一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示面板系統(tǒng)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]平板顯示器(Flat Panel Display, FPD)或薄膜太陽(yáng)能電池等近年來所制造的電氣產(chǎn)品都在基板上配置有薄膜晶體管，薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)是液晶顯示器的關(guān)鍵器件，對(duì)顯示器件的工作性能具有十分重要的作用。液晶顯示器上的每一液晶像素點(diǎn)都是由集成在其后的TFT來驅(qū)動(dòng)，從而可以做到高速度、高亮度、高對(duì)比度顯示屏幕?目息O
[0003]近年來低溫多晶硅液晶顯示技術(shù)因多晶硅迀移率高、TFT尺寸可以做小以提高開口率、可驅(qū)動(dòng)集成等優(yōu)勢(shì)，被廣泛應(yīng)用，但HADS背板制造工藝通常需要9-13構(gòu)圖工藝，構(gòu)圖工藝數(shù)量多，生產(chǎn)成本高。
[0004]綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板的構(gòu)圖工藝數(shù)量較多，造成陣列基板的生產(chǎn)效率低，且浪費(fèi)成本，降低了設(shè)備利用率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，用以減少陣列基板的構(gòu)圖工藝數(shù)量，從而降低陣列基板的生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率和設(shè)備利用率。
[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法，該方法包括:
[0007]在襯底基板上依次形成第一透明導(dǎo)電層和金屬層；
[0008]采用一次構(gòu)圖工藝形成柵電極、源電極、漏電極和第一透明電極。
[0009]通過本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法，首先在襯底基板上依次形成第一透明導(dǎo)電層，然后在所述第一透明導(dǎo)電層上形成金屬層，最后采用一次構(gòu)圖工藝形成柵電極、源電極、漏電極和第一透明電極，使得在一次構(gòu)圖工藝中形成柵電極，源電極、漏電極和第一透明電極，因此減少了陣列基板中的構(gòu)圖工藝數(shù)量，從而降低陣列基板的生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率和設(shè)備利用率。
[0010]較佳地，所述采用一次構(gòu)圖工藝形成柵電極、源電極、漏電極和第一透明電極，包括:
[0011 ] 在所述金屬層上形成光刻膠層；
[0012]對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光工藝，形成光刻膠不保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠完全保留區(qū)域；
[0013]去除不保留區(qū)域的光刻膠、金屬層和第一透明導(dǎo)電層；
[0014]采用灰化工藝去除部分保留區(qū)域的光刻膠；
[0015]去除部分保留區(qū)域的金屬層；
[0016]去除完全保留區(qū)域的光刻膠，形成柵電極、源電極、漏電極和第一透明電極。
[0017]較佳地，采用一次構(gòu)圖工藝形成柵電極、源電極、漏電極和第一透明電極的同時(shí)，還形成了公共電極線。
[0018]較佳地，所述在襯底基板上形成第一透明導(dǎo)電層和金屬層之前，該方法還包括:
[0019]在襯底基板上依次形成有源層和柵絕緣層。
[0020]較佳地，所述在形成柵電極、源電極、漏電極和第一透明電極之后，該方法還包括:
[0021]形成保護(hù)層，其中，所述有源層包括摻雜區(qū)域，在所述保護(hù)層上與所述有源層摻雜區(qū)域、源電極和漏電極對(duì)應(yīng)的位置形成漏出源電極、漏電極和有源層摻雜區(qū)域的過孔；
[0022]形成第二透明導(dǎo)電層，采用構(gòu)圖工藝形成第二透明電極、源電極與所述有源層摻雜區(qū)域的第一連接電極和漏電極與所述有源層摻雜區(qū)域的第二連接電極，所述第一連接電極和第二連接電極位于所述過孔中。
[0023]較佳地，所述有源層為低溫多晶硅，所述摻雜區(qū)域?yàn)镹型摻雜。
[0024]較佳地，所述第二透明電極為狹縫狀電極。
[0025]較佳地，所述第一透明電極和/或所述第二透明電極的材料為銦錫氧化物、銦錫氧化物、銦鎵鋅氧化物、銦錫鋅氧化物、錫鋅氧化物、鎵鋅氧化物、銦鎵氧化物。
[0026]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，采用本發(fā)明提供的陣列基板的制作方法形成。
[0027]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明提供的陣列基板。
【附圖說明】
[0028]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的流程示意圖；
[0029]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的結(jié)構(gòu)示意圖之一；
[0030]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的結(jié)構(gòu)示意圖之二；
[0031]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的結(jié)構(gòu)示意圖之三；
[0032]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的結(jié)構(gòu)示意圖之四；
[0033]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的結(jié)構(gòu)示意圖之五；
[0034]圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的結(jié)構(gòu)示意圖之六；
[0035]圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的結(jié)構(gòu)示意圖之七；
[0036]圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的結(jié)構(gòu)示意圖之八；
[0037]圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的結(jié)構(gòu)示意圖之九。
【具體實(shí)施方式】
[0038]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0039]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，用以減少陣列基板的構(gòu)圖工藝數(shù)量，從而降低陣列基板的生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率和設(shè)備利用率。
[0040]下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板及其制作方法、顯示裝置的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)地說明。
[0041]附圖中各膜層的厚度和區(qū)域的大小形狀不反映陣列基板各部件的真實(shí)比例，目的只是示意說明本
【發(fā)明內(nèi)容】
。
[0042]實(shí)施例1
[0043]參見圖1，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作方法，該方法包括:
[0044]S101、在襯底基板上依次形成第一透明導(dǎo)電層和金屬層；
[0045]S102、采用一次構(gòu)圖工藝形成柵電極、源電極、漏電極和第一透明電極。
[0046]需要說明的是第一透明電極為公共電極。本發(fā)明實(shí)施例中的構(gòu)圖工藝包括步驟:曝光、顯影。
[0047]其中，在步驟SlOl中，在襯底基板上依次形成第一透明導(dǎo)電層和金屬層之前，該方法還包括:
[0048]在襯底基板上依次形成有源層和柵絕緣層。
[0049]也就是說，在襯底基板上依次形成有源層、柵絕緣層、第一透明導(dǎo)電層和金屬層。
[0050]其中，在步驟S102中，采用一次構(gòu)圖工藝形成柵電極、源電極、漏電極和第一透明電極，具體包括:
[0051]在金屬層上形成光刻膠層；
[0052]對(duì)該光刻膠層進(jìn)行曝光工藝，形成光刻膠不保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠完全保留區(qū)域；
[0053]去除不保留區(qū)域的光刻膠、金屬層和第一透明導(dǎo)電層；
[0054]采用灰化工藝去除部分保留區(qū)域的光刻膠；
[0055]去除部分保留區(qū)域的金屬層；
[0056]去除完全保留區(qū)域的光刻膠，形成柵電極、源電極、漏電極和第一透明電極。
[0057]其中，在形成柵電極、源電極、漏電極和第一透明電極之后，該方法還包括:
[0058]形成保護(hù)層，其中有源層包括摻雜區(qū)域，在保護(hù)層上與有源層摻雜區(qū)域、源電極和漏電極對(duì)應(yīng)的位置分別形成露出有源層摻雜區(qū)域、源電極和漏電極過孔；
[0059]形成第二透明導(dǎo)電層，采用構(gòu)圖工藝形成第二透明電極、源電極與有源層摻雜區(qū)域的第一連接電極、和漏電極與有源層摻雜區(qū)域的第二連接電極，第一連接電極和第二連接電極位于過孔中。
[0060]需要說明的是，在保護(hù)層上形成與有源層摻雜區(qū)域?qū)?yīng)位置露出有源層摻雜區(qū)域的第一過孔，同時(shí)形成與源電極對(duì)應(yīng)的位置露出源電極的第二過孔，形成漏電極對(duì)應(yīng)的位置露出漏電極的第二過孔；在第二透明導(dǎo)電層中通過第一過孔和第二過孔對(duì)應(yīng)的位置處形成源電極與有源層摻雜區(qū)域的第一連接電極，通過第一過孔和第三過孔對(duì)應(yīng)的位置處形成漏電極與有源層摻雜區(qū)域的第二連接電極。所以，有源層摻雜區(qū)域通過第一連接電極與源極相連，通過第二連接電極與漏極相連。
[0061 ] 其中，有源層為低溫多晶硅Ρ-si，摻雜區(qū)域?yàn)镹型摻雜。
[0062]其中，第二透明電極為狹縫狀電極。
[0063]其中，去除完全保留區(qū)域的光刻膠，形成柵電極、源電極、漏電極和第一透明電極，具體包括:
[0064]在完全保留區(qū)域中，首先去除用于形成源電極和漏電極金屬層上的的光刻膠，使漏極層、源極層露出，形成漏電極和源電極；
[0065]其次，去除用于形成柵電極金屬層上的光刻膠，使柵極層露出，形成柵電極；
[0066]最后去除用于形成第一透明電極的光刻膠，使完全保留區(qū)域中的所有金屬均露出，形成第一透明電極；或者，
[0067]在完全保留區(qū)域中，首先去除用于形成柵電極金屬層上的光刻膠，使柵極層露出，形成柵電極；
[0068]其次，去除用于形成源電極和漏電極金屬層上的的光刻膠，使漏極層、源極層露出，形成漏電極和源電極；
[0069]最后去除用于形成第一透明電