基板處理裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]這里公開的本發(fā)明涉及一種基板處理裝置，更具體地涉及一種防止由于處理氣體而在基板的后表面上形成處理膜的批量型基板處理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]用于制造半導(dǎo)體、平板顯示器、光伏電池等的基板處理裝置(熱處理裝置)可以是執(zhí)行基本熱處理過程以使在諸如硅片或玻璃基板的基板上沉積的預(yù)定薄膜結(jié)晶化及相變的裝置。一般來說，在制造液晶顯示器或薄膜結(jié)晶硅光伏電池的情況下，有硅結(jié)晶裝置用于將基板上沉積的非晶硅結(jié)晶成多晶硅。
[0003]為了執(zhí)行上述結(jié)晶化處理(熱處理過程)，需要能夠?qū)π纬捎蓄A(yù)定薄膜的基板加熱的熱處理裝置。例如，使非晶硅結(jié)晶所需的最低溫度為約550°C至約600°C。這里，熱處理可以指的是以期望的溫度即約350°C至約1300°C的溫度加熱物體或基板的處理。半導(dǎo)體基板上的熱處理可例如包括加熱處理、退火、摻雜材料的擴(kuò)散或驅(qū)使、化學(xué)沉積(即材料層的沉積或生長，例如化學(xué)氣相沉積)以及材料的蝕刻或移除。
[0004]一般來說，基板處理裝置可分為在一個基板上執(zhí)行熱處理的單晶片型基板處理裝置和在多個基板上執(zhí)行熱處理的批量型基板處理裝置。單晶片型基板處理裝置的優(yōu)點(diǎn)在于其結(jié)構(gòu)簡單。但是，單晶片型基板處理裝置的生產(chǎn)率會下降。由此，批量型基板處理裝置就受到重視。
[0005]批量型基板處理裝置包括基板加載晶舟(boat)，該基板加載晶舟用于將多個基板加載至腔室中以改善過程處理性能。在批量型基板處理裝置中，由于基板的邊緣在處理期間會局部安裝在溝槽內(nèi)，因此在薄膜形成處理期間會在支撐半導(dǎo)體基板的兩個表面和下部的晶舟或溝槽上形成用于半導(dǎo)體處理的膜。
[0006]由此，當(dāng)在完成用于制造半導(dǎo)體的薄膜形成處理之后卸載基板時，一體連接至基板和溝槽的膜會破裂。由此，當(dāng)膜破裂時，可能產(chǎn)生顆粒，并且基板的后表面上的機(jī)械應(yīng)力會大幅提高而導(dǎo)致基板彎曲。此外，由于半導(dǎo)體基板的后表面上的膜均勻度大幅低于前表面上的均勻度，因此在后續(xù)處理尤其是在光刻處理中會導(dǎo)致許多問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]技術(shù)問題
[0008]本發(fā)明提供了一種基板處理裝置，該基板處理裝置防止在基板的后表面上形成處理膜。
[0009]參閱如下的詳細(xì)說明以及附圖將可了解本發(fā)明的其它目的。
[0010]技術(shù)方案
[0011]本發(fā)明的實(shí)施方式提供了基板處理裝置，該基板處理裝置包括:腔室，所述腔室設(shè)置有堆疊空間和處理空間，在所述堆疊空間中基板被堆疊，并且在所述處理空間中執(zhí)行與所述基板相關(guān)的處理；晶舟，所述晶舟包括至少一個豎直直立的晶舟框架，所述晶舟會升降而移動至所述堆疊空間和所述處理空間中；多個承載座(susc印tor)，所述多個承載座布置在所述晶舟框架上并且沿著所述晶舟框架的縱向方向彼此間隔開，其中隨著所述晶舟移動至所述處理空間中，所述基板被相繼加載至所述多個承載座中的每個承載座的頂面上；以及至少一個保持件，所述保持件包括與所述晶舟框架平行布置的豎直桿以及從所述豎直桿的內(nèi)表面伸出以支撐所述基板的基板支撐末端，其中當(dāng)所述晶舟移動至所述處理空間中時，所述豎直桿沿著所述晶舟框架的縱向方向相對移動。
[0012]在一些實(shí)施方式中，所述腔室可以具有位于所述堆疊空間與所述處理空間之間的連接空間，并且所述基板處理裝置可以進(jìn)一步包括夾持板，所述夾持板布置在所述連接空間中以阻隔所述堆疊空間和所述處理空間，所述夾持板連接至所述豎直桿的上端，以當(dāng)所述晶舟從所述堆疊空間移動至所述處理空間中時，與所述晶舟一起移動至所述處理空間中。
[0013]在其它實(shí)施方式中，所述腔室可以包括:下腔室，所述下腔室具有敞開的上部以及限定在所述腔室的一側(cè)中以供所述基板進(jìn)出的通道，所述下腔室提供所述堆疊空間；以及上腔室，所述上腔室布置在所述下腔室上，并且具有與所述下腔室的敞開的上部連通的敞開的下部，所述上腔室提供所述處理空間。
[0014]在又一些實(shí)施方式中，所述基板處理裝置可以進(jìn)一步包括布置在所述連接空間中的支撐環(huán)，所述支撐環(huán)包括從該支撐環(huán)的內(nèi)表面伸出的支撐突起以支撐放置在該支撐突起上的所述夾持板。
[0015]在另一些實(shí)施方式中，當(dāng)所述晶舟移動至所述處理空間中時，所述保持件可以相對移動通過限定在所述承載座中的插入孔。
[0016]在再一些實(shí)施方式中，所述承載座可以具有座置槽，所述座置槽從所述承載座的頂面下凹并具有與所述基板的形狀對應(yīng)的形狀，其中所述基板可以座置在所述座置槽中。
[0017]在再一些實(shí)施方式中，所述基板處理裝置可以進(jìn)一步包括上阻擋板，所述上阻擋板連接至所述晶舟框架的上部以在所述晶舟移動至所述處理空間中時抬起所述夾持板。
[0018]在再一些實(shí)施方式中，所述上阻擋板可以具有貫穿孔，所述貫穿孔限定在與所述保持件的位置對應(yīng)的位置，并且當(dāng)所述晶舟移動至所述處理空間中時，所述保持件可移動通過所述貫穿孔。
[0019]在再一些實(shí)施方式中，所述晶舟框架可以包括承載座支撐末端，所述承載座支撐末端從所述晶舟框架的內(nèi)表面伸出以支撐所述承載座，所述承載座支撐末端沿著所述晶舟框架的縱向方向彼此間隔開。
[0020]有益效果
[0021]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，可以防止由于將基板加載到承載座上而在基板的后表面上形成處理I旲。由此，可以提尚基板的廣量，以提尚基板的生廣率。
【附圖說明】
[0022]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的基板處理裝置的示意圖；
[0023]圖2是其中圖1的晶舟被切換至處理位置的狀態(tài)的圖；
[0024]圖3是圖1的晶舟單元的立體圖；
[0025]圖4是圖3的承載座的圖；
[0026]圖5至圖8是將基板加載到承載座上的處理的圖；以及
[0027]圖9至圖11是將晶舟單元切換至處理位置的處理的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]下面將參照圖1至圖11詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式。但是，本發(fā)明可以以不同的形式被實(shí)施而不應(yīng)被理解為限于這里所提出的實(shí)施方式。相反，提供這些實(shí)施方式以使得本公開全面且完整，并且向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在附圖中，為了清楚起見放大了層和區(qū)域的厚度。
[0029]本領(lǐng)域技術(shù)人員明了的是，除了當(dāng)前實(shí)施方式所述的基板W以外，本發(fā)明的實(shí)施方式也適用于要處理的各種物體。例如，本發(fā)明并不限制要處理的基板的類型。由此，基板由在整個半導(dǎo)體制造過程中通常使用的各種材料形成，例如玻璃、塑料、聚合物、硅片、不銹鋼、藍(lán)寶石材料等。而且，基板的處理可以理解為預(yù)定或形成在基板上的圖案的處理以及基板本身的處理。
[0030]而且，本發(fā)明并不限制基板處理裝置的使用。由此，整個半導(dǎo)體處理，例如沉積處理、蝕刻處理、表面處理過程等都可使用根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置來執(zhí)行。此外，下面將只描述本發(fā)明的主要構(gòu)件。而且明顯的是，根據(jù)用途，本發(fā)明的基板處理裝置可以額外設(shè)置各種構(gòu)件。
[0031]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的基板處理裝置的示意圖，圖2是其中圖1的晶舟被切換至處理位置的狀態(tài)的圖。參照圖1和圖2，基板處理裝置100包括:具有敞開上部的下腔室20 ;以及將下腔室20的敞開上部封閉的處理腔室10，以提供在其中執(zhí)行與基板W相關(guān)的處理的處理空間12。支撐環(huán)30可布置在處理腔室10的敞開下部以及下腔室20的敞開上部上(即，連接空間)。支撐環(huán)30可包括從其內(nèi)周表面突出的支撐突起35。
[0032]下腔室20可以具有供傳送基板W的通道3。由此，基板W可通過通道3被傳送至下腔室20中。例如，下腔室20的通道3可連接至傳送腔室