一種應(yīng)用于聲表面波濾波器的引線鍵合方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，尤其涉及一種應(yīng)用于聲表面波濾波器的引線鍵合方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著聲表面波技術(shù)的快速發(fā)展，聲表面波器件已經(jīng)廣泛的應(yīng)用在國(guó)防工程，這些領(lǐng)域?qū)β暠砻娌ㄆ骷募夹g(shù)指標(biāo)和可靠性要求也很高，聲表面波濾波器內(nèi)引線是實(shí)現(xiàn)聲表面波器件性能的重要紐帶，因此，對(duì)聲表面波器件芯片的設(shè)計(jì)和制作工藝的要求越來(lái)越高，而器件關(guān)鍵指標(biāo)和可靠性的實(shí)現(xiàn)離不開(kāi)設(shè)計(jì)和制作工藝的良好結(jié)合。
[0003]眾所周知，剝離工藝技術(shù)作為先進(jìn)的工藝技術(shù)在集成電路制作工藝中已經(jīng)較好的取代了傳統(tǒng)的濕法腐蝕工藝，使用剝離工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)聲表面波芯片制作的關(guān)鍵和難點(diǎn)就在于如何保證器件內(nèi)引線鍵合的合格率和可靠性。
[0004]使用剝離工藝技術(shù)的產(chǎn)品規(guī)范以內(nèi)引線鍵合的破壞性拉力測(cè)試值的大小來(lái)判定，在實(shí)際工藝開(kāi)發(fā)的過(guò)程中發(fā)現(xiàn)，當(dāng)高頻器件的功能膜厚度在50至10nm以內(nèi)時(shí)，存在焊點(diǎn)易虛焊或在拉力測(cè)試時(shí)表現(xiàn)出焊點(diǎn)脫落的現(xiàn)象，導(dǎo)致器件存在工藝不穩(wěn)定，可靠性不能保證的情況，使用剝離工藝技術(shù)制作高頻聲表面波器件，需要解決器件內(nèi)引線鍵合拉力問(wèn)題，而如何增強(qiáng)引線鍵合的拉力則成為了提升聲表面波濾波器性能的關(guān)鍵。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于發(fā)明一種應(yīng)用于聲表面波濾波器的引線鍵合方法，本發(fā)明在傳統(tǒng)聲表面波器件生產(chǎn)工藝的功能膜生長(zhǎng)前增加一種過(guò)渡膜，使附著在基片表面的功能膜的附著力大大增加，此舉提高了芯片電極的可焊性，實(shí)現(xiàn)了實(shí)現(xiàn)器件的內(nèi)引線鍵合可靠性的增長(zhǎng)。
[0006]本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種應(yīng)用于聲表面波濾波器的引線鍵合方法，包括以下步驟:
[0007]S1、對(duì)基板使用光刻膠進(jìn)行光刻處理；
[0008]S2、對(duì)光刻后的基板蒸鍍過(guò)渡膜；
[0009]S3、對(duì)所述基板蒸鍍功能膜；
[0010]S4、檢驗(yàn)基板的光刻效果和蒸鍍效果，并對(duì)檢驗(yàn)合格的基板進(jìn)行切割，獲得具有預(yù)定功能結(jié)構(gòu)的芯片；
[0011]S5、將所述芯片與管殼通過(guò)粘接劑進(jìn)行粘芯操作，實(shí)現(xiàn)所述芯片與管殼的物理連接;
[0012]S6、通過(guò)超聲波對(duì)所述芯片電極和所述管殼電極進(jìn)行引線鍵合。
[0013]優(yōu)選的，S2中通過(guò)BAK501電子束蒸鍍過(guò)渡膜。
[0014]優(yōu)選的，所述過(guò)渡膜材料為鈦。
[0015]優(yōu)選的，所述過(guò)渡膜厚度為15-25埃米。
[0016]實(shí)施本發(fā)明，具有如下有益效果:
[0017]本發(fā)明提供了一種應(yīng)用于聲表面波濾波器的引線鍵合方法，所述方法的核心在于在功能膜生長(zhǎng)前增加一種過(guò)渡膜，并進(jìn)行過(guò)渡膜材料的選擇和過(guò)渡膜厚度的選擇，經(jīng)過(guò)眾多實(shí)驗(yàn)研究，得到使用鈦金屬過(guò)渡膜能夠顯著提升功能膜附著力的結(jié)論，并且過(guò)渡膜厚度在15-25埃米的情況下，引線鍵合拉力提升、可焊性提升以及膜層附著效果達(dá)到綜合最優(yōu)化，從而解決了高頻聲表面波器件制作工藝中內(nèi)引線鍵合拉力的問(wèn)題，可實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)聲表面波器件芯片內(nèi)引線鍵合的牢固度的目標(biāo)，減少產(chǎn)品內(nèi)引線鍵合隱患，從而提高產(chǎn)品的合格率和可靠性。
【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1是本發(fā)明實(shí)施例聲表面波濾波器芯片與管殼結(jié)合處的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]其中:1_管殼，2-粘接劑，3-基板，4-鈦膜，5-功能膜，6-硅鋁絲，7-焊點(diǎn)。
【具體實(shí)施方式】
[0020]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0021]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種應(yīng)用于聲表面波濾波器的引線鍵合方法，包括以下步驟:
[0022]S1、對(duì)基板使用光刻膠進(jìn)行光刻處理；
[0023]S2、對(duì)光刻后的基板通過(guò)BAK501電子束蒸鍍過(guò)渡鈦膜，所述鈦膜厚度為20埃米；
[0024]S3、對(duì)所述基板蒸鍍功能膜；
[0025]S4、檢驗(yàn)基板的光刻效果和蒸鍍效果，并對(duì)檢驗(yàn)合格的基板進(jìn)行切割，獲得具有預(yù)定功能結(jié)構(gòu)的芯片；
[0026]S5、將所述芯片與管殼通過(guò)粘接劑進(jìn)行粘芯操作，實(shí)現(xiàn)所述芯片與管殼的物理連接;
[0027]S6、通過(guò)超聲波對(duì)所述芯片電極和所述管殼電極進(jìn)行引線鍵合。
[0028]另一個(gè)實(shí)施例，一種應(yīng)用于聲表面波濾波器的引線鍵合方法，包括以下步驟:
[0029]S1、對(duì)基板使用光刻膠進(jìn)行光刻處理；
[0030]S2、對(duì)光刻后的基板通過(guò)BAK501電子束蒸鍍過(guò)渡鈦膜，所述鈦膜厚度為15埃米；
[0031]S3、對(duì)所述基板蒸鍍功能膜；
[0032]S4、檢驗(yàn)基板的光刻效果和蒸鍍效果，并對(duì)檢驗(yàn)合格的基板進(jìn)行切割，獲得具有預(yù)定功能結(jié)構(gòu)的芯片；
[0033]S5、將所述芯片與管殼通過(guò)粘接劑進(jìn)行粘芯操作，實(shí)現(xiàn)所述芯片與管殼的物理連接;
[0034]S6、通過(guò)超聲波對(duì)所述芯片電極和所述管殼電極進(jìn)行引線鍵合.
[0035]再一個(gè)實(shí)施例，一種應(yīng)用于聲表面波濾波器的引線鍵合方法，包括以下步驟:
[0036]S1、對(duì)基板使用光刻膠進(jìn)行光刻處理；
[0037]S2、對(duì)光刻后的基板通過(guò)BAK501電子束蒸鍍過(guò)渡鈦膜，所述鈦膜厚度為25埃米；
[0038]S3、對(duì)所述基板蒸鍍功能膜；
[0039]S4、檢驗(yàn)基板的光刻效果和蒸鍍效果，并對(duì)檢驗(yàn)合格的基板進(jìn)行切割，獲得具有預(yù)定功能結(jié)構(gòu)的芯片；
[0040]S5、將所述芯片與管殼通過(guò)粘接劑進(jìn)行粘芯操作，實(shí)現(xiàn)所述芯片與管殼的物理連接;
[0041]S6、通過(guò)超聲波對(duì)所述芯片電極和所述管殼電極進(jìn)行引線鍵合。
[0042]根據(jù)上述方法，如圖1所示，基板3和功能膜5之間存在起到過(guò)渡作用的20埃米的鈦膜4，所述鈦膜4起到增強(qiáng)引線鍵合的牢固度的重要作用；所述管殼I和所述基板3之間有S5中粘芯操作所使用的粘接劑；所述硅鋁絲與所述焊點(diǎn)通過(guò)超聲波進(jìn)行引線鍵合，經(jīng)測(cè)試，存在15?25埃米的鈦膜4的情況下，所述鍵合處可承受13-18克的重量，不存在鈦膜4的情況下，所述鍵合處只能夠承受7-11克的重量。
[0043]以上所揭露的僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來(lái)限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，因此依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種應(yīng)用于聲表面波濾波器的引線鍵合方法，其特征在于，包括以下步驟: 51、對(duì)基板進(jìn)行光刻處理； 52、對(duì)光刻后的基板蒸鍍過(guò)渡膜； 53、對(duì)所述基板蒸鍍功能膜； 54、檢驗(yàn)基板的光刻效果和蒸鍍效果，并對(duì)檢驗(yàn)合格的基板進(jìn)行切割，獲得具有預(yù)定功能結(jié)構(gòu)的芯片； 55、將所述芯片與管殼進(jìn)行粘芯操作，實(shí)現(xiàn)所述芯片與管殼的物理連接； 56、通過(guò)超聲波對(duì)所述芯片電極和所述管殼電極進(jìn)行引線鍵合。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于聲表面波濾波器的引線鍵合方法，其特征在于，S2中通過(guò)BAK501電子束蒸鍍過(guò)渡膜。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種應(yīng)用于聲表面波濾波器的引線鍵合方法，其特征在于，所述過(guò)渡膜材料為鈦。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種應(yīng)用于聲表面波濾波器的引線鍵合方法，其特征在于，所述過(guò)渡膜厚度為15-25埃米。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種應(yīng)用于聲表面波濾波器的引線鍵合方法，所述方法的核心為過(guò)渡膜材料的選擇和過(guò)渡膜材料的厚度，經(jīng)過(guò)眾多實(shí)驗(yàn)研究，得到使用鈦金屬，并且過(guò)渡鈦膜厚度在15-25埃米的情況下，引線鍵合拉力提升效果與其它機(jī)械性能最優(yōu)化的結(jié)論，本發(fā)明對(duì)提升功能膜與壓電基板之間的附著力和可焊性有很大的提升，從而解決了高頻聲表面波器件制作工藝中內(nèi)引線鍵合拉力的問(wèn)題，可實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)聲表面波器件芯片內(nèi)引線鍵合的牢固度的目標(biāo)，減少產(chǎn)品內(nèi)引線鍵合隱患，從而提高產(chǎn)品的合格率和可靠性。
【IPC分類】H01P11/00
【公開(kāi)號(hào)】CN105024130
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510255895
【發(fā)明人】楊思川, 張厚玉, 張雅, 魏勇平, 黃歆, 李凱
【申請(qǐng)人】北京中科飛鴻科技有限公司
【公開(kāi)日】2015年11月4日
【申請(qǐng)日】2015年5月19日