Tft基板的制作方法及其結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種TFT基板的制作方法及其結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]OLED(Organic Light-Emitting D1de)即有機發(fā)光二極管，具備自發(fā)光、高亮度、寬視角、高對比度、可撓曲、低能耗等特性，因此受到廣泛的關(guān)注，并作為新一代的顯示方式，已開始逐漸取代傳統(tǒng)液晶顯示器，被廣泛應(yīng)用在手機屏幕、電腦顯示器、全彩電視等。OLED 按照驅(qū)動類型可分為無源 OLED (PMOLED，Passive matrix 0LED)和有源 OLED (AMOLED，Active-matrix 0LED)。AMOLED常使用氧化物半導(dǎo)體型背板，其結(jié)構(gòu)與低溫多晶硅(LTPS，Low Temperature Poly-silicon)型背板相比更為簡單。
[0003]請參閱圖1，為一種現(xiàn)有的應(yīng)用于AMOLED的TFT (薄膜晶體管，Thin Fi ImTransistor)基板結(jié)構(gòu)的剖面示意圖，包括基板100、設(shè)于所述基板100上的第一柵極210、及第二柵極220、設(shè)于所述第一柵極210、第二柵極220、及基板100上的柵極絕緣層300、位于所述第一柵極210上方設(shè)于所述柵極絕緣層300上的第一半導(dǎo)體層410、位于所述第二柵極220上方設(shè)于所述柵極絕緣層300上的第二半導(dǎo)體層420、設(shè)于所述第一半導(dǎo)體層410、第二半導(dǎo)體層420、及柵極絕緣層300上的蝕刻阻擋層500、位于所述第一柵極210上方設(shè)于所述蝕刻阻擋層500上的第一源極610、及第一漏極620、位于所述第二柵極220上方設(shè)于所述蝕刻阻擋層500上的第二源極630、及第二漏極640、設(shè)于所述第一源極610、第一漏極620、第二源極630、及第二漏極640、及蝕刻阻擋層500上的鈍化層710、設(shè)于所述鈍化層710上的平坦層720、設(shè)于所述平坦層720上的像素電極層800、設(shè)于所述像素電極層800與平坦層720上的像素定義層900、及設(shè)于所述像素定義層900上的光阻間隙物920。
[0004]所述蝕刻阻擋層500上對應(yīng)所述第一半導(dǎo)體層410上方設(shè)有兩個第一過孔510，所述蝕刻阻擋層500上對應(yīng)所述第二半導(dǎo)體層420上方設(shè)有兩個第二過孔520，所述蝕刻阻擋層500、及柵極絕緣層300上對應(yīng)所述第二柵極220上方靠近第一柵極210的一側(cè)設(shè)有第三過孔530，所述鈍化層710、及平坦層720上對應(yīng)所述第二源極630上方設(shè)有第四過孔810，所述像素定義層900上方對應(yīng)所述像素電極層800上方設(shè)有第五過孔910。
[0005]所述第一源極610、第一漏極620分別經(jīng)由所述第一過孔510與所述第一半導(dǎo)體層410相接觸，所述第二源極630、第二漏極640分別經(jīng)由所述第二過孔520與所述第二半導(dǎo)體層420相接觸，所述第一源極610經(jīng)由所述第三過孔530與所述第二柵極220相接觸，所述像素電極層800經(jīng)由所述第四過孔810與所述第二源極630相接觸，所述第五過孔910暴露出部分像素電極層800。
[0006]其中，所述第一柵極210、及第二柵極220，柵極絕緣層300，第一半導(dǎo)體層410、及第二半導(dǎo)體層420，蝕刻阻擋層500，第一源極610、第一漏極620、第二源極630、及第二漏極640，鈍化層710，平坦層720，像素電極層800，像素定義層900，光阻間隙物920中的每一層均需要通過一道光刻制程制作，即制作圖1所示的TFT基板總計需要十道光刻制程，制程較為繁瑣，影響生產(chǎn)效率及良率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于提供一種TFT基板的制作方法，制程簡單，可有效提高生產(chǎn)效率及良率。
[0008]本發(fā)明的目的還在于提供一種TFT基板結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)簡單，易于制作，可有效提高生產(chǎn)效率及良率。
[0009]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種TFT基板的制作方法，包括如下步驟:
[0010]步驟1、提供基板，所述基板上設(shè)有TFT區(qū)域與非TFT區(qū)域，在所述基板上沉積第一金屬層，并通過第一道光刻制程圖案化所述第一金屬層，得到間隔設(shè)置的第一柵極與第二柵極；
[0011]步驟2、在所述第一柵極、第二柵極、及基板上依次沉積柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、及蝕刻阻擋層；
[0012]步驟3、通過第二道光刻制程對所述柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、及蝕刻阻擋層進行圖案化處理，在所述蝕刻阻擋層上對應(yīng)于所述第一柵極的上方形成第一接觸孔與第二接觸孔，對應(yīng)于所述第二柵極的上方形成第三接觸孔與第四接觸孔；在所述蝕刻阻擋層、半導(dǎo)體層、及柵極絕緣層上對應(yīng)于所述第二柵極上方靠近第一柵極的一側(cè)形成第五接觸孔；所述第一接觸孔、第二接觸孔、第三接觸孔、第四接觸孔、及第五接觸孔均為通孔；
[0013]步驟4、在所述蝕刻阻擋層上沉積第二金屬層，通過第三道光刻制程圖案化該第二金屬層，得到間隔設(shè)置的第一源極、第一漏極、第二源極、及第二漏極，所述第一源極、第一漏極、第二源極、及第二漏極分別經(jīng)由所述第一接觸孔、第二接觸孔、第三接觸孔、第四接觸孔與所述半導(dǎo)體層相接觸；
[0014]所述第一柵極、半導(dǎo)體層、第一源極、及第一漏極構(gòu)成第一 TFT ;所述第二柵極、半導(dǎo)體層、第二源極、及第二漏極構(gòu)成第二 TFT ;所述第一漏極經(jīng)由第五接觸孔與所述第二柵極相接觸，將第一 TFT與第二 TFT串聯(lián)起來；
[0015]步驟5、在所述第一源極、第一漏極、第二源極、第二漏極、蝕刻阻擋層、及基板上沉積鈍化層，并通過第四道光刻制程對所述鈍化層進行圖案化，在所述鈍化層上對應(yīng)所述第二漏極的上方形成第六通孔；
[0016]步驟6、在所述鈍化層上沉積平坦層，并通過第五道光刻制程對所述平坦層進行圖案化，在所述平坦層上對應(yīng)第六通孔的上方形成第七通孔；
[0017]步驟7、在所述平坦層上沉積像素電極層，并通過第六道光刻制程對其進行圖案化，所述像素電極層經(jīng)由所述第六通孔、及第七通孔與所述第二漏極相接觸；
[0018]步驟8、在所述像素電極層、及平坦層上沉積像素定義層，并通過第七道光刻制程對其進行圖案化，在所述像素定義層上形成對應(yīng)于所述像素電極層上方的第八通孔，從而暴露出所述像素電極層的一部分；
[0019]步驟9、在所述像素定義層上沉積有機光阻層，并通過第八道光刻制程對其進行圖案化，形成間隔設(shè)置的數(shù)個光阻間隙物。
[0020]所述步驟3具體包括:
[0021]步驟31、在所述蝕刻阻擋層上沉積光阻層，并通過一灰階光罩對所述光阻層進行曝光、顯影，使得光阻層上對應(yīng)基板上非TFT區(qū)域的部分被完全蝕刻掉，且所述光阻層上對應(yīng)所述第一柵極上方形成有間隔設(shè)置的第一凹槽與第二凹槽，對應(yīng)所述第二柵極上方形成有間隔設(shè)置的第三凹槽與第四凹槽，對應(yīng)所述第二柵極上方靠近第一柵極的一側(cè)形成有第一通孔；
[0022]步驟32、以所述光阻層為遮擋，通過第一次干蝕刻制程對所述蝕刻阻擋層進行蝕亥IJ，使得所述蝕刻阻擋層上對應(yīng)基板上非TFT區(qū)域的部分被完全蝕刻掉，所述蝕刻阻擋層上對應(yīng)于所述光阻層上的第一通孔的部分被完全蝕刻掉；
[0023]步驟33、通過一次灰化制程對所述光阻層進行灰化處理，使得所述光阻層的整體厚度降低，所述光阻層上的第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽、及第四凹槽的底部被穿透，分別形成第二通孔、第三通孔、第四通孔、及第五通孔；
[0024]步驟34、以所述光阻層為遮擋，通過一次濕蝕刻制程對所述半導(dǎo)體層進行蝕刻，使得所述半導(dǎo)體層上對應(yīng)基板上非TFT區(qū)域的部分被完全蝕刻掉，且所述半導(dǎo)體層上對應(yīng)于所述光阻層上的第一通孔的部分被完全蝕刻掉；
[0025]步驟35、以所述光阻層為遮擋，通過第二次干蝕刻制程對所述蝕刻阻擋層、及柵極絕緣層進行蝕刻，使得所述蝕刻阻擋層上對應(yīng)于所述光阻層上的第二通孔、第三通孔、第四通孔、及第五通孔的部分被完全蝕刻掉，從而在所述蝕刻阻擋層上形成對應(yīng)于第一柵極上方的第一接觸孔與第二接觸孔，及對應(yīng)于第二柵極上方的第三接觸孔與第四接觸孔；
[0026]同時，所述柵極絕緣層上對應(yīng)基板上非TFT區(qū)域的部分被完全蝕刻掉，且所述柵極絕緣層上對應(yīng)于所述光阻層上的第一通孔的部分被完全蝕刻掉，從而在所述蝕刻阻擋層、半導(dǎo)體層及柵極絕緣層上對應(yīng)于所述第二柵極上方靠近第一柵極的一側(cè)形成第五接觸孑L ；
[0027]步驟36、剝離所述光阻層。
[0028]所述柵極絕緣層的材料為氧化硅或氮化硅，所述半導(dǎo)體層的材料為金屬氧化物，所述蝕刻阻擋層的材料為氧化硅或氮化硅。
[0029]所述步驟32中第一次干蝕刻制程的具體工藝參數(shù)為:當所述蝕刻阻擋層的材料為氧化硅時，采用CF4+02氣氛進行干蝕刻，CF4流量為O?5000SCCm，O2流量為O?5000sccm，蝕刻時間為I?100s ;當所述蝕刻阻擋層(5)的材料為氮化硅時，采用SF6+C12氣氛進行干蝕刻，SF6流量為O?5000sccm，Cl 2流量為O?5000sccm，蝕刻時間為I?100s ；
[0030]所述步驟33中灰化制程的具體工藝參數(shù)為:采用O2氣氛進行光阻灰化，O2流量為O?5000sccm，灰化時間為I?100s ；
[0031]所述步驟34中濕蝕刻制程的具體工藝參數(shù)為:采用H2C2O4S液進行濕蝕刻，所述H2C2O4溶液的濃度為0.1 %?50% mol/L，蝕刻時間為I?100s ；
[0032]所述步驟35中第二次干蝕刻制程的具體工藝參數(shù)為:當所述蝕刻阻擋層與柵極絕緣層的材料均為氧化硅時，采用CF4+02氣氛進行干蝕刻，CF4流量為O?5000SCCm，02流量為O?50