晶片的加工方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及將在晶片的背面外周形成有環(huán)狀凸部的晶片分割成一個個器件的晶片的加工方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，為了實(shí)現(xiàn)電機(jī)設(shè)備的輕量化和小型化，要求晶片的厚度更薄，例如在50 μπι以下。形成這樣薄的晶片不僅剛性降低，而且容易發(fā)生翹曲，因此處理困難，在搬送等中有可能破損。因此，提出了如下磨削方法:僅對晶片的與形成有器件的器件形成區(qū)域?qū)?yīng)的背面進(jìn)行磨削，由此在與圍繞器件形成區(qū)域的外周剩余區(qū)域?qū)?yīng)的背面形成加強(qiáng)用的環(huán)狀凸部(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。
[0003]作為沿著分割預(yù)定線分割這樣的晶片的方法，提出了在晶片的分割前除去環(huán)狀凸部的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)2)。在該方法中，沿著環(huán)狀凸部突出的晶片的背面粘貼切割帶，借助切割帶而將晶片的背面?zhèn)戎С杏诳ūP工作臺。在卡盤工作臺上，從工作臺上表面突出的多孔部進(jìn)入晶片的凹部并卡合，利用切削刀具從晶片的正面?zhèn)惹须x環(huán)狀凸部。然后，利用切削刀具從正面?zhèn)惹邢骶指畛梢粋€個器件。
[0004]專利文獻(xiàn)1:日本特開2007-173487號公報
[0005]專利文獻(xiàn)2:日本特開2010-186971號公報
[0006]在專利文獻(xiàn)2所記載的方法中，在晶片的背面形成有環(huán)狀凸部和凹部，因此當(dāng)以沿著晶片的背面的方式粘貼切割帶時，在晶片的凹部的角落會殘留氣泡。當(dāng)從晶片切離環(huán)狀凸部時，在利用切削刀具從晶片的正面?zhèn)瘸蛐纬捎邪疾康谋趁媲腥霑r，因氣泡而會使切削刀具發(fā)生抖動，或者切肩進(jìn)入氣泡內(nèi)，從而對晶片造成不良影響。因此，在除去了環(huán)狀凸部后的晶片中，存在晶片的外周側(cè)的器件的品質(zhì)劣化的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明正是鑒于這樣的情況而完成的，其目的在于提供晶片的加工方法，能夠不使品質(zhì)劣化地將在背面外周形成有環(huán)狀凸部的晶片分割成一個個器件。
[0008]在本發(fā)明的晶片的加工方法中，所述晶片具有:在正面利用分割預(yù)定線形成有多個器件的大致圓形形狀的器件形成區(qū)域；和圍繞該器件形成區(qū)域的外周剩余區(qū)域，所述晶片的加工方法由以下工序構(gòu)成:凹部形成工序，對晶片正面?zhèn)日迟N保護(hù)帶，僅對晶片的與該器件形成區(qū)域?qū)?yīng)的背面?zhèn)鹊膮^(qū)域磨削規(guī)定厚度而將該器件形成區(qū)域減薄至期望厚度，在該背面形成凹部，并且在該外周剩余區(qū)域形成向背面?zhèn)韧怀龅沫h(huán)狀凸部；環(huán)狀凸部分割工序，在實(shí)施該凹部形成工序后，在該環(huán)狀凸部和該凹部的邊界處形成圓形的分割槽，分割該環(huán)狀凸部和該凹部；轉(zhuǎn)移工序，在實(shí)施該環(huán)狀凸部分割工序后，對晶片的背面的該分割槽的內(nèi)側(cè)整個面粘貼切割帶，并且將該保護(hù)帶剝離來除去該環(huán)狀凸部；以及器件形成區(qū)域分割工序，在實(shí)施該轉(zhuǎn)移工序后，沿著該器件形成區(qū)域的分割預(yù)定線進(jìn)行分割。
[0009]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在晶片的正面?zhèn)日迟N有保護(hù)帶的狀態(tài)下，在晶片的背面?zhèn)鹊沫h(huán)狀凸部和凹部的邊界處形成有圓形分割槽。因此，當(dāng)對晶片的背面粘貼切割帶時，能夠使晶片的背面和切割帶之間的空氣逃向分割槽。從而，通過在晶片的整個背面沒有氣泡殘留地粘貼切割帶，并且從晶片的正面剝離保護(hù)帶，從晶片除去環(huán)狀凸部，能夠?qū)⒕瑥谋Ｗo(hù)帶良好地轉(zhuǎn)移到切割帶上。并且，在晶片的背面沒有氣泡殘留的狀態(tài)下分割晶片，因此不會因氣泡的影響而使器件的品質(zhì)降低。
[0010]發(fā)明效果
[0011]根據(jù)本發(fā)明，在將切割帶粘貼到晶片的背面前，在環(huán)狀凸部和凹部的邊界處形成分割槽，由此能夠不使品質(zhì)劣化地將在背面外周形成有環(huán)狀凸部的晶片分割成一個個器件。
【附圖說明】
[0012]圖1是本實(shí)施方式的晶片的立體圖。
[0013]圖2是示出本實(shí)施方式的凹部形成工序的一例的圖。
[0014]圖3是不出本實(shí)施方式的環(huán)狀凸部分割工序的一例的圖。
[0015]圖4是示出本實(shí)施方式的轉(zhuǎn)移工序的一例的圖。
[0016]圖5是示出本實(shí)施方式的器件形成區(qū)域分割工序的一例的圖。
[0017]圖6是比較例的晶片的加工方法的說明圖。
[0018]標(biāo)號說明
[0019]11:晶片的正面；
[0020]12:晶片的背面；
[0021]15:凹部；
[0022]16:環(huán)狀凸部
[0023]17:分割槽；
[0024]18:分割預(yù)定線；
[0025]Al:器件形成區(qū)域；
[0026]A2:外周剩余區(qū)域；
[0027]Tl:保護(hù)帶；
[0028]T2:切割帶；
[0029]D:器件；
[0030]W:晶片。
【具體實(shí)施方式】
[0031]本實(shí)施方式的晶片的加工方法針對僅將晶片的背面的外周部分留下、并僅對其內(nèi)側(cè)進(jìn)行了磨削的所謂的TAIKO晶片來實(shí)施。在將這樣的晶片分割成一個個器件的情況下，當(dāng)僅晶片的背面中央被減薄成凹狀時，無法利用從晶片的背面?zhèn)韧怀龅耐庵懿糠质咕谋趁鎮(zhèn)缺３钟诳ūP工作臺。因此通常，在將晶片的外周部分除去來使晶片的背面平坦化后，將晶片分割成一個個芯片。
[0032]在該情況下，需要對晶片的背面粘貼切割帶，但由于外周部分從晶片的背面突出，因此在晶片的背面和切割帶之間會殘留氣泡。因此，在本實(shí)施方式的晶片的加工方法中，在對晶片的背面粘貼切割帶前，在晶片的凹狀部分和外周部分的邊界處形成作為氣泡的排氣道的分割槽。由此，即使晶片的外周部分突出，也能夠使切割帶無間隙地粘貼到晶片的整個背面。
[0033]以下，參照附圖，對本實(shí)施方式的晶片的加工方法進(jìn)行詳細(xì)說明。圖1是本實(shí)施方式的晶片的立體圖。圖2是示出本實(shí)施方式的凹部形成工序的一例的圖。圖3是示出本實(shí)施方式的環(huán)狀凸部分割工序的一例的圖。圖4是示出本實(shí)施方式的轉(zhuǎn)移工序的一例的圖。圖5是示出本實(shí)施方式的器件形成區(qū)域分割工序的一例的圖。
[0034]如圖1所示，晶片W形成為大致圓板狀，并且由排列在正面11的格子狀的分割預(yù)定線18劃分出多個區(qū)域。在晶片W的中央，在由分割預(yù)定線18劃分出的各區(qū)域形成有器件D。晶片W的正面11被分成形成有多個器件D的器件形成區(qū)域Al和圍繞器件形成區(qū)域Al的外周剩余區(qū)域A2。并且，在晶片W的外緣13形成有表示結(jié)晶方向的缺口 14。晶片W以在正面11粘貼有保護(hù)帶Tl的狀態(tài)被搬入磨削裝置21 (參照圖2)。
[0035]如圖2所示，首先實(shí)施凹部形成工序。在凹部形成工序中，借助保護(hù)帶Tl而將晶片W的正面11側(cè)保持于磨削裝置21的卡盤工作臺22。然后，磨削裝置21的磨削輪23繞Z軸旋轉(zhuǎn)并靠近卡盤工作臺22，通過磨削輪23和晶片W的背面12旋轉(zhuǎn)接觸來磨削晶片W。此時，在晶片W的背面12中，只有正面11的器件形成區(qū)域Al的背面?zhèn)缺荒ハ?。由此，在晶片W的背面12，與器件形成區(qū)域Al對應(yīng)的區(qū)域被減薄至期望的厚度而形成圓形的凹部15，與外周剩余區(qū)域A2對應(yīng)的區(qū)域從晶片W的背面12側(cè)突出而形成環(huán)狀凸部16。
[0036]這樣，由于凹部15而只有晶片W的中央部分被減薄，并且利用包圍凹部15的環(huán)狀凸部16提高了晶片W的剛性。從而，在晶片W的器件形成區(qū)域Al被減薄的同時，利用環(huán)狀凸部16抑制了晶片W的翹曲，防止搬送時的破損等。另外，晶片W可以是硅、砷化鎵等半導(dǎo)體晶片，也可以是陶瓷、玻璃、藍(lán)寶石類的光器件晶片。形成有凹部15和環(huán)狀凸部16的晶片W在粘貼有保護(hù)帶Tl的狀態(tài)下被搬入切削裝置31 (參照圖3)。
[0037]如圖3所示，在凹部形成工序后實(shí)施環(huán)狀凸部分割工序。在環(huán)狀凸部分割工序中，借助保護(hù)帶Tl而將晶片W的正面11側(cè)保持于切削裝置31的卡盤工作臺32。此時，以使晶片W的中心與卡盤工作臺32的旋轉(zhuǎn)軸(Z軸)一致的方式，來使晶片W相對于卡盤工作臺32對準(zhǔn)位置。并且，切削刀具33被定位于晶片W的環(huán)狀凸部16和凹部15的邊界處，利用高速旋轉(zhuǎn)的切削刀具33從晶片W的背面12側(cè)切入環(huán)狀凸部16和凹部15的邊界。
[0038]然后，在利用切削刀具33切入到保護(hù)帶Tl的中途后，旋轉(zhuǎn)卡盤工作臺32而利用切削刀具33呈圓形切削晶片W。由此，沿著晶片W的外周在凹部15和環(huán)狀凸部16之間形成圓形的分割槽17，從而環(huán)狀凸部16被從晶片W切離。形成有分割槽17晶片W被搬入轉(zhuǎn)移裝置(未圖示)。在該情況下，在晶片W的器件形成區(qū)域Al借助保護(hù)帶Tl而支承于環(huán)狀凸部16的狀態(tài)下被搬送。即，環(huán)狀凸部16作為環(huán)狀框架發(fā)揮功能，抑制晶片W的被減薄的器件形成區(qū)域Al的撓曲。
[0039]另外，環(huán)狀凸部分割工序不限定于利用切削刀具33的切削加工(旋轉(zhuǎn)切割)。環(huán)狀凸部分割工序只要構(gòu)成為在晶片W的圓形的凹部15和環(huán)狀凸部16之間形成分割槽17即可，例如，可以通過使用對于晶片W具有吸收性的波長的激光束的燒蝕加工來實(shí)施。所謂燒蝕是指如下現(xiàn)象:當(dāng)激光束的照射強(qiáng)度達(dá)到規(guī)定的加工閾值以上時，在固體表面轉(zhuǎn)換成電、熱、光學(xué)及力學(xué)上的能量，其結(jié)果為，爆發(fā)性地放出中性原子、分子、正負(fù)的離子、原子團(tuán)、聚簇、電子、光，對固體表面進(jìn)行蝕刻。
[0040]如圖4所示，在環(huán)狀凸部分割工序之后實(shí)施轉(zhuǎn)移工序。在轉(zhuǎn)移工序中，如圖4的(A)所示，沿著晶片W的背面12粘貼切割帶T2。在該情況下，例如在轉(zhuǎn)移裝置的減壓空間內(nèi)的工作臺上，將晶片W配置于環(huán)狀框架F的內(nèi)側(cè)，利用與晶片W的凹部15對應(yīng)的圓形板將切割帶T2按壓于晶片W的背面12。然后，切割帶T2被向徑向外側(cè)拉伸，并從晶片W的背面12的中央朝向徑向外側(cè)粘貼切割帶T2。
[0041]在該切割帶T2的粘貼時，如圖4的(B)所示，晶