位于柵極310側(cè)壁表面的第二側(cè)墻620，同時(shí)形成填充滿所述第一凹槽的介質(zhì)層610。
[0084]所述無(wú)掩膜刻蝕工藝為干法刻蝕工藝，所述干法刻蝕工藝采用的刻蝕氣體包括CF4, CHF3> C3H4F4或C2H2F4中的一種或幾種含氟氣體。
[0085]本實(shí)施例中，在形成第二區(qū)域II上的柵極310兩側(cè)的側(cè)墻620的同時(shí)，形成第一區(qū)域I上相鄰存儲(chǔ)柵結(jié)構(gòu)之間的介質(zhì)層610，并且，所述介質(zhì)層610的沉積質(zhì)量較高，可以直接作為存儲(chǔ)柵結(jié)構(gòu)之間的隔離結(jié)構(gòu)。
[0086]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例，后續(xù)不需要將所述介質(zhì)層610去除，可以減少工藝步驟，并且，避免在去除介質(zhì)層過(guò)程中，對(duì)半導(dǎo)體襯底100以及存儲(chǔ)柵結(jié)構(gòu)造成的損傷。
[0087]請(qǐng)參考圖10，以所述第二側(cè)墻620為掩膜，對(duì)柵極310兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底100內(nèi)進(jìn)行第二重?fù)诫s離子注入，形成第二源漏極504。
[0088]本發(fā)明的實(shí)施例中，可以同時(shí)形成不同柵極310兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底100內(nèi)的第二源漏極504。
[0089]在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，根據(jù)第二區(qū)域II上形成的不同類型的晶體管，以及不同工作電壓的晶體管，分別調(diào)整第二重?fù)诫s離子注入的劑量和深度，形成各個(gè)晶體管各自不同的第二源漏極504。
[0090]在本發(fā)明的其他所述例中，后續(xù)還可以在所述柵極310以及第二源漏極504表面形成金屬硅化物層，以降低柵極310和第二源漏極504表面的接觸電阻。
[0091]綜上所述，本實(shí)施例中，在半導(dǎo)體襯底上形成襯墊層，所述襯墊層覆蓋存儲(chǔ)柵結(jié)構(gòu)和柵極結(jié)構(gòu)；在形成所述襯墊層之后，對(duì)所述襯墊層進(jìn)行刻蝕，去除存儲(chǔ)柵結(jié)構(gòu)頂部及第一凹槽上部分側(cè)壁表面的部分襯墊層，使第一凹槽的頂部寬度進(jìn)一步增加；然后再形成所述第二側(cè)墻材料層，并對(duì)所述側(cè)墻材料層進(jìn)行刻蝕，同時(shí)形成柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第二側(cè)墻以及填充滿第一凹槽的介質(zhì)層。所述襯墊層能夠改善所述第一凹槽的內(nèi)壁輪廓，使得第一凹槽的內(nèi)壁比較平滑，第一凹槽底部和側(cè)壁的銜接處呈弧狀，并且使所述第一凹槽頂部開口較大，有利于后續(xù)形成第二側(cè)墻材料的反應(yīng)物進(jìn)入所述第一凹槽內(nèi)，從而提高后續(xù)在所述第一凹槽內(nèi)形成的第二側(cè)墻材料層的質(zhì)量。
[0092]對(duì)所述襯墊層進(jìn)行刻蝕后，可以進(jìn)一步增加第一凹槽的頂部寬度，在沉積第二側(cè)墻材料層的過(guò)程中，使反應(yīng)氣體更容易進(jìn)入所述第一凹槽內(nèi)，從而可以在所述第一凹槽內(nèi)形成填充質(zhì)量較高的第二側(cè)墻材料層；刻蝕所述第二側(cè)墻材料層形成的介質(zhì)層可以直接作為相鄰存儲(chǔ)柵結(jié)構(gòu)之間的隔離結(jié)構(gòu)，并且所述介質(zhì)層與第二區(qū)域上的第二側(cè)墻同時(shí)形成，與現(xiàn)有技術(shù)相比，不需要再額外形成第一凹槽內(nèi)的介質(zhì)層，可以節(jié)約工藝步驟。
[0093]雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括: 提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域上形成有若干分立的存儲(chǔ)柵結(jié)構(gòu)，所述第二區(qū)域上形成有若干柵極結(jié)構(gòu)，所述存儲(chǔ)柵結(jié)構(gòu)包括位于半導(dǎo)體襯底表面的浮柵結(jié)構(gòu)、位于浮柵結(jié)構(gòu)表面的控制柵結(jié)構(gòu)、位于浮柵結(jié)構(gòu)和控制柵結(jié)構(gòu)側(cè)壁表面的第一側(cè)墻，相鄰存儲(chǔ)柵結(jié)構(gòu)之間具有第一凹槽，相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間具有第二凹槽，第一凹槽的寬度小于第二凹槽的寬度； 在半導(dǎo)體襯底上形成襯墊層，所述襯墊層覆蓋存儲(chǔ)柵結(jié)構(gòu)和柵極結(jié)構(gòu)； 刻蝕存儲(chǔ)柵結(jié)構(gòu)頂部及第一凹槽上部分側(cè)壁表面的部分襯墊層，使第一凹槽頂部寬度大于第一凹槽的底部寬度； 在所述襯墊層上形成第二側(cè)墻材料層，第一區(qū)域上的第二側(cè)墻材料層填充滿第一凹槽并覆蓋存儲(chǔ)柵結(jié)構(gòu)頂部，第二區(qū)域上的第二側(cè)墻材料層覆蓋第二凹槽的內(nèi)壁及柵極結(jié)構(gòu)的頂部表面； 采用無(wú)掩膜刻蝕工藝刻蝕所述第二側(cè)墻材料層，形成位于柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁表面的第二側(cè)墻，同時(shí)形成填充滿所述第一凹槽的介質(zhì)層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，刻蝕部分襯墊層之后，使第一凹槽的底部寬度為第一凹槽頂部寬度的50%?90%。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，刻蝕襯墊層所采用的刻蝕工藝為干法刻蝕工藝。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述干法刻蝕工藝為各向異性刻蝕工藝。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述干法刻蝕工藝為遠(yuǎn)端等離子體輔助干法刻蝕工藝。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述遠(yuǎn)端等離子體輔助干法刻蝕工藝采用的刻蝕氣體為NF3和NH3, NF3與NH3的流量比為1:20?5:1，刻蝕溫度為40攝氏度?80攝氏度，壓強(qiáng)為0.5托?50托。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成所述第二側(cè)墻材料層的方法為高深寬比填充工藝。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述高深寬比填充工藝采用的沉積氣體包括臭氧和正硅酸乙酯，正硅酸乙酯的流量為500毫克/分鐘?8000毫克/分鐘，臭氧的流量為5000標(biāo)準(zhǔn)暈升/分鐘?3000標(biāo)準(zhǔn)暈升/分鐘，壓強(qiáng)為300托?600托，反應(yīng)溫度為400攝氏度?600攝氏度。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述高深寬比填充工藝的沉積氣體還包括氮?dú)狻⒀鯕夂秃?，氮?dú)獾牧髁繛?000標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘?10000標(biāo)準(zhǔn)暈升/分鐘，氧氣的流量為O標(biāo)準(zhǔn)暈升/分鐘?5000標(biāo)準(zhǔn)暈升/分鐘，氦氣的流量為5000標(biāo)準(zhǔn)暈升/分鐘?20000標(biāo)準(zhǔn)暈升/分鐘。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第二側(cè)墻材料層的材料為氧化硅。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述襯墊層的材料為氧化硅。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成所述襯墊層的工藝為原子層沉積工藝、高密度等離子體沉積工藝或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述襯墊層的厚度為5nm ?25nm。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述浮柵結(jié)構(gòu)包括:位于所述半導(dǎo)體襯底表面的浮柵介質(zhì)層和位于所述浮柵介質(zhì)層表面的浮柵極，所述控制柵結(jié)構(gòu)包括:位于浮柵極表面的控制柵介質(zhì)層和位于控制柵介質(zhì)層表面的控制柵極。15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底還包括位于存儲(chǔ)柵結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)的第一源漏極。16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，還包括:在形成所述第二側(cè)墻之后，在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成第二源漏極。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，還包括:在所述第二源漏極表面以及柵極結(jié)構(gòu)表面形成金屬硅化物層。
【專利摘要】一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域上形成有若干分立的存儲(chǔ)柵結(jié)構(gòu)，所述第二區(qū)域上形成有若干柵極結(jié)構(gòu)，相鄰存儲(chǔ)柵結(jié)構(gòu)之間具有第一凹槽，相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間具有第二凹槽，第一凹槽的寬度小于第二凹槽的寬度；在半導(dǎo)體襯底上形成襯墊層；刻蝕襯墊層，使第一凹槽頂部寬度大于第一凹槽的底部寬度；在所述襯墊層上形成第二側(cè)墻材料層；刻蝕所述第二側(cè)墻材料層，形成位于柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁表面的第二側(cè)墻，同時(shí)形成填充滿所述第一凹槽的介質(zhì)層。上述方法可以簡(jiǎn)化半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成工藝。
【IPC分類】H01L21/8247, H01L21/28
【公開號(hào)】CN104952803
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410114617
【發(fā)明人】陳超, 楊蕓, 李紹彬
【申請(qǐng)人】中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
【公開日】2015年9月30日
【申請(qǐng)日】2014年3月25日