半導(dǎo)體器件之封裝方法與實(shí)施該方法的裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及封裝半導(dǎo)體器件方法與實(shí)施該方法的裝置。更明確地說,涉及封裝安裝于柔性基板上半導(dǎo)體之方法,諸如覆晶薄膜(COF)條帶、帶載封裝(TCP)條帶,以及其他類似者,以及實(shí)施該方法的裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]—般來說,顯示裝置,諸如液晶顯示器(IXD),可包括液晶面板以及配置于液晶面板后方的背光元件??墒褂冒雽?dǎo)體器件,例如驅(qū)動集成電路(1C),來驅(qū)動液晶面板。這些半導(dǎo)體器件可連接至使用諸如COF、TCP、玻璃芯片(COG)等封裝工藝之液晶面板。
[0003]高分辨率顯示裝置可能需要增強(qiáng)的驅(qū)動負(fù)載,其有待半導(dǎo)體器件提供。尤其是在COF類型半導(dǎo)體封裝中,此類增強(qiáng)的驅(qū)動負(fù)載可能引起增加熱量的產(chǎn)生,導(dǎo)致需要散發(fā)所增加熱量之相關(guān)問題。
[0004]為了解決散發(fā)所增加熱量之需求,已經(jīng)有一些現(xiàn)有技術(shù)被開發(fā),包括使用粘結(jié)件來增加散熱片。例如韓國專利公開公報第10-2009-0110206號揭露了一種COF型半導(dǎo)體封裝,其包括柔性基板、安裝于所述柔性基板上表面之半導(dǎo)體器件,以及使用粘結(jié)件安裝于柔性基板下表面的的散熱片。
[0005]然而,柔性基板下表面之散熱片可能因柔性基板的相對熱傳導(dǎo)性較低而導(dǎo)致效率不佳。此外,此類散熱片通常為片狀并且使用金屬例如鋁,其可能減少COF型半導(dǎo)體封裝的柔性。更進(jìn)一步地,隨著時間以及經(jīng)過正常使用,散熱片可能會從柔性基板上分開。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]本發(fā)明提供一種能夠改善半導(dǎo)體器件的散熱效率的封裝方法以及實(shí)施該方法的
目.ο
[0007]根據(jù)本發(fā)明一些示范實(shí)施例,一種對多個安裝在柔性基板上的半導(dǎo)體器件進(jìn)行封裝的方法,所述柔性基板具有縱向延伸之條帶形狀,且沿著其延伸方向限定有多個封裝區(qū)域。所述方法可包括:將所述柔性基板傳送通過封裝模組;在所述封裝區(qū)域中,檢測未安裝半導(dǎo)體器件的空白區(qū)域;以及在位于所述封裝模組的處理區(qū)域中至少一個半導(dǎo)體器件上形成散熱層,從而封裝所述半導(dǎo)體器件。具體地,所述散熱層通過將散熱涂料組合物涂布于所述半導(dǎo)體器件上而形成。在所述空白區(qū)域上省略封裝工藝。
[0008]在一些實(shí)施例中,所述散熱層可以灌封工藝形成。
[0009]在一些實(shí)施例中,形成所述散熱層步驟可包括:通過在所述半導(dǎo)體器件的至少一個側(cè)表面上以及在所述柔性基板的至少一部分上涂布所述散熱涂料組合物,形成第一散熱層;以及通過在所述半導(dǎo)體器件的上表面的至少一部分上涂布所述散熱涂料組合物,形成第二散熱層。
[0010]在一些實(shí)施例中,復(fù)數(shù)個封裝區(qū)域可位于所述封裝模組的所述處理區(qū)域中,且除了至少一個所述空白區(qū)域以外,所述封裝模組的所述處理區(qū)域中的其余封裝區(qū)域中所安裝的多個半導(dǎo)體器件可被同時封裝。
[0011]在一些實(shí)施例中,所述方法還包括可固化形成于所述半導(dǎo)體器件上的所述散熱層。
[0012]在一些實(shí)施例中,所述方法還包括可在所述柔性基板與所述半導(dǎo)體器件之間形成填充層。
[0013]在一些實(shí)施例中,所述填充層可通過將填充樹脂注入限定于所述柔性基板與所述半導(dǎo)體器件之間的空間而形成。
[0014]在一些實(shí)施例中,形成所述填充層步驟可包括:在將所述柔性基板傳送通過所述封裝模組之前,將所述柔性基板傳送通過填充模組;以及在位于所述填充模組的處理區(qū)域中的所述柔性基板的所述封裝區(qū)域與所述半導(dǎo)體器件之間形成填充層。在所述空白區(qū)域上可省略形成所述填充層步驟。
[0015]在一些實(shí)施例中,復(fù)數(shù)個封裝區(qū)域可位于所述填充模組的所述處理區(qū)域中,且除了所述空白區(qū)域以外,位于所述填充模組的所述處理區(qū)域中的其余封裝區(qū)域中所安裝的多個半導(dǎo)體器件上的填充工藝可為同時進(jìn)行。
[0016]在一些實(shí)施例中,所述方法還可包括固化所述填充層。
[0017]在一些實(shí)施例中,散熱涂料組合物可包含約Iwt %至約5wt%之環(huán)氧氯丙烷雙酚A樹脂,約Iwt %至約5wt%2改性環(huán)氧樹脂,約Iwt %至約1wt %之固化劑,約Iwt %至約5wt %的固化促進(jìn)劑,且組合物的余量可包括散熱填料。
[0018]在一些實(shí)施例中,所述改性環(huán)氧樹脂可包括端羧基丁腈橡膠(CTBN)改性環(huán)氧樹月旨、端氨基丁二烯丙烯腈(ATBN)改性環(huán)氧樹脂、丁腈橡膠(NBR)改性環(huán)氧樹脂、丙烯酸橡膠改性環(huán)氧樹脂(ARMER)、聚氨酯改性環(huán)氧樹脂,或是硅改性環(huán)氧樹脂。
[0019]在一些實(shí)施例中,固化劑可為酚醛清漆類之酚醛樹脂。
[0020]在一些實(shí)施例中,固化促進(jìn)劑可為咪唑基固化促進(jìn)劑或是氨基固化促進(jìn)劑。
[0021]在一些實(shí)施例中,所述散熱填料可包含具有粒子尺寸介于約0.01微米至約50微米之氧化招。
[0022]根據(jù)另一示范實(shí)施例,一種對多個安裝于柔性基板的半導(dǎo)體器件進(jìn)行封裝的裝置,所述柔性基板具有縱向延伸之條帶形狀,且沿著其縱向延伸方向限定有多個封裝區(qū)域,所述裝置可包括:展開模組,配置為供給所述柔性基板;收卷模組,配置為回收所述柔性基板;封裝模組,設(shè)置于所述展開模組與所述收卷模組之間,并配置為用散熱涂料組合物涂布所述半導(dǎo)體器件以形成封裝所述半導(dǎo)體器件之散熱層;以及控制器,配置為控制所述封裝模組之操作,以檢測所述封裝區(qū)域中未安裝半導(dǎo)體器件之空白區(qū)域,并在所述空白區(qū)域上省略封裝工藝。
[0023]在一些實(shí)施例中,所述封裝模組可包括:封裝室。所述封裝模組還可包括設(shè)置在所述封裝室中的灌封單元,所述灌封單元配置為用所述散熱涂料組合物涂布所述半導(dǎo)體器件。所述封裝模組還可包括封裝驅(qū)動單元,配置為使所述灌封單元至少在垂直方向或是水平方向的其中一個方向上移動。
[0024]在一些實(shí)施例中,所述裝置還可包括固化模組,配置為固化所述散熱層。
[0025]在一些實(shí)施例中,所述固化模組可包括:固化室,設(shè)置于封裝模組與收卷模組之間;以及復(fù)數(shù)個加熱器,沿著所述固化室內(nèi)的所述柔性基板的傳送路徑設(shè)置,所述復(fù)數(shù)個加熱器配置成固化所述散熱層。
[0026]在一些實(shí)施例中,所述裝置還可包含填充模組,配置為形成介于柔性基板與所述半導(dǎo)體器件之間的填充層。
[0027]以上所提供的
【發(fā)明內(nèi)容】
僅用于概況示范性實(shí)施例,以提供本發(fā)明之幾個方面的基本理解。因此,要理解上述實(shí)施例僅為舉例,不應(yīng)解讀為以任何方式來限縮本發(fā)明之范圍或?qū)嵸|(zhì)。要理解本發(fā)明的范圍除了此處概況的內(nèi)容之外尚應(yīng)包括許多可能的實(shí)施例,其中的某些實(shí)施例將在下面進(jìn)一步說明。
【附圖說明】
[0028]示范實(shí)施例可配合附圖通過以下的說明得以更詳細(xì)地理解。
[0029]圖1描述根據(jù)某些示范實(shí)施例的適用于實(shí)施封裝半導(dǎo)體器件之方法之裝置之示意構(gòu)造圖。
[0030]圖2描述根據(jù)某些示范實(shí)施例的如圖1所示柔性基板之示意構(gòu)造圖。
[0031]圖3描述根據(jù)某些示范實(shí)施例的如圖1所示封裝模組之示意構(gòu)造圖。
[0032]圖4至圖6描述根據(jù)某些示范實(shí)施例的封裝半導(dǎo)體器件之方法之示意斷面圖。
[0033]圖7至圖8為根據(jù)某些示范實(shí)施例的如圖4至圖6所示方法所制造半導(dǎo)體封裝之照片。
[0034]圖9描述根據(jù)某些示范實(shí)施例的適用于實(shí)施半導(dǎo)體器件封裝方法之裝置之示意構(gòu)造圖。
[0035]圖10至圖11描述根據(jù)某些實(shí)施例的如圖9所示半導(dǎo)體器件封裝方法之?dāng)嗝鎴D。具體實(shí)施例
[0036]以下配合參考附圖詳細(xì)敘述特定實(shí)施例。然而本發(fā)明可依照不同形式實(shí)施,不應(yīng)被視為限制于此處實(shí)施例內(nèi)容。更確切地說,這些實(shí)施例是提供用來使本揭露更為完整及徹底,并且向本領(lǐng)域技術(shù)人員完整傳達(dá)本發(fā)明的范圍。
[0037]此外亦應(yīng)該理解地是,當(dāng)一層、一薄膜、一區(qū)域、一板等物被引述為于另一層、另一薄膜、另一區(qū)域、另一板「之上