批處理式基板處理裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種批處理式基板處理裝置。更具體地，涉及腔室內(nèi)部被劃分為第I溫度區(qū)域及比第I溫度區(qū)域溫度更高的第2溫度區(qū)域從而可連續(xù)地實(shí)施低溫基板處理工藝及高溫基板處理工藝的批處理式基板處理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在制造顯示器或半導(dǎo)體器件時(shí)所使用的基板處理裝置中所實(shí)施的基板的熱處理(Annealing)工藝是為了提高基板薄膜的特性而對(duì)基板上蒸鍍的膜進(jìn)行結(jié)晶化、相變化等的工藝。
[0003]圖1是現(xiàn)有的基板處理系統(tǒng)的示意圖?，F(xiàn)有的基板處理系統(tǒng)包括第I熱處理裝置1、第2熱處理裝置3、冷卻裝置5及用于搬送基板10的基板搬送機(jī)器人7。
[0004]基板10可為用于可撓性顯示器的柔性材料。例如，基板10可能是聚酰亞胺(polyimide:PI)系列的材料。
[0005]在第I熱處理裝置I中可實(shí)施約150?250°C的低溫?zé)崽幚砉に?。在第I熱處理裝置I中的低溫?zé)崽幚砉に嚱Y(jié)束之后，基板10可通過基板搬送機(jī)器人7搬送到第2熱處理裝置3中。在第2熱處理裝置3中可實(shí)施約400?450°C的高溫?zé)崽幚砉に?。在?熱處理裝置3中的高溫?zé)崽幚砉に嚱Y(jié)束之后，基板10可通過基板搬送機(jī)器人7搬送到冷卻裝置5而進(jìn)行冷卻。
[0006]如上，低溫?zé)崽幚砉に嚺c高溫?zé)崽幚砉に嚪珠_實(shí)施的理由在于，先對(duì)PI材料的基板10進(jìn)行低溫?zé)崽幚硪允蛊渲饾u固化而排出基板10內(nèi)部的水分、溶劑從而提高密度之后，通過高溫?zé)崽幚砉に囃瓿晒袒Ｈ绻R上實(shí)施高溫?zé)崽幚砉に?，則基板10內(nèi)部的水分、溶劑未能排出即被固化，從而基板10內(nèi)部產(chǎn)生缺陷(defect)。
[0007]然而，現(xiàn)有的基板處理系統(tǒng)，由于在單獨(dú)構(gòu)成的第I熱處理裝置I及第2熱處理裝置3中實(shí)施熱處理工藝，因此工藝耗時(shí)長達(dá)約400?500分鐘左右，這將導(dǎo)致生產(chǎn)率低下的問題。
[0008]此外，由于分兩個(gè)步驟實(shí)施熱處理工藝，因此在通過基板搬送機(jī)器人7搬送基板10的過程中存在基板10受損或被微細(xì)粒子污染的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明旨在解決如上所述的現(xiàn)有技術(shù)的諸多問題，其目的在于，提供一種可縮短基板處理工藝時(shí)間從而提高生產(chǎn)率的批處理式基板處理裝置。
[0010]此外，本發(fā)明的目的還在于，提供一種防止基板受損或被污染從而提高產(chǎn)品的可靠性及產(chǎn)量。
[0011]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的一實(shí)施例涉及的批處理式基板處理裝置，可對(duì)多個(gè)基板進(jìn)行基板處理，其特征在于，包括:本體，其包括腔室，該腔室用于提供對(duì)所述多個(gè)基板進(jìn)行基板處理的空間；多個(gè)加熱單元，配置在所述腔室的至少一側(cè)面上；基板搬送單元，在所述腔室內(nèi)搬送所述基板；其中，所述腔室被劃分為，對(duì)所述基板進(jìn)行基板處理的第I溫度區(qū)域及以比所述第I溫度區(qū)域更高的溫度對(duì)所述基板進(jìn)行基板處理的第2溫度區(qū)域。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的上述結(jié)構(gòu)，可縮短基板處理工藝的時(shí)間，且提高生產(chǎn)率。
[0013]此外，本發(fā)明還可防止基板受損或被污染，從而提高產(chǎn)品的可靠性及產(chǎn)量。
【附圖說明】
[0014]圖1是現(xiàn)有的基板處理系統(tǒng)的不意圖。
[0015]圖2是本發(fā)明的第一實(shí)施例涉及的批處理式基板處理裝置的立體圖。
[0016]圖3是本發(fā)明的第一實(shí)施例涉及的批處理式基板處理裝置的橫剖視圖。
[0017]圖4是本發(fā)明的一實(shí)施例涉及的支撐部件的立體圖。
[0018]圖5是本發(fā)明的第二實(shí)施例涉及的批處理式基板處理裝置的立體圖。
[0019]圖6是本發(fā)明的第二實(shí)施例涉及的批處理式基板處理裝置的橫剖視圖。
[0020]圖7是本發(fā)明的第三實(shí)施例涉及的批處理式基板處理裝置的立體圖。
[0021]圖8是本發(fā)明的第三實(shí)施例涉及的批處理式基板處理裝置的橫剖視圖。
[0022]附圖標(biāo)記
[0023]10:基板
[0024]10UOOr、100〃:批處理式基板處理裝置
[0025]101:腔室
[0026]103:第I溫度區(qū)域
[0027]105:第2溫度區(qū)域
[0028]110:本體
[0029]111:加強(qiáng)肋
[0030]115:本體冷卻/加熱部
[0031]118:加載口
[0032]119:卸載口
[0033]120:加熱單元
[0034]120a:單位加熱器
[0035]121、123:主加熱單元
[0036]125、127:輔助加熱單元
[0037]130:基板搬送單元
[0038]140:加載門
[0039]145:卸載門
[0040]150:隔斷口
【具體實(shí)施方式】
[0041]下面參照附圖，以可實(shí)施本發(fā)明的特定實(shí)施例為例對(duì)本發(fā)明作詳細(xì)說明。為了使所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員足以實(shí)施本發(fā)明，對(duì)這些實(shí)施例作詳細(xì)說明。本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例雖然各不相同，但應(yīng)理解為相互無排他性。例如，此處描述的一實(shí)施例中的特定形狀、結(jié)構(gòu)及特性，在不脫離本發(fā)明的精神及范圍的情況下，可用其他實(shí)施例實(shí)現(xiàn)。此外，應(yīng)理解為，公開的實(shí)施例中的各構(gòu)成要素的位置或者配置，可以在不脫離本發(fā)明的精神及范圍的情況下進(jìn)行變更。因此，下述的詳細(xì)說明并無限制之意，本發(fā)明的范圍僅以權(quán)利要求所記載的內(nèi)容為準(zhǔn)，包括與其所主張的內(nèi)容等同的所有范圍。附圖中類似的附圖標(biāo)記在多方面表示相同或類似的功能，為了便于說明，也可能對(duì)長度、面積、厚度及其形狀進(jìn)行夸大表示。
[0042]在本說明書中，可以理解為，基板包括在LED、IXD等顯示器上所使用的基板、半導(dǎo)體基板、太陽能電池基板等，優(yōu)選為在可撓性顯示器上所使用的柔性基板。
[0043]另外，在本說明書中，可以理解為，基板處理工藝包括蒸鍍工藝、熱處理工藝等，優(yōu)選為通過熱處理的基板固化工藝。
[0044]下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例涉及的批處理式基板處理裝置進(jìn)行詳細(xì)的說明。
[0045]圖2是本發(fā)明的第一實(shí)施例涉及的批處理式基板處理裝置100的立體圖，圖3是本發(fā)明的第一實(shí)施例涉及的批處理式基板處理裝置100的橫剖視圖。
[0046]參照?qǐng)D2及圖3，本實(shí)施例涉及的批處理式基板處理裝置100可以包括本體110、加熱單元120、基板搬送單元130。
[0047]在本體110的內(nèi)部形成有作為裝載并處理基板10的密閉空間的腔室101。本體110的材質(zhì)可以是石英(Quartz)、不銹鋼(SUS)、招(Aluminium)、石墨(Graphite)、碳化娃(Silicon carbide)或氧化招(Aluminium oxide)中的至少一種。
[0048]腔室101內(nèi)部可配置多個(gè)基板10。多個(gè)基板10各自保持規(guī)定間距垂直配置，各基板10可配置在基板搬送單元130上。另一方面，基板10可搭載在下述的支撐部件51、55(參照?qǐng)D4)上的狀態(tài)配置在腔室101內(nèi)部的基板搬送單元130上。但是，為了便于說明，本說明中僅圖示出在批處理式基板處理裝置100中處理一張基板10的形式。
[0049]在本體110的一面(例如正面)上可形成有作為加載基板10的通道的加載口 118。在本體的一面(例如背面)上可形成有作為卸載基板10的通道的卸載口 119。加載口 118和卸載口 119并非必須形成在本體110的相對(duì)置的面上。加載口 118可以形成在下述第I溫度區(qū)域103所在的本體110的一面上，卸載口 119可以形成在下述第2溫度區(qū)域105所在的本體110的一面上。
[0050]加載門140可以設(shè)置于本體110的一面(即，形成有加載口 118的一面)上，卸載門145可以設(shè)置于本體110的一面(S卩，形成有卸載口 119的一面)上。加載門140及卸載門145可以設(shè)置成能夠在前后方向、左右方向及上下方