半導體封裝件的制法及其所用的支撐件的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導體封裝件的制法，尤指一種能提升制程可靠度的半導體封裝件的制法及其所用的支撐件。
【背景技術】
[0002]隨著電子產業(yè)的蓬勃發(fā)展，電子產品也逐漸邁向多功能、高性能的趨勢。為了滿足半導體封裝件微型化(miniaturizat1n)的封裝需求,發(fā)展出扇出(fan out)型封裝的技術。
[0003]如圖1A至圖1E，其為現有扇出型半導體封裝件的制法的剖面示意圖。
[0004]如圖1A所示，提供一承載件10，且該承載件10上具有粘著層101。接著，置放多個半導體組件12于該粘著層101上，該些半導體組件12具有相對的主動面12a與非主動面12b，各該主動面12a上均具有多個電極墊120，且各該主動面12a粘著于該粘著層101上。
[0005]由于受限于機臺設計，所以無法將該些半導體組件12布設于該承載件10的邊緣1a (即該承載件10的周圍區(qū)域上沒有該半導體組件12)，因而使最外側的該半導體組件12與該承載件10的邊緣1a之間產生高低差h。此外，于各該半導體組件12之間也會產生高度差d。
[0006]如圖1B所示，形成一絕緣層13于該粘著層101上，以包覆該半導體組件12，且因該高低差d，h的緣故，該絕緣層13產生多個凹陷處130，130’。
[0007]如圖1C所示，壓合一壓合件11于該絕緣層13上，使該絕緣層13往外流(即向該承載件10的邊緣1a流動)，以壓密該絕緣層13。
[0008]如圖1D所示，熱固該絕緣層13后，再移除該承載件10及粘著層101，以外露該半導體組件12的主動面12a。
[0009]如圖1E所示,進行線路重布層(Redistribut1n layer, RDL)制程,通過形成一線路重布結構14于該絕緣層13與該半導體組件12的主動面12a上，令該線路重布結構14電性連接該半導體組件12的電極墊120。
[0010]接著，形成一絕緣保護層15于該線路重布結構14上，且該絕緣保護層15外露該線路重布結構14的部分表面，以供結合如焊錫凸塊的導電組件16。之后，移除該壓合件11，再進行切單制程。
[0011]然而，現有半導體封裝件的制法中，于進行壓合制程時，會因該高低差h的緣故，而造成總厚度變化(Total Thickness Variat1n, TTV)的增加,所以于后續(xù)移除該承載件10后而進行RDL制程時，于熱固該絕緣層13后，該壓合件11與該承載件10之間的縫隙“即該凹陷處130)會增大，而造成該壓合件11脫落(Peeling)，且制程用的溶劑容易沿該縫隙t進入該絕緣層13的表面并殘留于該縫隙t中，也會造成該壓合件11脫落(Peeling)，如圖1D所示，致使制程良率不佳。
[0012]此外，因各該半導體組件12之間的高度差d，所以于壓合制程后，該絕緣層13的表面會產生格子狀，即凹痕(dent)現象(即該凹陷處130’)，致使該壓合件11與該絕緣層13之間會產生氣泡(void)現象，造成后續(xù)進行RDL制程時，該壓合件11脫落。
[0013]因此，如何克服上述現有技術的問題，實已成目前亟欲解決的課題。
【發(fā)明內容】
[0014]鑒于上述現有技術的種種缺失，本發(fā)明的目的為提供一種半導體封裝件的制法及其所用的支撐件，以提升該絕緣層的第二表面的平整性。
[0015]本發(fā)明的半導體封裝件的制法，包括:提供一封裝體，其具有絕緣層及嵌埋于該絕緣層中的至少一半導體組件，該半導體組件具有相對的主動面與非主動面，且該絕緣層具有相對的第一表面與第二表面，該第一表面與該主動面同側，而該絕緣層的第二表面形成有至少一凹陷處；形成填補材于該凹陷處中；以及形成線路重布結構于該半導體組件與該絕緣層上。
[0016]前述的制法中，該封裝體設于一承載件上，且該半導體組件的主動面與該絕緣層的第一表面結合于該承載件上，以于形成該填補材之后，移除該承載件。
[0017]前述的制法中，該凹陷處位于該絕緣層的第二表面的邊緣；或者，該凹陷處位于至少二該半導體組件之間。
[0018]前述的制法中，該填補材為塊狀或膠狀。
[0019]前述的制法中，形成該填補材的制程，包括:提供一具有該填補材的支撐板；以及結合該支撐板于該絕緣層的第二表面上，使該填補材位于該凹陷處中。例如，該填補材與該支撐板為一體成形；或者，該填補材為置放于該支撐板上的構件。又，該填補材藉由結合層固定于該凹陷處中。
[0020]前述的制法中，該線路重布結構設于該半導體組件的主動面與該絕緣層的第一表面上。
[0021]前述的制法中，還包括形成絕緣保護層于該線路重布結構上，且該絕緣保護層具有多個外露該線路重布結構的開孔。
[0022]前述的制法中，還包括于形成線路重布結構后，進行切單制程。例如，于切單制程時，一并移除該絕緣層具有該凹陷處的部分；或者，該切單制程以對應該凹陷處的位置作為切割路徑。
[0023]另外，本發(fā)明還提供一種支撐件，包括:支撐板；以及填補材，其設于該支撐板上。
[0024]前述的支撐件中，該填補材與該支撐板為一體成形；或者，該填補材為置放于該支撐板上的構件。
[0025]前述的支撐件中，該填補材位于該支撐板的邊緣；或者，該填補材位于該支撐板中間處。
[0026]前述的支撐件中，該填補材為塊狀或膠狀。
[0027]前述的支撐件中，還包括結合層，設于該支撐板與該填補材上。
[0028]由上可知，本發(fā)明的半導體封裝件的制法，藉由該填補材填入該凹陷處，以填補該絕緣層的第二表面的凹陷處。因此，于進行壓合制程時，總厚度變化不會增加，且能避免發(fā)生氣泡現象，所以于后續(xù)進行RDL制程時，能避免發(fā)生脫層現象，且制程用的溶劑不會進入該絕緣層的任何表面，也能避免發(fā)生脫層現象，因而能有效提升制程良率。
【附圖說明】
[0029]圖1A至圖1E為現有半導體封裝件的制法的剖視示意圖；
[0030]圖2A至圖2F為本發(fā)明的半導體封裝件的制法的剖視示意圖；其中，圖2F’為圖2F的另一方法；以及
[0031]圖3A、圖3A’、圖3A”、圖3B及圖3C為本發(fā)明的支撐件的不同實施例的剖視示意圖。
[0032]符號說明
[0033]10, 20 承載件
[0034]10a, 29c 邊緣
[0035]101, 201 粘著層
[0036]11壓合件
[0037]12，22 半導體組件
[0038]12a, 22a 主動面
[0039]12b, 22b 非主動面
[0040]120，220 電極墊
[0041]13，23 絕緣層
[0042]130，130’，230，230’ 凹陷處
[0043]14，24 線路重布結構
[0044]15，25 絕緣保護層
[0045]16, 26 導電組件
[0046]2半導體封裝件
[0047]2a封裝體
[0048]200 載板
[0049]21支撐板
[0050]210，210，，310，310，，310” 填補材
[0051]211 結合層
[0052]23a 第一表面
[0053]23b 第二表面
[0054]240 介電層
[0055]241 線路層
[0056]3，3’，3” 支撐件
[0057]h, d 高低差
[0058]L水平假想線
[0059]S，S’ 切割路徑
[0060]t縫隙。
【具體實施方式】
[0061]以下藉由特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭示的內容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點及功效。
[0062]須知，本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等，均僅用于配合說明書所揭示的內容，以供本領域技術人員的了解與閱讀，并非用于限定本發(fā)明可實施的限定條件，所以不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關系的改變或大小的調整，在不影響本發(fā)明所能產生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本發(fā)明所揭示的技術內容得能涵蓋的范圍內。同時，本說明書中所引用的如“上”、“第一”、“第二”及“一”等用語，也僅為便于敘述的明了，而非用于限定本發(fā)明可實施的范圍，其相對關系的改變或調整，在無實質變更技術內容下，當也視為本發(fā)明可實施的范疇。
[0063]圖2A至圖2F為本發(fā)明的半導體封裝件2的制法的剖面示意圖。
[0064]如圖2A所示，提供一承載件20，且設置多個半導體組件22于該承載件20上。
[0065]于本實施例中，該承載件20的尺寸可依需求選擇晶圓型基板(Wafer formsubstrate)或一般面板型基板(Panel form substrate),且該承載件20可包括一材質為玻璃、金屬、陶瓷或半導體晶圓的載板200，而該載板200上依序形成有一離型層(圖略)與一粘著層201。
[0066]此外,每一該半導體組件22具有相對的主動面22a與非主動面22b，該主動面22a上具有多個電極墊220，且該主動面22a接至該承載件20的粘著層201上。
[0067]如圖2B所示，形成一絕緣層23于該承載件20的粘著層201與半導體組件22上，以形成封裝體2a，且該半導體組件22嵌埋于該絕緣層23中。
[0068]于本實施例中，該絕緣層23具有相對的第一表面23a與第二表面23b，該絕緣層23的第二表面23b形成有多個凹陷處230，230’。