
[0028]請參考圖1，圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的實(shí)現(xiàn)高密度引腳的引線框架的正視圖，該引線框架包括:控制芯片框架10和功率芯片框架20。
[0029]控制芯片框架10上設(shè)置有控制芯片管腳11和控制芯片底座12 ;功率芯片框架20上設(shè)置有功率芯片管腳21和功率芯片底座22。其中，控制芯片框架10的厚度小于功率芯片框架20的厚度。
[0030]控制芯片框架10采用較薄的材料，以利于蝕刻或沖壓出高密度排列的管腳，功率芯片框架20采用較厚的材料，以增強(qiáng)散熱及高電流承載的能力，如此，既能滿足控制芯片的多管腳需求，也能實(shí)現(xiàn)功率芯片管腳的散熱及高電流承載的能力。
[0031]具體的，控制芯片框架10和功率芯片框架20可采用分體結(jié)構(gòu)，也可采用一體結(jié)構(gòu)。
[0032]請參考圖2，圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的實(shí)現(xiàn)高密度引腳的引線框架的一種結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
[0033]圖2中所示的控制芯片框架10和功率芯片框架20采用分體結(jié)構(gòu)。其中，控制芯片框架10包括用于連接功率芯片框架20的第一連接端；功率芯片框架20包括用于連接控制芯片框架10的第二連接端；所述第一連接端與所述第二連接端固定連接。
[0034]其中，所述第一連接端與所述第二連接端通過鉚接、粘接或焊接的方式固定連接。
[0035]具體的，所述第一連接端與所述第二連接端固定連接，為了實(shí)現(xiàn)引線框架表面的平滑效果或視覺效果，所述第二連接端設(shè)置有凹槽23，所述第一連接端設(shè)置于凹槽23內(nèi)，凹槽23的深度和控制芯片框架10的厚度相匹配，以使所述第一連接端和所述第二連接端的連接處保持平滑，實(shí)現(xiàn)控制芯片管腳11 一側(cè)的引線框架的表面的平滑效果或視覺效果，即設(shè)置凹槽23的深度略大于或等于控制芯片框架10的厚度。請參考圖3，圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的實(shí)現(xiàn)高密度引腳的引線框架的另一種結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。圖3中所示的控制芯片框架10和功率芯片框架20采用分體結(jié)構(gòu)。其中，所述第一連接端設(shè)置于凹槽23內(nèi)，所述第一連接端與所述第二連接端通過鉚接、粘接或焊接的方式固定連接。
[0036]請參考圖4，圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的實(shí)現(xiàn)高密度引腳的引線框架的又一種結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。圖4中所示的控制芯片框架10和功率芯片框架20采用一體結(jié)構(gòu)。加工引線框架時(shí)，使控制芯片框架10變薄，以利于蝕刻或沖壓出高密度排列的管腳；功率芯片框架20仍采用較厚的材料，以增強(qiáng)散熱及高電流承載的能力。
[0037]一般來說，控制芯片管腳11的數(shù)量比功率芯片管腳21的數(shù)量要大，實(shí)際應(yīng)用中，不同的產(chǎn)品管腳的數(shù)量要求不一樣，控制芯片框架10的管腳一般為功率芯片框架20的管腳的1-5倍。
[0038]芯片管腳的密度和引線框架的材料厚度相關(guān)。目前，根據(jù)現(xiàn)今的半導(dǎo)體加工工藝的技術(shù)水平，一般芯片管腳間的最小間距略小或等于引線框架的厚度，如，引線框架的厚度為0.5毫米時(shí)，芯片管腳間的最小間距為0.5毫米或略小于0.5毫米。
[0039]具體的，控制芯片框架10的厚度為0.1-0.9毫米?？刂菩酒蚣?0的厚度比功率芯片框架20的厚度小0.1-0.4毫米。
[0040]更具體的，控制芯片框架10的厚度為0.2毫米，功率芯片框架20的厚度為0.5毫米，如此設(shè)置，控制芯片管腳11的數(shù)量可比功率芯片管腳21的數(shù)量大2倍以上，可滿足目前大多數(shù)功率模塊半導(dǎo)體的需求。
[0041]具體的，引線框架采用銅合金材料。銅合金材料具有導(dǎo)電導(dǎo)熱率高、覆鍍性好、價(jià)格低廉等諸多優(yōu)勢。
[0042]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種實(shí)現(xiàn)高密度引腳的引線框架，其特征在于，包括；控制芯片框架和功率芯片框架； 所述控制芯片框架上設(shè)置有控制芯片管腳；所述功率芯片框架上設(shè)置有功率芯片管腳； 所述控制芯片框架的厚度小于所述功率芯片框架的厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架，其特征在于，所述控制芯片框架和所述功率芯片框架為分體結(jié)構(gòu)； 所述控制芯片框架包括用于連接所述功率芯片框架的第一連接端；所述功率芯片框架包括用于連接所述控制芯片框架的第二連接端； 所述第一連接端與所述第二連接端固定連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的引線框架，其特征在于，所述第二連接端設(shè)置有凹槽； 所述第一連接端設(shè)置于所述凹槽內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的引線框架，其特征在于，所述第一連接端通過鉚接、粘接或焊接的方式與所述第二連接端固定連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架，其特征在于，所述控制芯片框架的厚度比所述功率芯片框架的厚度小0.1-0.4毫米。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的引線框架，其特征在于，所述控制芯片框架的厚度為0.1-0.9毫米。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的引線框架，其特征在于，所述控制芯片框架的厚度為0.2毫米，所述功率芯片框架的厚度為0.5毫米。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架，其特征在于，所述控制芯片框架和所述功率芯片框架為一體結(jié)構(gòu)。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種實(shí)現(xiàn)高密度引腳的引線框架，包括控制芯片框架和功率芯片框架，所述控制芯片框架上設(shè)置有控制芯片管腳，所述功率芯片框架上設(shè)置有功率芯片管腳，所述控制芯片框架的厚度小于所述功率芯片框架的厚度。引線框架的控制芯片框架部分和功率芯片框架部分選用不同厚度的材料，既能滿足控制芯片的多管腳需求，也能實(shí)現(xiàn)功率芯片管腳的散熱及高電流承載的能力。
【IPC分類】H01L23-495
【公開號(hào)】CN104867899
【申請?zhí)枴緾N201510190942
【發(fā)明人】曹周
【申請人】杰群電子科技（東莞）有限公司
【公開日】2015年8月26日
【申請日】2015年4月21日