位于所述場氧層頂部。所述NMOS器件位于所述有源區(qū)中多晶硅柵4a ;所述PMOS器件位于所述有源區(qū)中，所以所述多晶硅柵4a和所述多晶硅柵4b都所述有源區(qū)表面。
[0040]對所述多晶硅層進行刻蝕之后還包括進行所述NMOS器件的N型輕摻雜漏注入以及所述PMOS器件的P型輕摻雜漏注入的工藝步驟。在所述NMOS器件的N型輕摻雜漏注入以及所述PMOS器件的P型輕摻雜漏注入完成之后還包括在所述NMOS器件的多晶硅柵、所述PMOS器件的多晶硅柵和所述多晶硅電阻4c的側(cè)面形成側(cè)墻的工藝步驟。
[0041]步驟三、如圖3B所示，采用NMOS器件的N型源漏注入的光罩定義出所述N型源漏注入的注入?yún)^(qū)域即通過光刻形成的光刻膠圖形5a定義出所述N型源漏注入的注入?yún)^(qū)域，所述N型源漏注入的注入?yún)^(qū)域同時包括所述多晶硅電阻4c的形成區(qū)域。
[0042]步驟四、如圖3B所示，進行所述N型源漏注入在所述NMOS器件的多晶硅柵兩側(cè)形成N+摻雜的源漏區(qū)，所述N型源漏注入同時將N型雜質(zhì)注入到所述多晶硅電阻4c中。
[0043]步驟五、如圖3C所示，采用PMOS器件的P型源漏注入的光罩定義出所述P型源漏注入的注入?yún)^(qū)域即通過光刻形成的光刻膠圖形5b定義出所述P型源漏注入的注入?yún)^(qū)域，所述P型源漏注入的注入?yún)^(qū)域同時包括所述多晶硅電阻4c的形成區(qū)域。
[0044]步驟六、如圖3C所示，進行所述P型源漏注入在所述PMOS器件的多晶硅柵兩側(cè)形成P+摻雜的源漏區(qū)，所述P型源漏注入同時將P型雜質(zhì)注入到所述多晶硅電阻4c中。
[0045]步驟七、如圖3D所示，采用快速熱退火對所述NMOS器件的源漏區(qū)、所述PMOS器件的源漏區(qū)以及所述多晶硅電阻4c的雜質(zhì)進行激活，所述多晶硅電阻4c由步驟四注入的N型雜質(zhì)和步驟六注入的P型雜質(zhì)的疊加確定。
[0046]較佳為，步驟三和步驟四組成的整體步驟能和步驟五和步驟六組成的整體步驟在工藝順序上互換。
[0047]步驟七的所述快速熱退火之后還包括在所述多晶硅電阻4c的頂部表面和側(cè)面形成金屬硅化物阻擋層的步驟。
[0048]以上通過具體實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，但這些并非構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改進，這些也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種CMOS工藝中多晶硅電阻的制造方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟一、依次在半導(dǎo)體襯底表面形成柵介質(zhì)層和多晶硅層； 步驟二、采用光刻刻蝕工藝多所述多晶硅層進行刻蝕同時形成NMOS器件的多晶硅柵、PMOS器件的多晶硅柵和多晶硅電阻； 步驟三、采用NMOS器件的N型源漏注入的光罩定義出所述N型源漏注入的注入?yún)^(qū)域，所述N型源漏注入的注入?yún)^(qū)域同時包括所述多晶硅電阻的形成區(qū)域； 步驟四、進行所述N型源漏注入在所述NMOS器件的多晶硅柵兩側(cè)形成N+摻雜的源漏區(qū)，所述N型源漏注入同時將N型雜質(zhì)注入到所述多晶硅電阻中； 步驟五、采用PMOS器件的P型源漏注入的光罩定義出所述P型源漏注入的注入?yún)^(qū)域，所述P型源漏注入的注入?yún)^(qū)域同時包括所述多晶硅電阻的形成區(qū)域； 步驟六、進行所述P型源漏注入在所述PMOS器件的多晶硅柵兩側(cè)形成P+摻雜的源漏區(qū)，所述P型源漏注入同時將P型雜質(zhì)注入到所述多晶硅電阻中； 步驟七、采用快速熱退火對所述NMOS器件的源漏區(qū)、所述PMOS器件的源漏區(qū)以及所述多晶硅電阻的雜質(zhì)進行激活，所述多晶硅電阻由步驟四注入的N型雜質(zhì)和步驟六注入的P型雜質(zhì)的疊加確定。2.如權(quán)利要求1所述的CMOS工藝中多晶硅電阻的制造方法，其特征在于:步驟一中所述半導(dǎo)體襯底為娃襯底。3.如權(quán)利要求1所述的CMOS工藝中多晶硅電阻的制造方法，其特征在于:步驟一中所述柵介質(zhì)層為采用熱氧化工藝形成的柵氧化層。4.如權(quán)利要求1所述的CMOS工藝中多晶硅電阻的制造方法，其特征在于:步驟三和步驟四組成的整體步驟能和步驟五和步驟六組成的整體步驟在工藝順序上互換。5.如權(quán)利要求1所述的CMOS工藝中多晶硅電阻的制造方法，其特征在于:步驟二對所述多晶硅層進行刻蝕之后還包括進行所述NMOS器件的N型輕摻雜漏注入以及所述PMOS器件的P型輕摻雜漏注入的工藝步驟。6.如權(quán)利要求5所述的CMOS工藝中多晶硅電阻的制造方法，其特征在于:在所述NMOS器件的N型輕摻雜漏注入以及所述PMOS器件的P型輕摻雜漏注入完成之后還包括在所述NMOS器件的多晶硅柵、所述PMOS器件的多晶硅柵和所述多晶硅電阻的側(cè)面形成側(cè)墻的工藝步驟。7.如權(quán)利要求1所述的CMOS工藝中多晶硅電阻的制造方法，其特征在于:步驟二對所述多晶硅層進行刻蝕之后還包括在所述NMOS器件的多晶硅柵、所述PMOS器件的多晶硅柵和所述多晶硅電阻的側(cè)面形成側(cè)墻的工藝步驟。8.如權(quán)利要求1所述的CMOS工藝中多晶硅電阻的制造方法，其特征在于:步驟七的所述快速熱退火之后還包括在所述多晶硅電阻的頂部表面和側(cè)面形成金屬硅化物阻擋層的步驟。9.如權(quán)利要求2所述的CMOS工藝中多晶硅電阻的制造方法，其特征在于:在所述硅襯底表面形成有場氧層，由所述場氧層隔離出有源區(qū)。10.如權(quán)利要求9所述的CMOS工藝中多晶硅電阻的制造方法，其特征在于:所述場氧層為局部氧化工藝形成的局部場氧層。11.如權(quán)利要求9所述的CMOS工藝中多晶硅電阻的制造方法，其特征在于:所述場氧層為采用淺溝槽隔離工藝形成淺溝槽場氧層。12.如權(quán)利要求9所述的CMOS工藝中多晶硅電阻的制造方法，其特征在于:所述多晶硅電阻位于所述場氧層頂部。13.如權(quán)利要求9所述的CMOS工藝中多晶硅電阻的制造方法，其特征在于:所述NMOS器件位于所述有源區(qū)中；所述PMOS器件位于所述有源區(qū)中。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種CMOS工藝中多晶硅電阻的制造方法，包括如下步驟：依次形成柵介質(zhì)層和多晶硅層；進行光刻刻蝕同時形成多晶硅柵和多晶硅電阻；定義出N型源漏注入的注入?yún)^(qū)域，該區(qū)域同時包括多晶硅電阻的形成區(qū)域；進行N型源漏注入，該N型源漏注入同時將N型雜質(zhì)注入到多晶硅電阻中；定義出P型源漏注入的注入?yún)^(qū)域，該區(qū)域同時包括多晶硅電阻的形成區(qū)域；進行P型源漏注入，該P型源漏注入同時將P型雜質(zhì)注入到多晶硅電阻中；進行快速熱退火實現(xiàn)雜質(zhì)激活。本發(fā)明能降低成本。
【IPC分類】H01L21/8238, H01L21/02
【公開號】CN105023831
【申請?zhí)枴緾N201510315138
【發(fā)明人】王樂平
【申請人】上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
【公開日】2015年11月4日
【申請日】2015年6月10日