例中，第一光吸收層40、第二光吸收層50及第三光吸收層60 中的每一個(gè)可以由 AlxGa1J^(0〈x〈y)層、AlyGa1^N(XOd)層及 InzGa1-ZN(CKzd)層中的任何一個(gè)形成，使得在第一至第三吸收層中任何一個(gè)中使用到的AlxGai_xN(0〈x〈y)層、AlyGa1^yN(x<y<I)層或InzGahN(CKzd)層不被用在剩余的吸收層中。
[0121]也就是說，這三種不同的光吸收層可以分別由AlxGahNaKKy)層、AlyGa1^yN(x<y<I)層及InzGa1=N(0〈ζ〈1)層形成。這三種不同的光吸收層的順序可以以各種方式進(jìn)行選擇。
[0122]首先，第三光吸收層60、第一應(yīng)變減少層55及第二光吸收層50通過干法蝕刻被刻蝕，使得第二光吸收層50形成于第一光吸收層40上的某個(gè)區(qū)域中。第一肖特基層71形成于通過蝕刻暴露的第一光吸收層40的表面上的某個(gè)區(qū)域中。
[0123]隨后，第三光吸收層60和第一應(yīng)變減少層55通過干法蝕刻被刻蝕，使得第三光吸收層60形成于第二光吸收層50上的某個(gè)區(qū)域中。第二肖特基層72形成于通過蝕刻暴露的第二光吸收層50的表面上的某個(gè)區(qū)域中。
[0124]第三肖特基層73形成于未經(jīng)蝕刻的第三光吸收層60的表面上的某個(gè)區(qū)域中，第一電極層80形成于第一、第二和第三肖特基層71、72和73中的每一個(gè)上的某個(gè)區(qū)域中。
[0125]第一電極層80包括形成于第一肖特基層71上的某個(gè)區(qū)域中的(1-1)電極層81，形成于第二肖特基層72上的某個(gè)區(qū)域中的(1-2)電極層82，以及形成于第三肖特基層73上的某個(gè)區(qū)域中的(1-3)電極層83。
[0126]第一、第二和第三肖特基層71、72和73中的每一個(gè)可以由氧化銦錫(ITO)、Pt、W、T1、Pd、Ru、Cr、Au、Ni和Cr中的任何一個(gè)形成，且可以因考慮到光透射率和肖特基特性而形成為1nm厚或更薄。
[0127]第二電極層90被配置成具有歐姆特性，且可以形成在第一光吸收層40上以與第一肖特基層71間隔開。例如，在刻蝕第一光吸收層40的一部分之后，可以在刻蝕部分中形成第二電極層90。
[0128]第二電極層90可以以條的形式形成在第一肖特基層71的一側(cè)上。第二電極層90可以形成為具有翼形，以有助于從第二光吸收層50和第三光吸收層60產(chǎn)生的電流的流動(dòng)。第二電極層90包括與第一肖特基層71間隔開且形成于第一光吸收層40的拐角部中的主體單元91，以及沿第一光吸收層40的邊緣從主體單元91伸出的一對(duì)翼單元92。
[0129]如果第二電極層90由上述主體單元91和一對(duì)翼單元92形成，則可以阻止在實(shí)施線粘合時(shí)由應(yīng)變引起的第二電極層90的脫落現(xiàn)象。
[0130]第一電極層80可以由Ni/Au形成，且形成的厚度在200nm至2 μπι之間。另外，第二電極層90可以由Cr/Ni/Au形成，且形成的厚度在400nm至2μπι之間。此時(shí)，第二電極層90的頂部形成為具有幾乎與第三光吸收層60的頂部對(duì)應(yīng)的高度。
[0131]在如上所述形成的光檢測(cè)設(shè)備中，光吸收層可以檢測(cè)具有不同波段的光，且光吸收層被配置成獨(dú)立工作。
[0132]下面描述參照?qǐng)D5和6描述的示例，其中利用光檢測(cè)設(shè)備10配置光檢測(cè)封裝。
[0133]圖5是根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的光檢測(cè)封裝的平面圖，圖6是根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的光檢測(cè)封裝的橫截面圖。
[0134]如圖5和6中所示，根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的光檢測(cè)封裝100可以包括配置成具有形成于其上側(cè)上的凹陷單元210的引線框架200、安裝在凹陷單元210上的光檢測(cè)設(shè)備、以及形成于凹陷單元210的底部表面的一側(cè)上且彼此間隔開的多個(gè)第一電極板300。
[0135]引線框架200的凹陷單元210通過窗600被封閉以保護(hù)凹陷單元210內(nèi)的光檢測(cè)設(shè)備。窗600由透明材料(諸如石英、藍(lán)寶石或水晶)形成，且沿著凹陷單元210的上邊緣坐落。
[0136]考慮到光的反射，凹陷單元210的內(nèi)圓周表面可以是傾斜的。在一些實(shí)施例中，凹陷單元210的內(nèi)圓周表面可以按照直角來形成。
[0137]另外，安裝在引線框架200的凹陷單元210上的光檢測(cè)設(shè)備可以例如是參照?qǐng)D3和4描述的光檢測(cè)設(shè)備10。光檢測(cè)設(shè)備10具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中具有不同能帶間隙的多個(gè)光吸收層順序呈階梯狀和成形。第一電極層80形成在相應(yīng)的光吸收層上。
[0138]肖特基層形成于各光吸收層上的某個(gè)區(qū)域中，第一電極層80形成于各肖特基層上的某個(gè)區(qū)域中。
[0139]例如，如圖5中所示，第一肖特基層71形成于第一光吸收層40上的某個(gè)區(qū)域中，(1-1)電極層81形成于第一肖特基層71上的某個(gè)區(qū)域中。另外，第二肖特基層72形成于第二光吸收層50上的某個(gè)區(qū)域中，(1-2)電極層82形成在第二肖特基層72上的某個(gè)區(qū)域中。
[0140]另外，第三肖特基層73形成于第三光吸收層60上的某個(gè)區(qū)域中，(1-3)電極層83形成在第三肖特基層73上的某個(gè)區(qū)域中。
[0141]第一電極板300包括彼此間隔開的(1-1)電極板310、(1-2)電極板320和(1-3)電極板330。(1-1)電極板310通過例如由Au形成的接合線700電連接(1-1)電極層81。(1-2)電極板320通過接合線700電連接(1-2)電極層82。(1_3)電極板330通過接合線700電連接(1-3)電極層83。
[0142]翼形的第二電極層90形成于第一光吸收層40上，且與第一肖特基層71間隔開。第二電極層90通過接合線700電連接形成于凹陷單元210的底部表面的另一側(cè)上的第二電極板500。
[0143]設(shè)備接觸板400形成于第一電極板300和第二電極板500之間，且與第一電極板300和第二電極板500間隔開。光檢測(cè)設(shè)備10安裝在設(shè)備接觸板400上。
[0144]也就是說，第一電極板300、第二電極板500和設(shè)備接觸板400被配置成彼此間隔開。光檢測(cè)設(shè)備10被安裝在設(shè)備接觸板400上。光檢測(cè)設(shè)備10的(1-1)、(1-2)及(1-3)電極層81、82和83通過相應(yīng)的接合線700電連接相應(yīng)的(1_1)、(1_2)及(1_3)電極板310、320和330。光檢測(cè)設(shè)備10的第二電極層90通過接合線700電連接第二電極板500。
[0145]分別與多個(gè)第一電極板300電連接的多個(gè)第一引線810在引線框架200的一側(cè)上突出并成形，以便該多個(gè)第一引線810連接外部電極線(未示出)和被獨(dú)立地驅(qū)動(dòng)。與第二電極板500電連接的第二引線820從引線框架200的另一側(cè)上突出并成形。
[0146]第一引線810包括與(1-1)電極板310電連接的(1-1)引線811、與(1-2)電極板320電連接的(1-2)引線812、以及與(1-3)電極板330電連接的(1-3)引線813。(1-1),(1-2)和(1-3)引線811、812和813彼此間隔開。
[0147]相應(yīng)地，能夠通過借助第一引線810選擇性地向光吸收層供應(yīng)電源來獨(dú)立驅(qū)動(dòng)光吸收層。
[0148]圖7A和7B是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的光檢測(cè)封裝的橫截面圖。本示例性實(shí)施例示出一個(gè)示例，其中通過用環(huán)氧樹脂填充凹陷單元210來保護(hù)光檢測(cè)設(shè)備10，而非利用參照?qǐng)D5和6描述的不例性實(shí)施例的窗。
[0149]相應(yīng)地，與上述實(shí)施例相同的元件被賦予相同的附圖標(biāo)記，且省略多余的描述。
[0150]如圖7A中所示，如果利用環(huán)氧樹脂將光檢測(cè)封裝10a的凹陷單元210填充成大致平坦來形成保護(hù)層600’，光可以以約120°的角度被肖特基層吸收。如果保護(hù)層600’是中凹的且形成為如點(diǎn)線所指示的那樣，則可以檢測(cè)到以120°或更大角度被吸收的光。
[0151]另外，如圖7B中所示，如果在光檢測(cè)封裝10b的凹陷單元210中形成圓屋形的保護(hù)層600’，則以120°或更小角度被吸收的光可以被檢測(cè)到。保護(hù)層600’可以形成為如點(diǎn)線所指示的不規(guī)則四邊形。也就是說，根據(jù)窗600或保護(hù)層600’的形狀，可以檢測(cè)期望角度上的波長。
[0152]圖8為曲線圖，其示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例測(cè)得的光反應(yīng)率。該曲線圖示出利用光檢測(cè)設(shè)備10測(cè)得的光反應(yīng)率，在所述設(shè)備10中，不同光吸收層的電極在如下結(jié)構(gòu)中獨(dú)立連接且被單獨(dú)驅(qū)動(dòng)，其中在所述結(jié)構(gòu)中，不同的光吸收層被包含在單個(gè)設(shè)備中且肖特基層形成在相應(yīng)的光吸收層上。
[0153]在圖8中，反應(yīng)率(A)表示第三光吸收層60中的反應(yīng)率，反應(yīng)率(B)表示第二光吸收層50中的反應(yīng)率，反應(yīng)率(C)表示第一光吸收層40中的反應(yīng)率。
[0154]也就是說，在根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的光檢測(cè)設(shè)備10中，在相應(yīng)光吸收層中被檢測(cè)到的波段無需順序形成，確定相應(yīng)光吸收層的吸收波長的能帶間隙無需順序增加或減小。
[0155]圖9是根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施例的光檢測(cè)設(shè)備的橫截面圖，圖10是根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施例的光檢測(cè)設(shè)備的平面圖。
[0156]根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施例的圖9和10的光檢測(cè)設(shè)備10’類似于參照?qǐng)D3和4描述的示例性實(shí)施例，除了第二電極層90’形成于由GaN、ZnO、SiC或GaAs形成的導(dǎo)電襯底20’的底部之外。
[0157]相應(yīng)地，與圖3和4所示相同的元件被賦予相同的附圖標(biāo)記，且省略多余的描述。
[0158]下面參照?qǐng)D11描述其中利用圖9和10所示光檢測(cè)設(shè)備10’配置光檢測(cè)封裝的示例。
[0159]圖11是根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施例的光檢測(cè)封裝的平面圖。
[0160]根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施例的圖11的光檢測(cè)封裝100’類似于參照?qǐng)D5描述的示例性實(shí)施例，除了因?yàn)榈诙姌O層90’形成于光檢測(cè)設(shè)備10’的底部，光檢測(cè)設(shè)備10’在沒有附加的設(shè)備接觸板400 (參見圖5)的情況下直接安裝在第二電極板500’上之外。
[0161]相應(yīng)地，與圖5所示相同的元件被賦予相同的附圖標(biāo)記，且省略多余的描述。
[0162]彼此間隔開的多個(gè)第一電極板300形成于引線框架200的凹陷單元210的底部表面的一側(cè)上。第二電極板500’形成于凹陷單元210的底部表面的另一側(cè)上，且與多個(gè)第一電極板300間隔開。如圖9和10所示，其中第二電極層90’形成于光檢測(cè)設(shè)備10’的底部(即導(dǎo)電襯底20’的底部)上的光檢測(cè)設(shè)備10’被安裝在第二電極板500’上。
[0163]光檢測(cè)設(shè)備10，的(1-1)、(1-2)及(1-3)電極層81,82和83分別通過接合線700電連接第一電極板300的(1-1)、(1-2)及(1-3)電極板310、320和330。光檢測(cè)設(shè)備10’的第二電極層90’通過接觸與第二電極板500’電連接。
[0164]另外，包括(1-1)、(1-2)及(1-3)引線811、812和813的多個(gè)第一引線810被設(shè)置在引線框架200的一側(cè)上，以便該多個(gè)第一引線810連接外部電極線且被獨(dú)立驅(qū)動(dòng)。第二引線820從引線框架200的另一側(cè)上突出并成形。
[0165](1-1)引線811電連接(1-1)電極板310，(1-2)引線812電連接(1-2)電極板320，(1-3)引線813電連接(1-3)電極板330，且第二引線820電連接第二電極板500’。
[0166]相應(yīng)地，能夠通過借助第一引線810選擇性地向光吸收層供應(yīng)電源來獨(dú)立驅(qū)動(dòng)光吸收層。
[0167]下面參照?qǐng)D12和13詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實(shí)施例的光檢測(cè)封裝。
[0168]圖12是根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實(shí)施例的光檢測(cè)封裝的橫截面圖，圖13是圖12所示光檢測(cè)封裝的平面圖。
[0169]根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實(shí)施例的光檢測(cè)