光器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及在基板的正面形成有發(fā)光層的光器件。
【背景技術(shù)】
[0002] 在激光二極管（LD)或發(fā)光二極管（LED)等光器件的制造工藝中，例如通過外延生 長(zhǎng)在由藍(lán)寶石或SiC等構(gòu)成的晶體生長(zhǎng)用基板的上表面層疊發(fā)光層（外延層），由此制造出 用于形成多個(gè)光器件的光器件晶片。LD、L邸等光器件在光器件晶片的正面上形成于由成 格子狀的分割預(yù)定線劃分出的各區(qū)域中，通過沿著所述分割預(yù)定線對(duì)光器件晶片進(jìn)行分割 使其單片化，從而制造出一個(gè)個(gè)光器件。
[0003] W往，作為沿著分割預(yù)定線分割光器件晶片的方法，已知專利文獻(xiàn)1和2所述的方 法。在專利文獻(xiàn)1的分割方法中，首先，沿著分割預(yù)定線照射對(duì)晶片具有吸收性的波長(zhǎng)的脈 沖激光束來形成激光加工槽。然后，通過對(duì)晶片施加外力，由此W激光加工槽為分割起點(diǎn)來 割斷光器件晶片。
[0004] 在專利文獻(xiàn)2的分割方法中，為了提高光器件的亮度，將對(duì)于光器件晶片具有透 射性的波長(zhǎng)的脈沖激光束的聚光點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)晶片的內(nèi)部照射，在晶片的內(nèi)部形成沿著分割預(yù)定 線的變質(zhì)層。然后，對(duì)由于變質(zhì)層而導(dǎo)致強(qiáng)度降低的分割預(yù)定線施加外力，由此分割光器件 晶片。
[0005] 專利文獻(xiàn)1 ;日本特開平10-305420號(hào)公報(bào)
[0006] 專利文獻(xiàn)2 ;日本特開2008-006492號(hào)公報(bào)
[0007] 在專利文獻(xiàn)1、2的光器件晶片的分割方法中，使激光束相對(duì)于光器件晶片的表面 大致垂直地入射，W激光加工槽或變質(zhì)層為分割起點(diǎn)將光器件晶片分割成一個(gè)個(gè)光器件。 所述光器件的側(cè)面與形成于正面的發(fā)光層大致垂直，光器件形成為長(zhǎng)方體形狀。因此，在從 光器件的發(fā)光層射出的光中，相對(duì)于側(cè)面的入射角變得比臨界角度大的光的比例升高。因 此，在側(cè)面進(jìn)行全反射的光的比例升高，在反復(fù)進(jìn)行全反射的過程中，最終在光器件的內(nèi)部 發(fā)生消光的比例也升高。其結(jié)果是，存在該樣的問題；光器件中的光的導(dǎo)出效率降低，并且 亮度也降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于提供一種能夠提高光的導(dǎo)出效率的 光器件。
[0009] 本發(fā)明的光器件包括基板和在基板的正面上形成的發(fā)光層，其特征在于，基板具 有：四邊形的正面；與正面平行且為四邊形的背面；W及連結(jié)正面和背面的4個(gè)側(cè)面，在各 個(gè)側(cè)面上沿著正面的邊的延伸方向并排地形成有向外側(cè)突起的多個(gè)凸部，在各凸部處沿著 基板的厚度方向交替地形成有凹凸。
[0010] 根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于在基板的各個(gè)側(cè)面上形成有多個(gè)凸部，且在凸部處沿基板的厚 度方向交替地形成有凹凸，因此能夠使入射至側(cè)面的光中的、W臨界角度W下的角度入射 至側(cè)面的光的比例增多。由此，能夠?qū)l(fā)生全反射并返回發(fā)光層的光的比例抑制得較低，能 夠增大從側(cè)面射出的光的比例，從而能夠?qū)崿F(xiàn)光的導(dǎo)出效率的提高。
[0011] 根據(jù)本發(fā)明，能夠提高光的導(dǎo)出效率。
【附圖說明】
[0012] 圖1是示意性地示出本實(shí)施方式的光器件的結(jié)構(gòu)例的立體圖。
[001引圖2A是圖1的A-A截面的示意圖，圖2B是示意性地示出光器件的主視圖。
[0014] 圖3是示出本實(shí)施方式的光器件中的光射出的樣子的示意性的剖視圖。
[0015] 圖4是示出比較結(jié)構(gòu)的光器件中的光射出的樣子的示意性的剖視圖。
[0016] 圖5A是本實(shí)施方式的激光加工裝置的立體圖，圖5B是激光加工裝置中的激光光 線照射的說明圖。
[0017] 圖6是粘貼工序的說明圖。
[0018] 圖7是改性層形成工序的說明圖，圖7A是改性層形成前的說明圖，圖7B是激光光 線的聚光點(diǎn)的說明圖，圖7C是從上方觀察形成有改性層的分割預(yù)定線的說明圖，圖7D是改 性層形成后的說明圖。
[0019] 圖8A是光器件晶片的概要立體圖，圖8B和圖8C是圖8A的B-B截面的示意圖。
[0020] 圖9是用于說明改性層形成工序的立體圖。
[0021] 圖10是分割工序的說明圖。
[00過標(biāo)號(hào)說明
[0023] 1 ;光器件；
[0024] 21 ;基板；
[00巧]21a;正面；
[0026] 21b;背面；
[0027] 21c;側(cè)面；
[0028] 22 ;發(fā)光層；
[002引 26;凸部；
[0030]ST;分隔預(yù)定線；
[0031]W;光器件晶片；
[0032]W1 ;基板；
[003引 W2;發(fā)光層。
【具體實(shí)施方式】
[0034] W下，參照附圖，對(duì)本實(shí)施方式的光器件進(jìn)行說明。圖1是示意性地示出本實(shí)施方 式的光器件的結(jié)構(gòu)例的立體圖。圖2A是圖1的A-A截面的示意圖，圖2B是示意性地示 出光器件的主視圖。圖3是用于說明光器件的光的射出狀態(tài)的剖視示意圖。
[00巧]如圖1及圖2所示，光器件1構(gòu)成為包括基板21和在基板21的正面21a上形成的 發(fā)光層22。優(yōu)選的是，基板21透明?；?1作為晶體生長(zhǎng)用基板，可W舉例示出使用藍(lán)寶 石基板（AI2O3基板）、氮化嫁基板（GaN基板）、碳化娃基板（SiC基板）、氧化嫁基板（Ga2化 基板）形成的基板。如圖3所示，光器件1被引線接合封裝或倒裝巧片封裝于基座11上。
[0036] 發(fā)光層22通過在基板21的正面21a上依次外延生長(zhǎng)有電子成為多子的n型半導(dǎo) 體層（例如n型GaN層）、半導(dǎo)體層（例如InGaN層）、空穴成為多子的P型半導(dǎo)體層（例 如P型GaN層）而形成的。并且，在n型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層上分別形成有外部引出 用的2個(gè)電極（未圖示），通過從外部電源對(duì)2個(gè)電極施加電壓，由此從發(fā)光層22射出光。
[0037] 回到圖1和圖2,基板21的正面21a和背面2化在俯視觀察時(shí)形成為大致相同的 四邊形狀，且形成為相互平行?；?1具備將正面21a及背面2化各自的四條邊連結(jié)起來 4個(gè)側(cè)面21c。
[0038] 在各側(cè)面21c上，沿著正面21a的四條邊的延伸方向并排地形成有向外側(cè)突起的 多個(gè)凸部26。由此，如圖2A所示，利用與正面21a平行的面（圖1中的A-A截面）將基 板21切斷進(jìn)行觀察的情況下的各側(cè)面21c的截面形狀形成為波浪形狀。如圖1和圖2B所 示，在形成于側(cè)面21c的各凸部26中，構(gòu)成為沿基板21的厚度方向（上下方向）交替形成 有凹凸的形狀。因此，從正面觀察基板21的情況下的位于左右兩側(cè)的凸部26的形狀因交 替形成的凹凸而形成為波浪形狀。在本實(shí)施方式中，與沿上下方向形成的凹凸的間距相比， 在凸部26的排列方向（正面21a的四條邊的延伸方向）上的凹凸的間距形成得較小，但也 可W形成得相等，或形成得較大。另外，上述各個(gè)波浪形狀不限于如圖所示那樣平緩地彎曲 的形狀。例如，凸部26、形成于凸部26的凹凸的凸部分的截面形狀可W呈梯形形狀（等腰 梯形形狀）隆起，或呈S角形狀突出。
[0039] 接下來，參照?qǐng)D3及圖4,對(duì)本實(shí)施方式的光器件1的亮度改善效果進(jìn)行說明。圖 4是示出從用于與實(shí)施方式進(jìn)行比較的比較結(jié)構(gòu)的光器件射出光的樣子的剖視示意圖。相 對(duì)于實(shí)施方式的光器件1，比較結(jié)構(gòu)的光器件3除了基板的側(cè)面的形狀發(fā)生改變?cè)撘稽c(diǎn)外， 具備相同的結(jié)構(gòu)。目P，比較結(jié)構(gòu)的光器件3由下述部分構(gòu)成；正面31a和背面3化形成為大 致相同的四邊形狀的基板31 ;和形成于基板31的正面31a的發(fā)光層32,該光器件3安裝于 基座33上。并且，基板31的4個(gè)側(cè)面31c形成為與正面31a和背面3化垂直的