掩膜板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造的技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種掩膜板的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting D1des，0LED)是自發(fā)光器件，不需要背光源，外觀輕、薄，而傳統(tǒng)的液晶顯示器(LCD)需要背光源才能工作，外觀尺寸較厚。有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的功耗低，視角寬，屏幕響應(yīng)快，是最能符合人們未來對(duì)顯示器功能要求的技術(shù)。因此，有機(jī)發(fā)光二極管有望在不久的將來取代液晶顯示器，具有很高的市場(chǎng)潛力。
[0003]有機(jī)小分子發(fā)光二極管在制作過程中，目前較成熟的技術(shù)是采用真空蒸鍍技術(shù)，在器件制備過程中，有機(jī)材料會(huì)淀積在位于蒸發(fā)源上方的基板上，為形成特有的圖案，在基板下方緊貼有掩膜板，掩膜板上留有預(yù)先設(shè)計(jì)排版好的開口，最終有機(jī)材料會(huì)通過掩膜板上的開口區(qū)域，淀積到基板上面。
[0004]目前，掩膜板的制作過程一般需要曝光、顯影和刻蝕，由于刻蝕精準(zhǔn)度不高，且不可控，容易導(dǎo)致掩膜板的開口的位置和大小存在較大的偏差，使得到的掩膜板無法實(shí)現(xiàn)高分辨率顯示屏體的蒸鍍，限制了高像素顯示屏的發(fā)展。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]基于此，有必要針對(duì)上述問題，提供一種掩膜板的制作方法，該方法制作簡(jiǎn)單，且可以制作較薄且精密度較高的掩膜板。
[0006]一種掩膜板的制作方法，包括如下步驟:
[0007]在基板上形成消融材料層；
[0008]對(duì)具有所述消融材料層的所述基板進(jìn)行曝光、顯影，以在所述消融材料層形成具有開口的圖形區(qū)域；
[0009]在具有所述消融材料層的所述基板上形成金屬層；
[0010]去除所述消融材料層，以使所述消融材料層上的金屬層與所述基板分離，得到掩模板。
[0011]在其中一個(gè)實(shí)施例中，在基板上采用噴涂方法形成所述消融材料層。
[0012]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述消融材料層為光刻膠層。
[0013]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述消融材料層為光敏性聚酰亞胺。
[0014]在其中一個(gè)實(shí)施例中，采用激光燒蝕方法去除所述消融材料層。
[0015]在其中一個(gè)實(shí)施例中，在所述消融材料層上采用濺射或化學(xué)沉積方法形成所述金屬層。
[0016]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述金屬層的材料為鎳鐵合金、純鎳或因瓦合金。
[0017]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述圖形區(qū)域的所述開口的橫截面為梯形。
[0018]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述金屬層的厚度為6?10微米。
[0019]在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括將所述掩膜板固定在掩膜框架上。
[0020]上述掩膜板，由于無需采用刻蝕技術(shù)，生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單，生產(chǎn)成本較低，而且可以使得到的掩膜板精密度較高，從而可以使其滿足高像素顯示屏的要求。
【附圖說明】
[0021]圖1為本發(fā)明一實(shí)施例中掩膜板的制作方法的流程示意圖；
[0022]圖2A-2E為本發(fā)明一實(shí)施例中掩膜板制作過程中各步驟對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn)，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。
[0024]本發(fā)明提供一種掩膜板的制作方法，例如，一種蒸鍍掩膜板的制作方法，其包括如下步驟:在基板上形成消融材料層；對(duì)具有所述消融材料層的所述基板進(jìn)行曝光、顯影，以在所述消融材料層形成具有開口的圖形區(qū)域；在具有所述消融材料層的所述基板上形成金屬層；去除所述消融材料層，以使所述消融材料層上的金屬層與所述基板分離，得到掩模板。
[0025]請(qǐng)參閱圖1，其為本發(fā)明一實(shí)施例中掩膜板的制作方法的流程示意圖，該制作方法具體包括如下步驟:
[0026]SI 10、在基板上形成消融材料層。
[0027]具體地，請(qǐng)參閱圖2A，在干凈的透明基板100上，例如玻璃基板、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)等，通過噴涂、旋涂或印刷等方法在基板100上形成消融材料層200。例如，消融材料層的材料為具有分解脫離性質(zhì)的高分子材料，又如，消融材料層的材料為光刻膠，又如，消融材料層的材料為光敏性聚酰亞胺。
[0028]例如，消融材料層的厚度為10?20微米，又如，消融材料層的厚度為12?15微米。
[0029]S120、對(duì)具有所述消融材料層的所述基板進(jìn)行曝光、顯影，以在所述消融材料層形成具有開口的圖形區(qū)域。
[0030]具體地，請(qǐng)參閱圖2B，通過使用具有預(yù)定圖案的掩膜板，對(duì)消融材料層200進(jìn)行曝光、顯影，以在消融材料層200形成具有開口 210的圖形區(qū)域。例如，對(duì)具有所述消融材料的所述基板進(jìn)行曝光顯影，以去所述消融材料層形成具有開口的圖形區(qū)域，并露出部分所述基板。又如，通過形成有預(yù)定圖案的掩膜板對(duì)消融材料層進(jìn)行曝光，通過將曝光的消融材料層浸泡到顯影液中，對(duì)浸泡過的消融材料層進(jìn)行顯影，得到具有開口的圖形。又如，消融材料層采用具有正性光敏性質(zhì)的光學(xué)膠，即，經(jīng)過光照后形成易溶解的物質(zhì)，曝光光源從基板的一側(cè)照射。又如，消融材料采用具有負(fù)性光敏性質(zhì)的消融材料，即，經(jīng)過光照后形成難溶解的物質(zhì)，曝光光源從消融材料層的一側(cè)照射。
[0031]需要說明的是，開口 210的大小和形狀根據(jù)實(shí)際需求來確定。例如，開口 210為矩形、圓形、方形、多邊形或者其他特殊形狀。又如，開口為10 μ mX 10 μ m的正方形形狀，又如，開口為10μπιΧ20μπι的矩形形狀。
[0032]S130、在具有所述消融材料層的基板上形成金屬層。
[0033]具體地，請(qǐng)參閱圖2C，采用濺射或化學(xué)沉積的方法，在具有消融材料層200的基板上形成金屬層300。例如，在所述圖形區(qū)域所露出部分所述基板、以及所述消融材料層上形成金屬層，由于消融材料層具有開口，通過濺射或化學(xué)沉積的方法，使金屬層部分形成在消融材料層上，部分形成在基板上，換言之，在開口處的金屬層形成在基板上，而其他位置的金屬層形成于消融材料上，即形成于消融材料層上的金屬層也具有開口。
[0034]例如，金屬層的材料為鎳鐵合金、純鎳或因瓦合金。在本實(shí)施例中，金屬層的材料為invar36，其具有較低的熱膨脹系數(shù)及較好的塑形及韌性。
[0035]為了避免金屬層在消融材料層的端部出現(xiàn)粘連，以使金屬層獲得較好的開口圖形，例如，顯影后的所述消融材料層的所述開口的橫截面的形狀為梯形，也就是說，所述開口頂部的長度小于所述開口底部的長度，即，所述開口靠近所述基板的一端的長度大于遠(yuǎn)離所述基板一端的長度。又如，所述消融材料層的厚度大于所述金屬層的厚度。又如，所述消融材料層與所述金屬層的厚度之差為4?5微米，這樣，可以使金屬層較好地分布在基板及消融材料層上，避免金屬材料層在消融材料層的末端出現(xiàn)粘連，使金屬層獲得較好的開口圖形。
[0036]為了使得到的掩膜板滿足高像素顯示屏的要求，例如，金屬層的厚度為6 μπι?10 μπι，這樣，可以使得到的掩膜板厚度較小，以滿足高像素顯示屏的要求，同時(shí)也可以使得到的掩膜板具有較好的剛性。
[0037]S140、去除所述消融材料層，以使所述消融材料層上的金屬層與所述基板分離，得到掩模板。
[0038]具體地，請(qǐng)參閱圖2D，采用激光燒蝕的方法去除消融材料層，使金屬層與基板分離，得到掩模板400。通過去除消融材料，可以使位于消融材料層上的金屬層與基板分離，從而得到具有開口的金屬層