半導體裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種例如在光通信等中使用的半導體裝置的制造方法。
【背景技術】
[0002]專利文獻I公開了下述內(nèi)容，S卩，如果在隆起條紋的左右外延生長化合物半導體層(InP掩埋層)，則會在化合物半導體層形成凸部。在專利文獻I中公開的技術是使用由鹽酸、醋酸和過氧化氫構成的蝕刻劑對該凸部進行濕蝕刻。
[0003]專利文獻1:日本特開2002 - 246684號公報
[0004]由于化合物半導體層的凸部使半導體裝置的特性劣化，因此，優(yōu)選將其去除。該凸部能夠通過濕蝕刻進行去除。但是，存在下述問題，即，與化合物半導體層接觸并且在活性層上形成的上部半導體層通過被進行濕蝕刻，從而露出活性層。如果活性層露出，則活性層表面發(fā)生氧化而引起半導體裝置的光限制性等發(fā)生劣化。因此，在將凸部去除時，應該以活性層不露出的方式進行。另外，如果上部半導體層的蝕刻量增加，則損害光限制效果，因此，應該抑制上部半導體層的蝕刻量。
[0005]在專利文獻I所公開的技術中，在對該凸部進行濕蝕刻時，通過包層(上部半導體層)上的接觸層以及速度調(diào)整層，防止包層的蝕刻。而且，為了可靠地防止包層的蝕刻，需要將接觸層以及速度調(diào)整層的層厚加厚，存在制造成本增加的問題。并且，存在下述問題，即，摻雜于接觸層的摻雜劑由于化合物半導體層形成時的高溫而發(fā)生擴散，降低半導體裝置的特性。
[0006]另外，在專利文獻I中，為了抑制包層的蝕刻，將構成化合物半導體層的凸部的生長停止面(111)表面設為比速度調(diào)整層的上表面高。因此，存在化合物半導體層的層厚受到限定的問題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007]本發(fā)明就是為了解決上述課題而提出的，其目的在于提供一種半導體裝置的制造方法，通過該半導體裝置的制造方法，能夠一邊抑制活性層的露出以及上部半導體層的蝕刻量，一邊將化合物半導體層的凸部去除，而不會產(chǎn)生問題。
[0008]本申請的發(fā)明所涉及的半導體裝置的制造方法具有:激光部形成工序，在該工序中，在襯底的一部分處形成激光部，該激光部具有活性層、在該成活性層上形成的上部半導體層、以及在該上部半導體層上形成的掩模；半導體層形成工序，在該工序中，由含有In的材料形成化合物半導體層，該化合物半導體層與該激光部的側(cè)面接觸，在與該激光部接觸的部分處具有凸部；以及濕蝕刻工序，在該工序中，通過包含氫溴酸和醋酸在內(nèi)的蝕刻劑，將該凸部去除，并將該化合物半導體層變平坦。而且，通過該濕蝕刻工序，在該掩模下的該上部半導體層形成(Ill)A面。
[0009]發(fā)明的效果
[0010]根據(jù)本發(fā)明，在濕蝕刻工序中，在上部半導體層形成(Ill)A面，使上部半導體層的側(cè)蝕停止，因此，能夠一邊抑制活性層的露出以及上部半導體層的蝕刻量，一邊將化合物半導體層的凸部去除。
【附圖說明】
[0011]圖1是表示實施方式I所涉及的激光部的剖面圖。
[0012]圖2是表示化合物半導體層的剖面圖。
[0013]圖3是濕蝕刻的中途的化合物半導體層等的剖面圖。
[0014]圖4是濕蝕刻結束時的半導體裝置的剖面圖。
[0015]圖5是表示形成接觸層后的半導體裝置的剖面圖。
[0016]圖6是表示形成抗蝕層后的半導體裝置的剖面圖。
[0017]圖7是表示圖案化后的抗蝕層的剖面圖。
[0018]圖8是濕蝕刻之后的半導體裝置的剖面圖。
[0019]圖9是表示掩模的種類與上部半導體層的側(cè)蝕量的關系的圖表。
[0020]圖10是表示實施方式2所涉及的激光部的剖面圖。
[0021]圖11是表示化合物半導體層的剖面圖。
[0022]圖12是表示濕蝕刻工序的初期階段的化合物半導體層等的剖面圖。
[0023]圖13是濕蝕刻工序結束后的半導體裝置的剖面圖。
[0024]圖14是表示實施方式3所涉及的激光部的剖面圖。
[0025]圖15是表示化合物半導體層的剖面圖。
[0026]圖16是表示濕蝕刻工序的初期階段的化合物半導體層等的剖面圖。
[0027]圖17是濕蝕刻工序結束后的半導體裝置的剖面圖。
[0028]圖18是實施方式4所涉及的半導體裝置的俯視圖。
[0029]圖19是表示激光部的剖面圖。
[0030]圖20是表示化合物半導體層的剖面圖。
[0031]圖21是表示濕蝕刻工序的初期階段的半導體裝置的剖面圖。
[0032]圖22是濕蝕刻工序結束后的半導體裝置的剖面圖。
[0033]圖23是表示隆起條紋的形狀的變形例的俯視圖。
[0034]圖24是表示激光部的變形例的圖。
[0035]標號的說明
[0036]10襯底，12活性層，14上部半導體層，14a、14b (111) A面，16掩模，18激光部，20A、20B化合物半導體層，20a、20b凸部，22接觸層，24抗蝕層，60化合物半導體層，62、66包層，64活性層，66a凸部，100光調(diào)制器，102掩模，104化合物半導體層，110a、IlOb凸部，150隆起條紋，152化合物半導體層
【具體實施方式】
[0037]下面，參照附圖，對本發(fā)明的實施方式所涉及的半導體裝置的制造方法進行說明。有時對相同或者相對應的結構要素標注相同的標號，并省略重復說明。
[0038]實施方式I
[0039]通過本發(fā)明的實施方式I所涉及的半導體裝置的制造方法，形成具有化合物半導體層的半導體裝置，該化合物半導體層在具有隆起條紋形狀的激光部的左右，作為電流阻擋層起作用。首先，形成激光部。圖1是表示激光部18的剖面圖。襯底10由InP形成。在襯底10的一部分處形成有活性層12?；钚詫?2形成為InGaAs量子阱層與InGaAs勢皇層交替重復層疊而成的多重量子阱結構。在活性層12上形成有將InP作為材料的上部半導體層14。
[0040]在上部半導體層14上形成有掩模16。掩模16由InGaAs形成?；钚詫?2、上部半導體層14以及掩模16構成激光部18。將形成圖1所示的激光部18的工序稱為激光部形成工序。在激光部形成工序中，首先，在襯底10的整面形成活性層、上部半導體層以及掩模。然后，在將掩模圖案化之后，對上部半導體層和活性層中的未由掩模16覆蓋的部分進行干蝕刻或者濕蝕刻。此時，對襯底的一部分進行蝕刻。這樣，形成圖1所示的激光部18。此外，也可以通過其他的方法形成激光部18。
[0041]然后，形成化合物半導體層。圖2是表示化合物半導體層20A、20B的剖面圖?；衔锇雽w層20A、20B在襯底10的(100)面上，以與激光部18的側(cè)面接觸的方式形成?；衔锇雽w層20A、20B由InP形成。活性層12和上部半導體層14由化合物半導體層20A、20B掩埋。
[0042]化合物半導體層20A、20B例如將P — InP層和η — InP層交替層疊，而形成為pnpn或者npnp的晶閘管構造。但是，化合物半導體層20A、20B的構造不限定于作為電流阻擋層起作用。
[0043]在化合物半導體層20A、20B與激光部18接觸的部分處分別具有凸部20a、20b。凸部20a、20b是化合物半導體層20A、20B中的向上方延伸得最高的部分。在凸部20a、20b中露出(Ill)B面。
[0044]將形成圖2所示的化合