電荷隨著時間的流逝而逃逸，從而提高了測試的準(zhǔn)確性。同時，通過所述電容鎖定的電荷，其數(shù)量及精度也更加高，從而進(jìn)行晶圓電荷測試時，可以實現(xiàn)更高精度的測試，通?？梢詼y試I O-12V級的電荷。
[0031]易知的，在圖2所示的晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，可形成多種其他具體結(jié)構(gòu)的晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)。例如，所述介質(zhì)層中還可以形成多個接觸孔結(jié)構(gòu)等。
[0032]進(jìn)一步的，請參考圖3，其為本發(fā)明實施例的晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)的另一示意圖。圖3示出了一種晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)，其與現(xiàn)有的集成電路工藝有更好的融合性，由此，在工藝實現(xiàn)上更加簡便可行。
[0033]具體的，請參考圖3，所述晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)包括:介質(zhì)層30，所述介質(zhì)層30的材料可以是氧化硅也可以是氮化硅等；位于介質(zhì)層30下表面的金屬線31，所述金屬線31可以是銅金屬線也可以是鋁金屬線；位于介質(zhì)層30中的TaN層32 ;所述金屬線31與所述TaN層32通過一介質(zhì)隔離結(jié)構(gòu)33予以隔離，其中，所述介質(zhì)隔離結(jié)構(gòu)33的材料可以是氧化硅也可以是氮化硅等，即所述介質(zhì)隔離結(jié)構(gòu)33可以由所述介質(zhì)層30予以實現(xiàn)。由此，便可在所述介質(zhì)層30中形成一電容，所述電容包括由金屬線31形成的下金屬電極、由TaN層32形成的上金屬電極以及位于金屬線31和TaN層32 (即上金屬電極和下金屬電極)之間的介質(zhì)隔離結(jié)構(gòu)33。
[0034]在本申請實施例中，所述介質(zhì)層30中還形成有多個接觸孔34，所述多個接觸孔34中填充有金屬鋁。具體的，部分接觸孔34與TaN層32 (即上金屬電極)連接，部分接觸孔34與金屬線31 (即下金屬電極)，通過所述接觸孔34，所述上金屬電極和下金屬電極能夠連接至介質(zhì)層30的表面，從而易于接收介質(zhì)層30表面的電荷。
[0035]在本申請實施例中，還包括Ti層和TiN層(即通常所說的Ti/TiN層)35，所述Ti/TiN層35覆蓋介質(zhì)層30的上表面及接觸孔34的表面。通過所述Ti/TiN層35能夠保護(hù)其下的介質(zhì)層30和接觸孔34，從而使得所述晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)能夠被反復(fù)利用。
[0036]相應(yīng)的，本實施例還提供一種晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)的形成方法，具體包括:提供介質(zhì)層；在所述介質(zhì)層中形成一個或者多個電容，每個電容用以存儲電荷以進(jìn)行晶圓電荷測試，具體的，可通過刻蝕、淀積等工藝在所述介質(zhì)層中形成兩層金屬層，所述兩層金屬層分別為電容的上金屬電極和下金屬電極。接著，在所述介質(zhì)層中形成多個接觸孔，在每個接觸孔中填充有金屬鋁。其中，部分接觸孔連接上金屬電極，部分接觸孔連接下金屬電極。接著，在所述介質(zhì)層及接觸孔表面形成Ti層和TiN層。其中，為了防止通過所述Ti層和TiN層使得所述上金屬電極和下金屬電極短路，可以通過如下工藝形成Ti層和TiN層(可適應(yīng)性參考圖3):首先，在接觸孔表面形成第一 Ti層和TiN層；接著，形成一附加介質(zhì)層，所述附加介質(zhì)層覆蓋介質(zhì)層及接觸孔表面；在所述附加介質(zhì)層表面形成第二 Ti層和TiN層；刻蝕所述第二 Ti層和TiN層和附加介質(zhì)層，暴露出第一 Ti層和TiN層。由此，各接觸孔表面的Ti層和TiN層通過附加介質(zhì)層予以隔離開，從而避免了上金屬電極和下金屬電極短路；同時，又通過Ti層和TiN層對介質(zhì)層及接觸孔都做了很好的保護(hù)，從而使得所述晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)能夠被反復(fù)利用。
[0037]綜上可見，在本發(fā)明實施例提供的晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)及其形成方法中，通過形成于介質(zhì)層中的一個或者多個電容鎖定電荷以進(jìn)行晶圓電荷測試，由于電容對于電荷的鎖定能力非常強，特別的，相對于氧化層或者其他介質(zhì)層表面的鎖定能力要強得多，由此，避免/緩解了電荷隨著時間的流逝而逃逸，從而提高了測試的準(zhǔn)確性。
[0038]上述描述僅是對本發(fā)明較佳實施例的描述，并非對本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項】
1.一種晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括:介質(zhì)層及形成于所述介質(zhì)層中的一個或者多個電容，每個電容用以存儲電荷以進(jìn)行晶圓電荷測試。2.如權(quán)利要求1所述的晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括形成于所述介質(zhì)層上的Ti層和TiN層。3.如權(quán)利要求2所述的晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，每個電容包括上金屬電極、下金屬電極及位于上金屬電極和下金屬電極之間的介質(zhì)隔離結(jié)構(gòu)，其中，所述上金屬電極靠近所述Ti層和TiN層。4.如權(quán)利要求3所述的晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述上金屬電極為TaN層。5.如權(quán)利要求3所述的晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述下金屬電極為銅金屬線或者鋁金屬線。6.如權(quán)利要求3所述的晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述介質(zhì)隔離結(jié)構(gòu)為氧化娃層。7.如權(quán)利要求1?6中任一項所述的晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述介質(zhì)層中還形成有多個接觸孔，所述多個接觸孔中填充有金屬鋁。8.如權(quán)利要求1?6中任一項所述的晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述介質(zhì)層的材料為氧化硅。9.一種晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括:提供介質(zhì)層；在所述介質(zhì)層中形成一個或者多個電容，每個電容用以存儲電荷以進(jìn)行晶圓電荷測試。10.如權(quán)利要求9所述的晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述介質(zhì)層中形成一個或者多個電容之后，還包括: 在所述介質(zhì)層中形成多個接觸孔，在每個接觸孔中填充金屬鋁。11.如權(quán)利要求10所述的晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述介質(zhì)層中形成多個接觸孔，在每個接觸孔中填充金屬鋁之后，還包括: 在所述介質(zhì)層及接觸孔表面形成Ti層和TiN層，其中，每個接觸孔表面的Ti層和TiN層相互隔離。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中，所述晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)包括：介質(zhì)層及形成于所述介質(zhì)層中的一個或者多個電容，每個電容用以存儲電荷以進(jìn)行晶圓電荷測試。所述晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)的形成方法包括：提供介質(zhì)層；在所述介質(zhì)層中形成一個或者多個電容，每個電容用以存儲電荷以進(jìn)行晶圓電荷測試。通過形成于介質(zhì)層中的一個或者多個電容鎖定電荷以進(jìn)行晶圓電荷測試，由于電容對于電荷的鎖定能力非常強，特別的，相對于氧化層或者其他介質(zhì)層表面的鎖定能力要強得多，由此，避免/緩解了電荷隨著時間的流逝而逃逸，從而提高了測試的準(zhǔn)確性。
【IPC分類】H01L23/544, H01L21/66, G01R31/26
【公開號】CN104952847
【申請?zhí)枴緾N201410124015
【發(fā)明人】傅俊, 陸志卿
【申請人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
【公開日】2015年9月30日
【申請日】2014年3月28日