發(fā)光結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明有關(guān)于一種發(fā)光結(jié)構(gòu)，尤指一種用于提升不同色溫的多個(gè)發(fā)光二極管之間的混光效果的發(fā)光結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]關(guān)于發(fā)光二極管(LED)與傳統(tǒng)光源的比較,發(fā)光二極管具有體積小、省電、發(fā)光效率佳、壽命長(zhǎng)、操作反應(yīng)速度快、且無熱輻射與水銀等有毒物質(zhì)的污染等優(yōu)點(diǎn)。因此近幾年來，發(fā)光二極管的應(yīng)用面已愈來愈廣泛。然而，現(xiàn)有技術(shù)仍然無法提升不同色溫的多個(gè)發(fā)光二極管之間的混光效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明實(shí)施例在于提供一種的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其可用于提升不同色溫的多個(gè)發(fā)光二極管之間的混光效果。
[0004]本發(fā)明其中一實(shí)施例所提供的一種發(fā)光結(jié)構(gòu)，其包括:一基板及一發(fā)光單兀。所述基板具有至少一呈蜿蜒狀的第一導(dǎo)電軌跡及至少一呈蜿蜒狀的第二導(dǎo)電軌跡，其中至少一所述第一導(dǎo)電軌跡具有多個(gè)第一芯片置放區(qū)域，每一個(gè)所述第一芯片置放區(qū)域具有至少兩個(gè)第一芯片置放線路，至少一所述第二導(dǎo)電軌跡具有多個(gè)第二芯片置放區(qū)域，每一個(gè)所述第二芯片置放區(qū)域具有至少兩個(gè)第二芯片置放線路。所述發(fā)光單元包括多個(gè)第一發(fā)光群組及多個(gè)第二發(fā)光群組，其中每一個(gè)所述第一發(fā)光群組包括一或多個(gè)第一發(fā)光二極管芯片，每一個(gè)所述第二發(fā)光群組包括一或多個(gè)第二發(fā)光二極管芯片。其中，每一個(gè)所述第一發(fā)光群組的一或多個(gè)所述第一發(fā)光二極管芯片設(shè)置在相對(duì)應(yīng)的所述第一芯片置放區(qū)域的同一個(gè)所述第一芯片置放線路上，且每一個(gè)所述第二發(fā)光群組的一或多個(gè)所述第二發(fā)光二極管芯片設(shè)置在相對(duì)應(yīng)的所述第二芯片置放區(qū)域的同一個(gè)所述第二芯片置放線路上。其中，多個(gè)所述第一芯片置放區(qū)域及多個(gè)所述第二芯片置放區(qū)域相互交替間隔排列，使得多個(gè)所述第一發(fā)光群組及多個(gè)所述第二發(fā)光群組相互交替間隔排列。
[0005]本發(fā)明的有益效果可以在于，本發(fā)明實(shí)施例所提供的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其可通過“每一個(gè)所述第一發(fā)光群組的一或多個(gè)所述第一發(fā)光二極管芯片設(shè)置在相對(duì)應(yīng)的所述第一芯片置放區(qū)域的同一個(gè)所述第一芯片置放線路上，且每一個(gè)所述第二發(fā)光群組的一或多個(gè)所述第二發(fā)光二極管芯片設(shè)置在相對(duì)應(yīng)的所述第二芯片置放區(qū)域的同一個(gè)所述第二芯片置放線路上”及“多個(gè)所述第一芯片置放區(qū)域及多個(gè)所述第二芯片置放區(qū)域相互交替間隔排列，使得多個(gè)所述第一發(fā)光群組及多個(gè)所述第二發(fā)光群組相互交替間隔排列”的設(shè)計(jì)，以提升不同色溫的多個(gè)第一發(fā)光群組及多個(gè)第二發(fā)光群組之間的混光效果。
[0006]為使能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而所附圖式僅提供參考與說明用，并非用來對(duì)本發(fā)明加以限制者。
【附圖說明】
[0007]圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
[0008]圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光結(jié)構(gòu)使用空氣層作為熱阻結(jié)構(gòu)的部分側(cè)視剖面示意圖。
[0009]圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光結(jié)構(gòu)使用高熱阻材料層作為熱阻結(jié)構(gòu)的部分側(cè)視剖面示意圖。
[0010]圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例的多個(gè)第一、二發(fā)光二極管芯片呈現(xiàn)近圓形布局排列的上視示意圖。
[0011]圖5為本發(fā)明第一實(shí)施例的多個(gè)第一、二發(fā)光二極管芯片呈現(xiàn)正圓形布局排列的上視示意圖。
[0012]圖6為本發(fā)明第一實(shí)施例將第一發(fā)光二極管芯片偏移到正圓軌跡上的另外一種方式的示意圖。
[0013]圖7為本發(fā)明第一實(shí)施例的第一、二芯片置放線路呈現(xiàn)直立狀設(shè)計(jì)且多個(gè)第一、二發(fā)光二極管芯片呈現(xiàn)近圓形布局排列的上視示意圖。
[0014]圖8為本發(fā)明第一實(shí)施例搭配兩組以上各別獨(dú)立的發(fā)光結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
[0015]圖9為本發(fā)明第一實(shí)施例搭配兩組以上彼此并聯(lián)的發(fā)光結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
[0016]圖10為本發(fā)明第二實(shí)施例的發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)視剖面示意圖。
[0017]圖11為本發(fā)明第三實(shí)施例的發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)視剖面示意圖。
[0018]圖12為本發(fā)明第四實(shí)施例的發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)視剖面示意圖。
[0019]圖13為本發(fā)明第五實(shí)施例的發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)視剖面示意圖。
[0020]圖14為本發(fā)明第六實(shí)施例的發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)視剖面示意圖。
[0021]圖15為本發(fā)明第七實(shí)施例的發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)視剖面示意圖。
[0022]圖16為本發(fā)明第八實(shí)施例的發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)視剖面示意圖。
[0023]圖17為本發(fā)明第九實(shí)施例采用邊框膠體的上視示意圖。
[0024]圖18為本發(fā)明第九實(shí)施例的發(fā)光結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
[0025]圖19為本發(fā)明第十實(shí)施例采用邊框膠體的上視示意圖。
[0026]圖20為本發(fā)明第十實(shí)施例的發(fā)光結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
[0027]其中，附圖標(biāo)記說明如下:
[0028]基板I第一導(dǎo)電軌跡 11
[0029]第一芯片置放區(qū)域110
[0030]第一芯片置放線路1100
[0031]偏移路徑11000
[0032]增寬線路段11000’
[0033]第二導(dǎo)電軌跡12
[0034]第二芯片置放區(qū)域120
[0035]第二芯片置放線路1200
[0036]第一正電極焊墊 Pl
[0037]第一負(fù)電極焊墊 NI
[0038]第二正電極焊墊 P2
[0039]第二負(fù)電極焊墊 N2
[0040]第一導(dǎo)通孔Vl
[0041]第二導(dǎo)通孔V2
[0042]背面第一導(dǎo)電線路Cl
[0043]背面第二導(dǎo)電線路C2
[0044]容置槽13
[0045]吸光涂層14
[0046]空氣層15
[0047]高熱阻材料層15’
[0048]導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)單元IA
[0049]第一散熱結(jié)構(gòu)IlA
[0050]第二散熱結(jié)構(gòu)12A
[0051]均熱結(jié)構(gòu)單元IB
[0052]導(dǎo)熱通道1B
[0053]穿孔100B
[0054]導(dǎo)熱材料1lB
[0055]復(fù)合式散熱結(jié)構(gòu)層 IAB
[0056]發(fā)光單兀2第一發(fā)光群組 Gl
[0057]第一LED 元件21
[0058]第一發(fā)光二極管芯片210、210’、210’’
[0059]正極焊墊21P
[0060]負(fù)極焊墊210N
[0061]第一發(fā)光群組G2
[0062]第二LED 元件22
[0063]第二發(fā)光二極管芯片220、220’、220’’
[0064]正極焊墊220P
[0065]負(fù)極焊墊220N
[0066]排列間距d
[0067]電子零件3
[0068]邊框膠體4外框部 40
[0069]連接部41
[0070]限位空間400
[0071]第一限位空間401
[0072]第二限位空間402
[0073]封裝膠體5第一突光膠 51
[0074]第二熒光膠52
[0075]正圓軌跡T
[0076]散熱區(qū)域X、Y、Z
[0077]間距A、B、C
[0078]體積密度D1、D2、D3
[0079]尺寸S1、S2、S3
[0080]第一預(yù)定方向W1、W1’
[0081]第二預(yù)定方向W2、W2’
【具體實(shí)施方式】
[0082]〔第一實(shí)施例〕
[0083]請(qǐng)參閱圖1及圖2所示，本發(fā)明第一實(shí)施例提供一種發(fā)光結(jié)構(gòu)，其包括:一基板I及一發(fā)光單兀2。
[0084]首先，如圖1所示，基板I的上表面具有至少一呈蜿蜒狀的第一導(dǎo)電軌跡11及至少一呈蜿蜒狀的第二導(dǎo)電軌跡12。其中，至少一第一導(dǎo)電軌跡11具有多個(gè)第一芯片置放區(qū)域110，至少一第二導(dǎo)電軌跡12具有多個(gè)第二芯片置放區(qū)域120，且多個(gè)第一芯片置放區(qū)域110及多個(gè)第二芯片置放區(qū)域120以相互交替的方式間隔排列。另外，每一個(gè)第一芯片置放區(qū)域110具有至少兩個(gè)彼此鄰近且串聯(lián)的第一芯片置放線路1100，且每一個(gè)第二芯片置放區(qū)域120具有至少兩個(gè)彼此鄰近且串聯(lián)的第二芯片置放線路1200。舉例來說，如同圖1所示，第一導(dǎo)電軌跡11及第二導(dǎo)電軌跡12的蜿蜒狀會(huì)類似由多個(gè)S形串聯(lián)所組成。呈蜿蜒狀的第一導(dǎo)電軌跡11及呈蜿蜒狀的第二導(dǎo)電軌跡12會(huì)以像兩手的手指互插但不接觸的方式相互緊靠，使得第一導(dǎo)電軌跡11及第二導(dǎo)電軌跡12會(huì)呈現(xiàn)彼此互相交錯(cuò)的線路設(shè)計(jì)。另外，多個(gè)第一芯片置放線路1100及多個(gè)第二芯片置放線路1200可以采用彼此平行的方式來布局，但本發(fā)明不以此為限。
[0085]更進(jìn)一步來說，如圖1所示，第一導(dǎo)電軌跡11的兩相反末端可分別連接至第一正電極焊墊Pl及第一負(fù)電極焊墊NI，且第二導(dǎo)電軌跡12的兩相反末端可分別連接至第二正電極焊墊P2及第二負(fù)電極焊墊N2。舉例來說，第一正電極焊墊Pl及第二正電極焊墊P2可以彼此相鄰且靠近基板I在同一對(duì)角線上的其中一對(duì)角處，且第一負(fù)電極焊墊NI及第二負(fù)電極焊墊N2可以彼此相鄰且靠近基板I在同一對(duì)角線上的另外一對(duì)角處，所以“第一導(dǎo)電軌跡11從第一正電極焊墊Pl延伸至第一負(fù)電極焊墊NI的蜿蜒軌跡的橫向?qū)挾取奔啊暗诙?dǎo)電軌跡12從第二正電極焊墊P2延伸至第二負(fù)電極焊墊N2的蜿蜒軌跡的橫向?qū)挾取倍紩?huì)沿著基板I的同一對(duì)角線來形成“從窄漸漸變寬，再?gòu)膶挐u漸變窄”的變化，藉此以提升第一導(dǎo)電軌跡11及第二導(dǎo)電軌跡12的布線面積。
[0086]再者，配合圖1及圖2所示，發(fā)光單元2