靜電放電保護結(jié)構(gòu)310、320的第一區(qū)316、326和第二區(qū)318、328的區(qū)邊界處的交替pn結(jié)形成的二極管的數(shù)目可以是相同的。換句話說，第一和第二靜電放電保護結(jié)構(gòu)310、320可以是被并聯(lián)電連接并且具有相同數(shù)目的二極管的二極管鏈。結(jié)果，第一和第二靜電放電保護結(jié)構(gòu)310、320的電擊穿電壓是相同的。由于與第二靜電放電保護結(jié)構(gòu)320并聯(lián)連接的第一靜電放電保護結(jié)構(gòu)310的提供，柵極與源極之間的柵極電介質(zhì)被第一和第二靜電放電保護結(jié)構(gòu)310、320兩者保護免于受到柵極接觸區(qū)域500與源極接觸區(qū)域700之間的靜電放電事件損壞。
[0035]電接觸結(jié)構(gòu)600可以被布置在柵極接觸區(qū)域500與半導(dǎo)體基體100之間的重疊區(qū)域中，其中電接觸結(jié)構(gòu)600被電耦合到第一靜電放電保護結(jié)構(gòu)310的第二端子314并且與柵極接觸區(qū)域500電隔離。因此，第一靜電放電保護結(jié)構(gòu)310的至少第二端子314可以被布置在柵極接觸區(qū)域500下面。第一靜電放電保護結(jié)構(gòu)310的至少25%可以被布置在柵極接觸區(qū)域500與第一隔離層200之間的重疊區(qū)域中。依據(jù)實施例，包括第一和第二靜電放電保護結(jié)構(gòu)310、320的多晶硅層300的至少25%可以被布置在柵極接觸區(qū)域500與第一隔離層200之間的重疊區(qū)域中。
[0036]通過在柵極接觸區(qū)域500與第一隔離層200之間的重疊區(qū)域中提供第一靜電放電保護結(jié)構(gòu)310，附加的靜電放電保護元件在沒有半導(dǎo)體器件10的芯片表面的附加面積消耗的情況下能夠被集成在半導(dǎo)體器件10中。此外，通過提供經(jīng)由接觸塞子520與柵極接觸區(qū)域500并聯(lián)連接的第一靜電放電保護結(jié)構(gòu)310和第二靜電放電保護結(jié)構(gòu)320兩者，半導(dǎo)體器件10的ESD保護能力能夠被增強。在實施例中，第一靜電放電保護結(jié)構(gòu)310的至少80%(沒有第二靜電放電保護結(jié)構(gòu)320)可以被布置在柵極接觸區(qū)域500與第一隔離層200之間的重疊區(qū)域中。在另一個實施例中，第一靜電放電保護結(jié)構(gòu)310的至少70% (沒有第二靜電放電保護結(jié)構(gòu)320)可以被布置在柵極接觸區(qū)域500與第一隔離層200之間的重疊區(qū)域中。在又一個實施例中，第一靜電放電保護結(jié)構(gòu)310的至少60% (沒有第二靜電放電保護結(jié)構(gòu)320)可以被布置在柵極接觸區(qū)域500與第一隔離層200之間的重疊區(qū)域中。
[0037]如能夠從圖3A看到的，電接觸結(jié)構(gòu)600被布置在柵極接觸區(qū)域500的柵極墊530與半導(dǎo)體基體100之間的重疊區(qū)域中。因此，第一靜電放電保護結(jié)構(gòu)310的至少第二端子314可以被布置在柵極墊530下面。依據(jù)實施例，第一靜電放電保護結(jié)構(gòu)310的第二端子314可以被布置在柵極接觸區(qū)域500與半導(dǎo)體基體100之間的重疊區(qū)域中。結(jié)果，柵極墊530下面的空間被高效地用于靜電放電保護。
[0038]在實施例中，電接觸結(jié)構(gòu)600包含接觸塞子610，其延伸經(jīng)過第二隔離層400的第一電介質(zhì)層410和第二電介質(zhì)層420到包含第一靜電放電保護結(jié)構(gòu)310的第二端子314的多晶硅層300的頂表面。電接觸結(jié)構(gòu)600的接觸塞子610被第三電介質(zhì)層430覆蓋，所述第三電介質(zhì)層430提供柵極接觸區(qū)域500與接觸塞子610之間的電隔離。電接觸結(jié)構(gòu)600的接觸塞子610可以與柵極接觸區(qū)域500的接觸塞子520和源極接觸區(qū)域700的接觸塞子720同時形成。此外，電接觸結(jié)構(gòu)600、柵極接觸區(qū)域500和源極接觸區(qū)域700可以具有相同的導(dǎo)電材料。在實施例中，接觸塞子610、520和720可以由多晶硅材料形成。在另一個實施例中，接觸塞子610、520和720可以由金屬材料諸如例如鎢形成。
[0039]電接觸結(jié)構(gòu)600可以被電耦合到源極接觸區(qū)域700，其中這樣的電耦合可以通過將電接觸結(jié)構(gòu)600的接觸塞子610與源極接觸區(qū)域700的接觸塞子720連接的導(dǎo)電線來提供。電接觸結(jié)構(gòu)600的接觸塞子610可以在與如在圖2A和2B中示出的截面A-A’正交的方向上在橫向方向上延伸，因此第一靜電放電保護結(jié)構(gòu)310可以沿著由在圖2A和2B中虛線指示的邊沿部分500a被布置在柵極接觸區(qū)域500下面。邊沿部分500a可以包含與源極接觸區(qū)域700鄰近的柵極接觸區(qū)域500的完全邊沿部分，或柵極接觸區(qū)域500的僅部分，例如柵極接觸區(qū)域500的僅一個側(cè)面。柵極接觸區(qū)域500的邊沿部分500a的寬度可以在20Mm到100 Mm的范圍內(nèi)，柵極接觸區(qū)域500的寬度可以在100 Mm到1000 Mm的范圍內(nèi)。
[0040]圖3B是依據(jù)另一個實施例的半導(dǎo)體器件的部分的示意性橫截面視圖。與圖3A的實施例的特征類似的圖3B的實施例的那些特征將不再被描述并且對上面給出的細節(jié)進行參考。
[0041]如能夠從圖3B看到的，電接觸結(jié)構(gòu)600被電耦合到半導(dǎo)體基體100內(nèi)的半導(dǎo)體區(qū)130，其中半導(dǎo)體區(qū)130可以被電耦合到源極接觸區(qū)域700。半導(dǎo)體區(qū)130具有第二導(dǎo)電類型以向第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基體100提供pn結(jié)。圖3B的電接觸結(jié)構(gòu)600包括:第一接觸塞子620，其延伸經(jīng)過要與第一靜電放電保護結(jié)構(gòu)310的第二端子314電耦合的第二隔離層400的第一電介質(zhì)層410 ;第二接觸塞子640，其延伸經(jīng)過要與半導(dǎo)體區(qū)130電耦合的第一隔離層200和第二隔離層400的第一電介質(zhì)層410 ;以及將圖3B的電接觸結(jié)構(gòu)600的第一接觸塞子620與第二接觸塞子640電連接的橋接部分630。第一隔離層200包含:第一和第二靜電放電保護結(jié)構(gòu)310、320與半導(dǎo)體基體100之間的重疊區(qū)域內(nèi)的場氧化物；以及具有比柵極接觸區(qū)域500與半導(dǎo)體區(qū)130之間的重疊區(qū)域中的場氧化物更小厚度的柵極氧化物。電接觸結(jié)構(gòu)600的第二接觸塞子640也可以被布置在柵極墊530與半導(dǎo)體基體100之間的重疊區(qū)域中。通過提供被電耦合到半導(dǎo)體基體100的電接觸結(jié)構(gòu)600，第一靜電放電保護結(jié)構(gòu)310具有到半導(dǎo)體基體100的增強的熱耦合。
[0042]圖3C是依據(jù)又一個實施例的半導(dǎo)體器件10的部分的橫截面視圖。與圖3A和圖3B的實施例的特征類似的圖3C的實施例的特征將不再被描述并且對上面給出的細節(jié)進行參考。
[0043]如在圖3C中示出的，電接觸結(jié)構(gòu)600沿著垂直方向從第一靜電放電保護結(jié)構(gòu)310的第二端子314延伸經(jīng)過第一隔離層200到半導(dǎo)體基體100內(nèi)的半導(dǎo)體區(qū)130。第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)130被進一步嵌入在第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體阱區(qū)140內(nèi)。半導(dǎo)體區(qū)130的凈摻雜劑濃度可以大于半導(dǎo)體阱區(qū)140的凈摻雜劑濃度，例如是半導(dǎo)體阱區(qū)140的凈摻雜劑濃度的10到10000倍。半導(dǎo)體區(qū)130的凈摻雜劑濃度可以在I X 118 cm_3到5 x 10 20cm_3的范圍內(nèi)。半導(dǎo)體阱區(qū)140的凈摻雜劑濃度可以在I X 113 cm-3到I x 10 17 cm-3的范圍內(nèi)。
[0044]通過在第一和第二靜電放電保護結(jié)構(gòu)310、320與半導(dǎo)體基體100之間的重疊區(qū)域中提供半導(dǎo)體阱區(qū)140，靜電屏蔽通過半導(dǎo)體阱區(qū)140與半導(dǎo)體基體100之間的反向偏置pn結(jié)來提供。半導(dǎo)體阱區(qū)140也可以在第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基體100中提供與鄰近阱區(qū)的隔離。圖3C的電接觸結(jié)構(gòu)600包括:端子接觸部分660，其鄰接包含第一靜電放電保護結(jié)構(gòu)310的第二端子314的多晶硅層300的頂表面以及第二端子314的側(cè)面部分；以及接觸塞子650，其延伸經(jīng)過要與半導(dǎo)體基體100內(nèi)的半導(dǎo)體區(qū)130電耦合的第一隔離層200和第二隔離層400的第一電介質(zhì)層410。
[0045]圖3C的電接觸結(jié)構(gòu)600可以通過如下方式來形成:將第一電介質(zhì)層410和第一隔離層200圖樣化，使得半導(dǎo)體區(qū)130內(nèi)的第一表面101以及包含第二端子314的多晶硅層300的頂表面的部分被接觸孔暴露。此后，將暴露半導(dǎo)體區(qū)130和第二端子314的接觸孔通過沉積金屬層堆疊(例如T1、TiN、W)或多晶硅層或該組合來填充。通過金屬或多晶硅層的圖樣化，在圖3C中示出的電接觸結(jié)構(gòu)600被形成。此后，電接觸結(jié)構(gòu)600被第二隔離層400的第二電介質(zhì)層420覆蓋。
[0046]圖3D是依據(jù)又一個實施例的半導(dǎo)體器件10的部分的橫截面視圖。如能夠從圖3D看到的，第一隔離層200可以是柵極電介質(zhì)。第一和第二靜電放電保護結(jié)構(gòu)310、320被形成在薄的第一隔離層200上，這導(dǎo)致由于第一和第二靜電放電保護結(jié)構(gòu)310、320與半導(dǎo)體基體100之間的增強的熱耦合引起的減少的熱瞬態(tài)阻抗。柵極電介質(zhì)可以是具有在5nm到200nm范圍內(nèi)或在40nm到120nm范圍內(nèi)的厚度的氧化娃。
[0047]在圖3D的實施例中，電接觸結(jié)構(gòu)600包含:第一接觸塞子670，被電耦合到第一靜電放電保護結(jié)構(gòu)310的第二端子314 ;第二接觸塞子690，被電耦合到半導(dǎo)體區(qū)130 ;以及橋接