一種陣列基板、制備方法及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、制備方法及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在陣列基板中，數(shù)據(jù)線的電壓隨時間的高低變化引起的瞬時電磁信號通常會影響到像素電極和公共電極電壓的穩(wěn)定性，即數(shù)據(jù)線產(chǎn)生的電場對像素電極和公共電極產(chǎn)生了串?dāng)_，影響了像素電極與公共電極之間的電壓差，從而影響了陣列基板的顯示畫質(zhì)。
[0003]為了盡量減小數(shù)據(jù)線的串?dāng)_引起的畫質(zhì)問題，現(xiàn)有技術(shù)通常采用對應(yīng)數(shù)據(jù)線區(qū)域設(shè)置的屏蔽電極來屏蔽數(shù)據(jù)線的串?dāng)_。如圖1所示，現(xiàn)有陣列基板可以包括襯底基板01、設(shè)置在襯底基板01上數(shù)據(jù)線02、薄膜晶體管03，與薄膜晶體管03的漏極03a連接的像素電極04，與像素電極04對向設(shè)置的公共電極05，與數(shù)據(jù)線02對應(yīng)設(shè)置的屏蔽電極06。其中，屏蔽電極06與公共電極05同層設(shè)置，且電性連接。
[0004]在圖1所示結(jié)構(gòu)的陣列基板中，當(dāng)數(shù)據(jù)線形成的電場對屏蔽電極的電壓造成影響使得屏蔽電極的電壓不穩(wěn)時，由于屏蔽電極與公共電極電性連接，因而公共電極的電壓也會隨著屏蔽電極的變化而一起變化，從而使得整個陣列基板的公共電極電壓不穩(wěn)，進(jìn)而使得像素電極與公共電極之間的電壓差發(fā)生變化，從而影響了整個陣列基板的畫質(zhì)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板、制備方法及顯示裝置，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中公共電極容易受到數(shù)據(jù)線的串?dāng)_而導(dǎo)致公共電極電壓不穩(wěn)，從而影響整個陣列基板的畫質(zhì)的問題。
[0006]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0007]第一方面，提供了一種陣列基板，襯底基板，位于所述襯底基板上且界定像素區(qū)域的多條柵線和數(shù)據(jù)線，還包括:
[0008]位于所述像素區(qū)域內(nèi)的像素電極和公共電極，所述像素電極和所述公共電極異層設(shè)置；
[0009]屏蔽電極，所述屏蔽電極至少形成于所述襯底基板上對應(yīng)所述數(shù)據(jù)線的區(qū)域，所述屏蔽電極與所述公共電極異層設(shè)置，且與所述像素電極、所述公共電極無電性連接。
[0010]結(jié)合第一方面，在第一方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述屏蔽電極與所述像素電極同層設(shè)置。
[0011]結(jié)合第一方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第二種可能實(shí)現(xiàn)的方式中，所述公共電極與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置。
[0012]結(jié)合第一方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第三種可能實(shí)現(xiàn)的方式中，還包括:公共電極線，所述公共電極與所述公共電極線同層設(shè)置，且所述公共電極線與所述公共電極電性連接。
[0013]結(jié)合第一方面的第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第四種可能實(shí)現(xiàn)的方式中，所述公共電極線與所述公共電極電性連接包括:
[0014]所述公共電極線與所述公共電極通過金屬線電性連接。
[0015]結(jié)合第一方面的第三或第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第五種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述公共電極、所述公共電極線、所述柵線與柵極同層設(shè)置。
[0016]結(jié)合第一方面，在第一方面的第六種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述屏蔽電極的寬度大于所述數(shù)據(jù)線的寬度。
[0017]結(jié)合第一方面，在第一方面的第七種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述屏蔽電極還形成于所述襯底基板上對應(yīng)所述柵線的區(qū)域。
[0018]第二方面，提供一種顯示裝置，包括第一方面任一項所述的陣列基板。
[0019]第三方面，提供一種陣列基板的制備方法，包括:
[0020]在襯底基板上形成第一導(dǎo)電層圖案，所述第一導(dǎo)電層圖案包括位于像素區(qū)域的公共電極；
[0021]形成覆蓋所述第一導(dǎo)電層圖案的絕緣層；
[0022]在所述絕緣層上形成第二導(dǎo)電層圖案，所述第二導(dǎo)電層圖案包括相互無電性連接的像素電極和屏蔽電極，所述像素電極位于所述像素區(qū)域內(nèi)，所述屏蔽電極至少形成于所述襯底基板上對應(yīng)數(shù)據(jù)線的區(qū)域，且與所述公共電極無電性連接。
[0023]結(jié)合第三方面，在第三方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一導(dǎo)電層圖案還包括與所述公共電極同層設(shè)置的數(shù)據(jù)線、源極和漏極。
[0024]結(jié)合第三方面，在第三方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一導(dǎo)電層圖案還包括與所述公共電極同層設(shè)置的公共電極線，和/或柵線、柵極，和/或用以連接所述公共電極和所述公共電極線的金屬線。
[0025]結(jié)合第三方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第三方面的第三種可能實(shí)現(xiàn)的方式中，所述形成覆蓋所述第一導(dǎo)電層圖案的絕緣層包括:依次形成覆蓋所述第一導(dǎo)電層圖案的第一絕緣子層和第二絕緣子層；
[0026]在形成所述第一絕緣子層之后，在形成所述第二絕緣子層之前，所述方法還包括:在所述第一絕緣子層上形成第三導(dǎo)電層圖案，所述第三導(dǎo)電層圖案包括數(shù)據(jù)線、源極和漏極。
[0027]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板、制備方法及顯示裝置，由于陣列基板中至少形成于襯底基板上對應(yīng)數(shù)據(jù)線的區(qū)域的屏蔽電極與公共電極無電性連接，因而當(dāng)數(shù)據(jù)線對屏蔽電極的串?dāng)_使得屏蔽電極的電壓不穩(wěn)時，公共電極的電壓不會隨著屏蔽電極電壓的變化而變化，因而與現(xiàn)有技術(shù)中和屏蔽電極電性連接的公共電極會隨著屏蔽電極的電壓一起變化不同，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中公共電極容易受到數(shù)據(jù)線的串?dāng)_而導(dǎo)致公共電極電壓不穩(wěn)，從而影響整個陣列基板的畫質(zhì)的問題。
【附圖說明】
[0028]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0029]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板中部分結(jié)構(gòu)俯視圖；
[0033]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制備方法流程圖；
[0034]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的制備方法流程圖。
[0035]附圖標(biāo)記:
[0036]01-襯底基板；02-數(shù)據(jù)線；03-薄膜晶體管；03a_漏極；03b_源極；03c_柵極；03d-有源層；04_像素電極；05_公共電極；06_屏蔽電極；07_柵絕緣層；08_柵絕緣層；09-過孔；10_柵線；11-公共電極線；12_金屬線。
【具體實(shí)施方式】
[0037]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0038]在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“上”、“下”、“內(nèi)”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。
[0039]需要的說明的是，在本發(fā)明所有實(shí)施例中，同層設(shè)置是指:至少兩個圖案位于同一承載面上。異層設(shè)置是指:兩個圖案位于不同的承載面上，通常兩個圖案之間間隔有其他層O
[0040]實(shí)施例一
[0041]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，如圖2所示，包括襯底基板01，位于襯底基板上且界定像素區(qū)域的多條柵線和數(shù)據(jù)線02，還包括:位于像素區(qū)域內(nèi)的像素電極04和公共電極05，像素電極04和公共電極05異層設(shè)置；屏蔽電極06，屏蔽電極06至少形成于襯底基板01上對應(yīng)數(shù)據(jù)線02的區(qū)域，屏蔽電極06與公共電極05異層設(shè)置，且與像素電極04、公共電極05無電性連接。
[0042]需要說明的是，上述僅介紹了解決“現(xiàn)有技術(shù)中公共電極容易受到數(shù)據(jù)線的串?dāng)_而導(dǎo)致公共電極電壓不穩(wěn)，從而影響整個陣列基板的畫質(zhì)”的問題的結(jié)構(gòu)。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠知曉，陣列基板的結(jié)構(gòu)不局限于此，例如在圖2所示陣列基板中，陣列基板還可以包括:設(shè)置于襯底基板01上的薄膜晶體管03、柵絕緣層07以及絕緣層08。其中，薄膜晶體管03包括設(shè)置于襯底基板01上的漏極03a、源極03b、柵極03c和有源層03d。像素電極04通過過孔09與漏極03a電性連接，數(shù)據(jù)線02與漏極03a、源極03b同層設(shè)置，且與源極03b電性連接，公共電極05與像素電極04對向設(shè)置，柵線(未在圖2中標(biāo)示)與柵極03c同層設(shè)置且電性連接。
[0043]當(dāng)然，圖2中所增設(shè)的結(jié)構(gòu)也僅是為了更加清楚的描述本發(fā)明的方案才繪制的，并不作為本發(fā)明請求保護(hù)的范圍限定。
[0044]本發(fā)明實(shí)施例所涉及到陣列基板可以是高級超維場轉(zhuǎn)換(ADvanced SuperDimens1n Switch,ADS)型顯示裝置中的陣列基板；在ADS陣列基板中，公共電極與像素電極設(shè)置在同一襯底基板上，且其中一個電極為平板狀電極，另一個電極為梳狀或帶有夾縫的電極。
[0045]對于ADS陣列基板而言，可以包括異層設(shè)置的像