中，像素結(jié)構(gòu)10尚可選擇性地包括鈍化層110以及保護層112。此鈍化層I1可覆蓋掃描線101、數(shù)據(jù)線102、柵極103、通道層106、漏極104與源極105，以避免該多個元件受到環(huán)境因素的影響或污染。保護層112則是覆蓋于鈍化層110上。在本實施方式中，保護層112直接覆蓋鈍化層110，但此并不限制本發(fā)明，若鈍化層110上方具有其他疊層，例如其他介電層或阻障層，保護層112亦可覆蓋該多個疊層。亦即，保護層112可直接或間接覆蓋鈍化層110。
[0047]上述的鈍化層110的材質(zhì)可為無機介電材料，例如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或上述的任意組合。上述的保護層112的材質(zhì)可為任何有機介電材料，例如:丙烯酸類聚合物(acrylic polymer)。保護層112的厚度可為約3 μηι(微米；micrometer)。保護層112的形成方式可為例如旋涂法。
[0048]圖7A與圖7B分別繪示依照本發(fā)明的實施例的像素結(jié)構(gòu)以及對照組的像素結(jié)構(gòu)的局部上視圖。圖8繪示依照圖7A與圖7B的像素結(jié)構(gòu)在不同背光亮度下所測得的光致漏電流結(jié)果，其橫軸為柵極與源極的電壓差，縱軸為在柵極與源極不同壓差下于漏極所量測得到的電流。
[0049]請先參照圖7A與圖7B，圖7A為依照本發(fā)明的實施例的像素結(jié)構(gòu)，像素結(jié)構(gòu)中的漏極104包含有分別朝向不同方向延伸的第一部分104(a)與第二部分104(b)，以及用以連接第一部分104(a)與第二部分104(b)的第一轉(zhuǎn)折部104(c)。像素結(jié)構(gòu)中的源極105包含有分別朝向不同方向延伸的第三部分105(a)與第四部分105(b)，以及用以連接第三部分105(a)與第四部分105(b)的第二轉(zhuǎn)折部105(c)。圖7B中的對照組于像素結(jié)構(gòu)中的漏極104’與源極105’均沒有轉(zhuǎn)折部設(shè)計。從圖8的實驗結(jié)果發(fā)現(xiàn)在不同背光亮度下(從20，OOOnits至1，500, OOOnits)，本發(fā)明的實施例的光致漏電流比對照組的光漏電流下降30 %?40 %，證明本實施例的確可有效降低光致漏電流。
[0050]綜上所述，由于漏極及/或源極具有分別朝向不同方向延伸的第一(三)部分與第二(四)部分，所以入射光可以直接通過漏極及/或源極而從轉(zhuǎn)折部離開，不會再轉(zhuǎn)彎而射入通道層，因此可以減少通道層的光致漏電流。
[0051]雖然本發(fā)明已以實施方式揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當(dāng)視后附的申請專利范圍所界定者為準。
【主權(quán)項】
1.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 一掃描線； 一數(shù)據(jù)線，與該掃描線交錯； 一柵極，電性連接該掃描線； 一通道層； 一柵介電層，至少部分介于該通道層與該柵極之間； 一源極，電性連接該數(shù)據(jù)線； 一漏極，該源極與該漏極電性連接該通道層，且該源極與該源極其中至少一者包括:一第一部分，沿一第一方向延伸，且該第一部分至少部分與該通道層重疊；以及一第二部分，連接該第一部分，并沿一第二方向延伸，該第二方向不與該第一方向平行，且該第二部分至少部分與該柵極重疊；以及一像素電極，電性連接該漏極。
2.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該源極與該漏極其中另一者包括: 一第三部分，沿一第三方向延伸，且該第三部分至少部分與該通道層重疊；以及 一第四部分，連接該第三部分，并沿一第四方向延伸，該第四方向不與該第三方向平行，且該第四部分至少部分與該柵極重疊。
3.如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第四方向未延伸通過該通道層。
4.如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第三方向延伸通過該通道層。
5.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二方向未延伸通過該通道層。
6.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一方向延伸通過該通道層。
7.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 一掃描線； 一數(shù)據(jù)線，與該掃描線交錯； 一柵極，電性連接該掃描線； 一通道層； 一柵介電層，至少部分介于該通道層與該柵極之間； 一源極，電性連接該數(shù)據(jù)線； 一漏極，該源極與該漏極電性連接該通道層，且該源極與該漏極其中至少一包括: 一第一部分，至少部分與該通道層重疊； 一第二部分，至少部分與該柵極重疊，不與該通道層重疊；以及一第一轉(zhuǎn)折部，連接該第一部分與該第二部分以使該第一部分與該第二部分沿不同方向延伸，其特征在于，該第一轉(zhuǎn)折部與該柵極至少部分重疊；以及一像素電極，電性連接該漏極。
8.如權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該源極與該漏極其中另一包括: 一第三部分，至少部分與該通道層重疊； 一第四部分，至少部分與該柵極重疊，不與該通道層重疊；以及一第二轉(zhuǎn)折部，連接該第三部分與該第四部分以使該第三部分與該第四部分沿不同方向延伸，其特征在于，該第二轉(zhuǎn)折部與該柵極至少部分重疊。
9.如權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第四部分的長軸方向未延伸通過該通道層。
10.如權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第三部分的長軸方向延伸通過該通道層。
11.如權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二部分的長軸方向未延伸通過該通道層。
12.如權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一部分的長軸方向延伸通過該通道層。
13.一種薄膜晶體管，其特征在于，包含: 一柵極； 一通道層，位于該柵極上； 一柵介電層，至少部分介于該柵極與該通道層之間； 一源極，電性連接該通道層；以及 一漏極，電性連接該通道層，其特征在于，該源極與該源極其中至少一者包括: 一第一部分，沿一第一方向延伸，且該第一部分至少部分與該通道層重疊；以及一第二部分，連接該第一部分，并沿一第二方向延伸，該第二方向不與該第一方向平行，且該第二部分至少部分與該柵極重疊。
14.如權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管，其特征在于，該源極與該漏極其中另一者包括: 一第三部分，沿一第三方向延伸，且該第三部分至少部分與該通道層重疊；以及 一第四部分，連接該第三部分，并沿一第四方向延伸，該第四方向不與該第三方向平行，且該第四部分至少部分與該柵極重疊。
15.如權(quán)利要求14所述的薄膜晶體管，其特征在于，該第四方向未延伸通過該通道層。
16.如權(quán)利要求14所述的薄膜晶體管，其特征在于，該第三方向延伸通過該通道層。
17.如權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管，其特征在于，該第二方向未延伸通過該通道層。
18.如權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管，其特征在于，該第一方向延伸通過該通道層。
【專利摘要】一種像素結(jié)構(gòu)，包括掃描線、數(shù)據(jù)線、柵極、通道層、柵介電層、源極、漏極以及像素電極。數(shù)據(jù)線與掃描線交錯設(shè)置。柵極電性連接掃描線。柵介電層至少部分介于通道層與柵極之間。源極電性連接該數(shù)據(jù)線。源極與漏極電性連接通道層，且源極與漏極其中至少一包括第一部分以及第二部分，其中第一部分沿第一方向延伸，且第一部分至少部分與通道層重疊；第二部分連接第一部分，并沿第二方向延伸，第二方向不與第一方向平行，且第二部分至少部分與柵極重疊。像素電極電性連接漏極。
【IPC分類】G02F1-1362, G02F1-1368, H01L29-786, H01L27-12
【公開號】CN104867947
【申請?zhí)枴緾N201510273677
【發(fā)明人】范大偉, 陳宜芳
【申請人】友達光電股份有限公司
【公開日】2015年8月26日
【申請日】2015年5月26日