晶圓位置傾斜的偵測方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及在晶圓需要進(jìn)行烘烤過程中，一種晶圓位置傾斜的偵測方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體制程過程中，例如光刻工藝中，就需要對晶圓進(jìn)行烘烤，在這些涉及熱量變化的過程里，晶圓的受熱的均勻程度對后續(xù)工藝有著直接的影響，例如晶圓受熱不均勻會導(dǎo)致⑶的均一'丨生(uniformity ),嚴(yán)重的影響著產(chǎn)品的良率,甚至能夠弓I發(fā)報廢。
[0003]晶圓受熱的均勻性與晶圓位置是否傾斜是直接相關(guān)的，如圖1和圖2所示，晶圓2在熱板I上的位置包括正常放置和傾斜放置，在如圖2的情況下，晶圓發(fā)生傾斜，就會導(dǎo)致溫度異常。但是目前在生產(chǎn)線上還沒有一種偵測晶圓是否發(fā)生傾斜的手段。通常的檢測方法只是通過OCAP的統(tǒng)計和對產(chǎn)品的加量(add measurement),來獲悉產(chǎn)品是否收到影響，然而由于這是后期操作，對于已經(jīng)受到影響的產(chǎn)品不能夠及時的獲悉。
[0004]因此,如何改善這一狀況，已成為亟待解決的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于，提供一種晶圓位置傾斜的偵測方法，以快速有效的檢測晶圓位置是否傾斜。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種晶圓位置傾斜的偵測方法，用于在判斷晶圓在接受烘烤時位置是否正確，包括:
[0007]放置晶圓于熱板上；
[0008]保持晶圓加熱一時間段，實時偵測并記錄在這一時間段中每個設(shè)定時刻的熱板上的最大溫度差；
[0009]比較在所述時間段中的最大溫度差是否超過設(shè)定值，若最大溫度差小于設(shè)定值，則所述晶圓傾斜。
[0010]可選的，對于所述的晶圓位置傾斜的偵測方法，所述設(shè)定值為1°C。
[0011]可選的，對于所述的晶圓位置傾斜的偵測方法，所述時間段為30s?60s。
[0012]可選的，對于所述的晶圓位置傾斜的偵測方法，將在所述時間段中的最大溫度差是否超過設(shè)定值的比較結(jié)果傳送至IEMS系統(tǒng)。
[0013]可選的，對于所述的晶圓位置傾斜的偵測方法，若所述時間段中的最大溫度差小于設(shè)定值，則IEMS系統(tǒng)將產(chǎn)品扣留；若所述時間段中的最大溫度差大于等于設(shè)定值，則晶圓位置正常，并確認(rèn)放行。
[0014]可選的，對于所述的晶圓位置傾斜的偵測方法，所述最大溫度差為在所述時間段中偵測的溫度中最高溫度與最低溫度的差。
[0015]可選的，對于所述的晶圓位置傾斜的偵測方法，所述熱板的溫度范圍是90°?150。。
[0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的晶圓位置傾斜的偵測方法中，通過在晶圓加熱過程中，記錄處在該時間段內(nèi)相應(yīng)時刻的熱板上的最大溫度差，并比較所述最大溫度差與設(shè)定值的關(guān)系，從而反映出晶圓是否傾斜。相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的方法直接有效，能夠?qū)崟r的通過熱板上溫度的情況反映出是否傾斜；進(jìn)一步的，通過IEMS系統(tǒng)的控制，能夠直接檢測出發(fā)生的產(chǎn)品，從而及時進(jìn)行處理，將損失盡可能的降低。
【附圖說明】
[0017]圖1為現(xiàn)有技術(shù)及本發(fā)明中晶圓位置正常的示意圖；
[0018]圖2為本發(fā)明中及本發(fā)明中晶圓位置傾斜的示意圖；
[0019]圖3為本發(fā)明中晶圓位置傾斜的偵測方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0020]下面將結(jié)合示意圖對本發(fā)明的晶圓位置傾斜的偵測方法進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。
[0021]為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因為它們會使本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實際實施例的開發(fā)中，必須做出大量實施細(xì)節(jié)以實現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個實施例改變?yōu)榱硪粋€實施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費時間的，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。
[0022]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。
[0023]本發(fā)明的核心思想在于，提供一種晶圓位置傾斜的偵測方法，用于在判斷晶圓在接受烘烤時位置是否正確，包括:放置晶圓于熱板上；保持晶圓加熱一時間段，實時偵測并記錄在這一時間段中晶圓上的最大溫度差；比較在所述時間段中的最大溫度差是否超過設(shè)定值，若最大溫度差小于設(shè)定值，則所述晶圓傾斜。
[0024]以下列舉所述晶圓位置傾斜的偵測方法的較優(yōu)實施例，以清楚說明本發(fā)明的內(nèi)容，應(yīng)當(dāng)明確的是，本發(fā)明的內(nèi)容并不限制于以下實施例，其他通過本領(lǐng)域普通技術(shù)人員的常規(guī)技術(shù)手段的改進(jìn)亦在本發(fā)明的思想范圍之內(nèi)。
[0025]基于上述思想，下面提供晶圓位置傾斜的偵測方法的較優(yōu)實施例，請參考圖1-圖3,圖1為本發(fā)明中晶圓位置正常的不意圖；圖2為本發(fā)明中晶圓位置傾斜的不意圖；圖3為本發(fā)明中晶圓位置傾斜的偵測方法的流程圖。本實施例的晶圓位置傾斜的偵測方法的形成方法包括:
[0026]步驟Sll:放置晶圓于熱板上；雖然，在目前的操作中，晶圓通常采用機(jī)械手臂來傳送放置，但其位置依然不能夠完全保證準(zhǔn)確，如圖1中的晶圓2的位置是最佳狀態(tài)，但是有些時候，例如晶圓本身不平整、不整潔，傳送裝置異常等情況下，很容易出現(xiàn)如圖2所示的情況，即晶圓2的位置在熱板I上發(fā)生偏斜。
[0027]步驟S12:保持晶圓加熱一時間段，實時偵測并記錄在這一時間段中每個設(shè)定時刻的晶圓上的最大溫度差。發(fā)明人經(jīng)過研究后發(fā)現(xiàn)，通常熱板的溫度范圍是90°?150°，當(dāng)晶圓2放入熱板I上時，較冷的晶圓2會通過空氣作為媒介引起熱板I本身的溫度發(fā)生改變。如果晶圓2有傾斜(如圖2)，那么較冷的晶圓2接近熱板I的面積就少，因此，熱板I溫度變化幅度就小，另一方面則表現(xiàn)在由于晶圓2接近熱板I的面積少，會使得晶圓2受熱不均勻，從而影響了 CD。同樣的，當(dāng)晶圓2位置正常(如圖1)，那么較冷的晶圓2接近熱板I的面積多，因此熱板I的溫度變化幅度大。通常，加熱的時間段為30s?60s，在這一過程中，熱板I的溫度會時刻發(fā)生變動，因此，通過熱傳感器(通常設(shè)置于熱板I附近)偵測到熱板I在某一時刻的溫度，并算得最大溫度差，所述最大溫度差為在加熱的時間段中偵測的溫度中最高溫度與最低溫度的差。
[0028]接著，進(jìn)行步驟S13:比較在所述時間段中的最大溫度差是否超過設(shè)定值，若最大溫度差小于設(shè)定值，則所述晶圓2傾斜。通過上述分析，可知在晶圓2傾斜時，熱板I的溫度受影響較小，因此最大溫度差會較低，在本實施例中，設(shè)定值為1°C，當(dāng)最大溫度差小于1°C時，就表明晶圓2有著一定的傾斜，并且這種傾斜程度已經(jīng)能夠影響到產(chǎn)品的CD。為了便于及時控制，將受影響的產(chǎn)品加以處理，優(yōu)選的，將在所述時間段中的最大溫度差是否超過設(shè)定值的比較結(jié)果傳送至IEMS系統(tǒng)，若所述時間段中的最大溫度差小于設(shè)定值，則IEMS系統(tǒng)將產(chǎn)品扣留；若所述時間段中的最大溫度差大于等于設(shè)定值，則晶圓位置正常，并且通過IEMS系統(tǒng)加以確認(rèn)和放行，以進(jìn)行后續(xù)操作。
[0029]由此可見，在本發(fā)明的方法中，通過在晶圓加熱過程中，記錄處在該時間段內(nèi)的熱板上的最大溫度差，并比較所述最大溫度差與設(shè)定值的關(guān)系，從而反映出晶圓是否傾斜。相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的方法直接有效，能夠及時的通過熱板上溫度的情況反映出是否傾斜；進(jìn)一步的，通過IEMS系統(tǒng)的控制，能夠直接檢測出發(fā)生的產(chǎn)品，從而及時進(jìn)行處理，例如及時進(jìn)行返工(rework)，以便提高產(chǎn)品的良率，給制程帶來了極大的便利，能夠?qū)p失盡可能的降低，并避免了報廢情況發(fā)生。
[0030]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種晶圓位置傾斜的偵測方法，用于在判斷晶圓在接受烘烤時位置是否正確，包括: 放置晶圓于熱板上； 保持晶圓加熱一時間段，實時偵測并記錄在這一時間段中熱板上的最大溫度差； 比較在所述時間段中的最大溫度差是否超過設(shè)定值，若最大溫度差小于設(shè)定值，則所述晶圓傾斜。2.如權(quán)利要求1所述的晶圓位置傾斜的偵測方法，其特征在于，所述設(shè)定值為1°C。3.如權(quán)利要求2所述的晶圓位置傾斜的偵測方法，其特征在于，所述時間段為30s?60s。4.如權(quán)利要求3所述的晶圓位置傾斜的偵測方法，其特征在于，將在所述時間段中的最大溫度差是否超過設(shè)定值的比較結(jié)果傳送至IEMS系統(tǒng)。5.如權(quán)利要求4所述的晶圓位置傾斜的偵測方法，其特征在于，若所述時間段中的最大溫度差小于設(shè)定值，則IEMS系統(tǒng)將產(chǎn)品扣留；若所述時間段中的最大溫度差大于等于設(shè)定值，則晶圓位置正常，并確認(rèn)放行。6.如權(quán)利要求1所述的晶圓位置傾斜的偵測方法，其特征在于，所述最大溫度差為在所述時間段中偵測的溫度中最高溫度與最低溫度的差。7.如權(quán)利要求1所述的晶圓位置傾斜的偵測方法，其特征在于，所述熱板的溫度范圍是 90° ?150。。
【專利摘要】本發(fā)明揭示了一種晶圓位置傾斜的偵測方法，用于在判斷晶圓在接受烘烤時位置是否正確，包括：放置晶圓于熱板上；保持晶圓加熱一時間段，實時偵測并記錄在這一時間段中熱板上的最大溫度差；比較在所述時間段中的最大溫度差是否超過設(shè)定值，若最大溫度差小于設(shè)定值，則所述晶圓傾斜。本發(fā)明的方法快速有效，能夠直接的反映出晶圓位置是否正常，從而給制程帶來了便利。
【IPC分類】H01L21/66
【公開號】CN104952752
【申請?zhí)枴緾N201410123948
【發(fā)明人】王躍剛, 易旭東, 楊曉松, 吳剛
【申請人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司, 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
【公開日】2015年9月30日
【申請日】2014年3月28日