底材料，兼容性更 好； (6) 以摻雜鋰的Bphen作為電子注入層有利于降低電子注入勢皇和提高導(dǎo)電能力；同 時(shí)作為電子傳輸層的Bphen還兼做間隔層，有利于減小由于鋰原子擴(kuò)散到發(fā)光層中而引起 的熒光猝滅作用。
【附圖說明】
[0022] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)中三種OLED器件的層狀結(jié)構(gòu)示意圖，其中（a)代表底發(fā)射OLED器 件；（b)代表頂發(fā)射OLED器件；且（c)代表透明OLED器件。
[0023] 圖2為本發(fā)明的防短路的透明OLED器件的層狀結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024] 圖3顯示了兩種不同的金屬銀（Ag)和鋁（Al)在不同波長下的折射率（n)及消光 系數(shù)（k)。
[0025] 圖4顯示了鋁（Al)和不同厚度的銀（Ag)在不同波長下的反射率（T)、透光率（R)、 吸收率(A)。
[0026] 圖5為銀(Ag)和鋁（Al)的透光率與厚度的關(guān)系曲線圖。
[0027] 圖6為在AFM下觀察到的不同金屬膜的形貌特征圖，其中（a)代表純鋁膜（20nm)， (b)代表純銀膜（20nm)〇
[0028] 圖7為氧化錸在不同波長下對器件透射率的影響曲線圖。
[0029] 圖8為本發(fā)明的透明OLED器件的發(fā)光強(qiáng)度隨電流密度變化的曲線圖，其中（a)代 表陰極面，（b)代表玻璃面。
[0030] 圖9為本發(fā)明的透明OLED器件的電壓-電流密度特性和亮度-電流密度的性能 曲線圖。
[0031] 圖10為本發(fā)明的透明OLED器件的電流效率-電流密度和光功率效率-電流密度 的性能曲線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032] 以下將結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明做出詳細(xì)說明，然而本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng) 理解的是，本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此。
[0033] 實(shí)施例1 :防短路的透明OLED器件的制備。
[0034] 關(guān)于實(shí)驗(yàn)材料與儀器的說明如下： 使用常規(guī)的真空熱蒸發(fā)儀(本底真空度讀數(shù)低于4X KT6 Torr)進(jìn)行蒸鍍，整個(gè)器 件在同一腔體中于不間斷的真空條件下制備而得；將襯底放在齒輪電機(jī)驅(qū)動的勻速轉(zhuǎn) 動(約30RPM)的轉(zhuǎn)盤的卡槽上以倒置(蒸發(fā)源在下，襯底在上）的方式依次沉積所蒸發(fā) 的材料以形成最終器件；有機(jī)層和金屬電極層分別通過更換掩膜板進(jìn)行蒸鍍；使用石 英晶振儀（SI-TM606A)監(jiān)控膜厚度；使用橢圓偏振光測量儀（Alpha-SE Spectroscopic Ellipsometer)校準(zhǔn)實(shí)際的蒸鍍膜厚度。
[0035] 具體操作步驟如下： (1) 襯底的預(yù)處理：將作為襯底的普通光學(xué)玻璃(有效面積為〇. 〇9cm2,即 0. 3cmX0. 3cm)依次在丙酮、無水乙醇和去離子水中超聲清洗10分鐘，120°C烘干20分鐘； (2) 陽極的蒸鍍：使用高純銀顆粒(直徑約為1mm，購自alfa，純度為99. 99%)，用鉭皮 蒸發(fā)，調(diào)整電流加熱功率，控制其蒸發(fā)速率為0. 2~0. 3nm/s，直至在襯底上蒸鍍的陽極達(dá)到 20nm ; (3) 空穴注入層的蒸鍍：使用高純ReO3 (暗紅色粉末，購自alfa，純度為99. 9%)，用石 英舟在鉭皮上蒸發(fā)，控制其蒸發(fā)速率為0. 02~0. 03nm/s，直至在陽極上蒸鍍的空穴注入層達(dá) 到 30nm ; (4) 空穴傳輸層的蒸鍍：使用高純NPB (淡黃色粉末，購自alfa，純度為98%)，用石英舟 在鉭皮上蒸發(fā)，控制其蒸發(fā)速率為〇. 2~0. 3nm/s，直至在空穴注入層上蒸鍍的空穴傳輸層達(dá) 到 168nm ; (5) 發(fā)光層的蒸鍍：使用高純Alq3(黃色粉末，購自alfa，99%)，用石英舟在鉭皮上蒸發(fā)， 控制其蒸發(fā)速率為〇. 2~0. 3nm/s，直至在空穴傳輸層上蒸鍍的發(fā)光層達(dá)到20nm ; (6) 電子傳輸層的蒸鍍：使用高純BPhen (白色粉末，購自alfa，純度為99%)，用石英 舟在鉭皮上蒸發(fā)，控制其蒸發(fā)速率為0. 2~0. 3nm/s，直至在發(fā)光層上蒸鍍的電子傳輸層達(dá)到 IOnm ； (7) 電子注入層的蒸鍍：使用高純BPhen (白色粉末，購自alfa，純度為99%)，用石英舟 在鉭皮上蒸發(fā)，控制其蒸發(fā)速率為〇. 2~0. 3nm/s，同時(shí)根據(jù)摻雜比率來調(diào)節(jié)摻雜材料氮化鋰 (Li3N)(棕色粉末，購自alfa，純度為99. 4%，熱分解后釋放出的鋰能夠共蒸摻入BPhen)的 蒸發(fā)速率，直至在電子傳輸層上蒸鍍的電子注入層達(dá)到20nm ; (8) 陰極的蒸鍍：使用高純銀顆粒(直徑約為1mm，購自alfa，純度為99. 99%)，用鉭皮蒸 發(fā)，調(diào)整電流加熱功率，控制其蒸發(fā)速率為0. 2~0. 3nm/s，直至在電子注入層上蒸鍍的陰極 達(dá)到20nm，即得防短路的透明OLED器件，其結(jié)構(gòu)如圖2所示。
[0036] 當(dāng)蒸鍍完所有材料制成器件后，為了減少氧氣和水蒸汽對器件的破壞，可以將器 件粘接玻璃蓋板進(jìn)行簡單封裝。
[0037] 實(shí)施例2 :防短路的透明OLED器件的制備。
[0038] 具體操作步驟如下： (1) 襯底的預(yù)處理：將作為襯底的普通光學(xué)玻璃(有效面積為〇. 〇9cm2,即 0. 3cmX0. 3cm)依次在丙酮、無水乙醇和去離子水中超聲清洗10分鐘，120°C烘干20分鐘； (2) 陽極的蒸鍍：使用高純銀顆粒(直徑約為1mm，購自alfa，純度為99. 99%)，用鉭皮 蒸發(fā)，調(diào)整電流加熱功率，控制其蒸發(fā)速率為0. 2~0. 3nm/s，直至在襯底上蒸鍍的陽極達(dá)到 25nm ； (3) 空穴注入層的蒸鍍：使用高純ReO3 (暗紅色粉末，購自alfa，純度為99. 9%)，用石 英舟在鉭皮上蒸發(fā)，控制其蒸發(fā)速率為0. 02~0. 03nm/s，直至在陽極上蒸鍍的空穴注入層達(dá) 到 40nm ; (4) 空穴傳輸層的蒸鍍：使用高純NPB (淡黃色粉末，購自alfa，純度為98%)，用石英舟 在鉭皮上蒸發(fā)，控制其蒸發(fā)速率為〇. 2~0. 3nm/s，直至在空穴注入層上蒸鍍的空穴傳輸層達(dá) 到 180nm ; (5) 發(fā)光層的蒸鍍：使用高純Alq3(黃色粉末，購自alfa，99%)，用石英舟在鉭皮上蒸發(fā)， 控制其蒸發(fā)速率為〇. 2~0. 3nm/s，直至在空穴傳輸層上蒸鍍的發(fā)光層達(dá)到25nm ; (6) 電子傳輸層的蒸鍍：使用高純BPhen (白色粉末，購自alfa，純度為99%)，用石英 舟在鉭皮上蒸發(fā)，控制其蒸發(fā)速率為0. 2~0. 3nm/s，直至在發(fā)光層上蒸鍍的電子傳輸層達(dá)到 15nm ； (7) 電子注入層的蒸鍍：使用高純BPhen (白色粉末，購自alfa，純度為99%)，用石英舟 在鉭皮上蒸發(fā)，控制其蒸發(fā)速率為〇. 2~0. 3nm/s，同時(shí)根據(jù)摻雜比率來調(diào)節(jié)摻雜材料氮化鋰 (Li3N)(棕色粉末，購自alfa，純度為99. 4%，熱分解后釋放出的鋰能夠共蒸摻入BPhen)的 蒸發(fā)速率，直至在電子傳輸層上蒸鍍的電子注入層達(dá)到25nm ; (8) 陰極的蒸鍍：使用高純銀顆粒(直徑約為1mm，購自alfa，純度為99. 99%)，用鉭皮蒸 發(fā)，調(diào)整電流加熱功率，控制其蒸發(fā)速率為0. 2~0. 3nm/s，直至在電子注入層上蒸鍍的陰極 達(dá)到25nm，即得防短路的透明OLED器件。
[0039] 當(dāng)蒸鍍完所有材料制成器件后，為了減少氧氣和水蒸汽對器件的破壞，可以將器 件粘接玻璃蓋板進(jìn)行簡單封裝。
[0040] 實(shí)施例3 :防短路的透明OLED器件的制備。
[0041] 具體操作步驟如下： (1) 襯底的預(yù)處理：將作為襯底的普通光學(xué)玻璃(有效面積為0. 09cm2,即 0. 3cmX0. 3cm)依次在丙酮、無水乙醇和去離子水中超聲清洗10分鐘，120°C烘干20分鐘； (2) 陽極的蒸鍍：使用高純銀顆粒(直徑約為1mm，購自alfa，純度為99. 99%)，用鉭皮 蒸發(fā)，調(diào)整電流加熱功率，控制其蒸發(fā)速率為0. 2~0. 3nm/s，直至在襯底上蒸鍍的陽極達(dá)到 15nm ； (3) 空穴注入層的蒸鍍：使用高純ReO3 (暗紅色粉末，購自alfa，純度為99. 9%)，用石 英舟在鉭皮上蒸發(fā)，控制其蒸發(fā)速率為0. 02~0. 03nm/s，直至在陽極上蒸鍍的空穴注入層達(dá) 到 20nm ; (4) 空穴傳輸層的蒸鍍：使用高純NPB (淡黃色粉末，購自alfa，純度為98%)，用石英舟 在鉭皮上蒸發(fā)，控制其蒸發(fā)速率為〇. 2~0. 3nm/s，直至在空穴注入層上蒸鍍的空穴傳輸層達(dá) 到 150nm ; (5) 發(fā)光層的蒸鍍：使用高純Alq3(黃色粉末，購自alfa，99%)，用石英舟在鉭皮上蒸發(fā)， 控制其蒸發(fā)速率為〇. 2~0. 3nm/s，直至在空穴傳輸層上蒸鍍的發(fā)光層達(dá)到15nm ; (6) 電子傳輸層的蒸鍍：使用高純BPhen (白色粉末，購自alfa，純度為99%)，用石英 舟在鉭皮上蒸發(fā)，控制其蒸發(fā)速率為0. 2~0. 3nm/s，直至在發(fā)光層上蒸鍍的電子傳輸層達(dá)到 5nm ； (7) 電子注入層的蒸鍍：使用高純BPhen (白色粉末，購自alfa，純度為99%)，用石英舟 在鉭皮上蒸發(fā)，控制其蒸發(fā)速率為〇. 2~0. 3nm/s，同時(shí)根據(jù)摻雜比率來調(diào)節(jié)摻雜材料氮化鋰 (Li3N)(棕色粉末，購自alfa，純度為99. 4%，熱分解后釋放出的鋰能夠共蒸摻入BPhen)的 蒸發(fā)速率，直至在電子傳輸層上蒸鍍的電子注入層達(dá)到15nm ; (8) 陰極的蒸鍍：使用高純銀顆粒(直徑約為1mm，購自alfa，純度為99. 99%)，用鉭皮蒸 發(fā)，調(diào)整電流加熱功率，控制其蒸發(fā)速率為0. 2~0. 3nm/s，直至在電子注入層上蒸鍍的陰極 達(dá)到15nm，即得防短路的透明OLED器件。
[0042]當(dāng)蒸鍍完所有材料制成器件后，為了減少氧氣和水蒸汽對器件的破壞，可以