3外側(cè)位置的下層封裝基板I的上表面焊接有第三錫球11，在下層封裝基板I的上方設(shè)有上層封裝基板6，在上層封裝基板6的下表面焊接有第一錫球10，第一錫球10與第三錫球11焊接在一起，在上層封裝基板6與下層封裝基板I之間設(shè)有第二塑封體5，在上層封裝基板6的上表面正裝有第二芯片7，第二芯片7與上層封裝基板6通過(guò)引線9相連，在上層封裝基板6上設(shè)有第一塑封體8，第一塑封體8將第二芯片7與引線9整體封裝。
[0031]所述下層封裝基板I的材料為陶瓷、印刷線路板或硅。
[0032]所述底填料4的材料為有機(jī)樹脂。
[0033]所述上層封裝基板6的材料為陶瓷、印刷線路板或硅。
[0034]所述第一塑封體8的材料為有機(jī)樹脂。
[0035]一種整體堆疊封裝結(jié)構(gòu)的制作方法包括以下步驟:
a、選擇上層封裝基板6，在上層封裝基板6上開設(shè)預(yù)留孔；
b、在上層封裝基板6的上表面采用正面直接貼片方式安裝第一芯片7;
C、第一芯片7的上表面與上層封裝基板6的上表面采用引線9連接，實(shí)現(xiàn)信號(hào)互聯(lián)；
d、在上層封裝基板6的下表面焊接第一錫球10，得到上拼板封裝，備用；
e、選擇下層封裝基板1，在下層封裝基板I的上表面焊接第三錫球11;
f、在下層封裝基板I的上表面采用倒扣貼片方式安裝第二芯片3，以實(shí)現(xiàn)第二芯片3與下層封裝基板I信號(hào)的互連；
g、在第二芯片3與下層封裝基板I之間進(jìn)行底填操作，底填操作時(shí)底填料4溫度控制在65~75°C，底填操作結(jié)束形成底填料4，加固第二芯片3與下層封裝基板I的連接，得到下拼板封裝，備用；
h、將上拼板封裝與下拼板封裝固定對(duì)扣，再通過(guò)加熱將第一錫球10與第三錫球11互連，實(shí)現(xiàn)上拼板封裝與下拼板封裝之間的信號(hào)互連，得到整體拼板封裝；
1、通過(guò)預(yù)留孔將注塑料注塑入整個(gè)整體拼板封裝中，由于在上層封裝基板6設(shè)有預(yù)留孔，注塑料會(huì)通過(guò)預(yù)留孔流入上拼板封裝與下拼板封裝之間的空間，完成單次整體注塑，從而形成第一塑封體8與第二塑封體5，得到注塑后整體封裝拼板；
j、在整體封裝拼板的下層封裝基板I的下表面焊接上第二錫球2 ;
k、沿著預(yù)留孔邊緣位置將整個(gè)拼板切割成型，形成獨(dú)立的單位封裝體，該獨(dú)立的單位封裝體即為整體堆疊封裝結(jié)構(gòu)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種整體堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征是:它包括下層封裝基板(1)、第二錫球(2)、第二芯片(3)、底填料(4)、第二塑封體(5)、上層封裝基板(6)、第一芯片(7)、第一塑封體(8)、引線(9)、第一錫球(10)與第三錫球(11);在下層封裝基板(I)的下表面焊接有第二錫球(2)，在下層封裝基板(I)的上表面通過(guò)底填料(4 )倒裝有第二芯片(3 )，在第二芯片(3 )外側(cè)位置的下層封裝基板(I)的上表面焊接有第三錫球(11)，在下層封裝基板(I)的上方設(shè)有上層封裝基板(6)，在上層封裝基板(6)的下表面焊接有第一錫球(10)，第一錫球(10)與第三錫球(11)焊接在一起，在上層封裝基板(6)與下層封裝基板(I)之間設(shè)有第二塑封體(5)，在上層封裝基板(6)的上表面正裝有第二芯片(7)，第二芯片(7)與上層封裝基板(6)通過(guò)引線(9 )相連，在上層封裝基板(6 )上設(shè)有第一塑封體(8 )，第一塑封體(8 )將第二芯片(7 )與引線(9)整體封裝。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整體堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征是:所述下層封裝基板(I)的材料為陶瓷、印刷線路板或硅。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整體堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征是:所述底填料(4)的材料為有機(jī)樹脂。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整體堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征是:所述上層封裝基板(6)的材料為陶瓷、印刷線路板或硅。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整體堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征是:所述第一塑封體(8)的材料為有機(jī)樹脂。6.一種整體堆疊封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征是該方法包括以下步驟: a、選擇上層封裝基板(6)，在上層封裝基板(6 )上開設(shè)預(yù)留孔； b、在上層封裝基板(6)的上表面采用正面直接貼片方式安裝第一芯片(7); C、第一芯片(7)的上表面與上層封裝基板(6)的上表面采用引線(9)連接，實(shí)現(xiàn)信號(hào)互聯(lián); d、在上層封裝基板(6)的下表面焊接第一錫球(10)，得到上拼板封裝，備用； e、選擇下層封裝基板(1)，在下層封裝基板(I)的上表面焊接第三錫球(11); f、在下層封裝基板(I)的上表面采用倒扣貼片方式安裝第二芯片(3)，以實(shí)現(xiàn)第二芯片(3)與下層封裝基板(I)信號(hào)的互連； g、在第二芯片(3)與下層封裝基板(I)之間進(jìn)行底填操作，底填操作時(shí)底填料(4)溫度控制在65~75°C，底填操作結(jié)束形成底填料(4)，加固第二芯片(3)與下層封裝基板(I)的連接，得到下拼板封裝，備用； h、將上拼板封裝與下拼板封裝固定對(duì)扣，再通過(guò)加熱將第一錫球(10)與第三錫球(11)互連，實(shí)現(xiàn)上拼板封裝與下拼板封裝之間的信號(hào)互連，得到整體拼板封裝； i、通過(guò)預(yù)留孔將溫度已經(jīng)加熱至170~180°C的注塑料注塑入整個(gè)整體拼板封裝中，由于在上層封裝基板(6)設(shè)有預(yù)留孔，注塑料會(huì)通過(guò)預(yù)留孔流入上拼板封裝與下拼板封裝之間的空間，冷卻至室溫，完成單次整體注塑，從而形成第一塑封體(8)與第二塑封體(5)，得到注塑后整體封裝拼板； j、在整體封裝拼板的下層封裝基板(I)的下表面焊接上第二錫球(2); k、沿著預(yù)留孔邊緣位置將整個(gè)拼板切割成型，形成獨(dú)立的單位封裝體，該獨(dú)立的單位封裝體即為整體堆疊封裝結(jié)構(gòu)。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種整體堆疊封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，在下層封裝基板的下表面焊接有第二錫球，在下層封裝基板的上表面通過(guò)底填料倒裝有第二芯片，在第二芯片外側(cè)位置的下層封裝基板的上表面焊接有第三錫球，在下層封裝基板的上方設(shè)有上層封裝基板，在上層封裝基板的下表面焊接有第一錫球，第一錫球與第三錫球焊接在一起，在上層封裝基板與下層封裝基板之間設(shè)有第二塑封體，在上層封裝基板的上表面正裝有第二芯片，第二芯片與上層封裝基板通過(guò)引線相連，在上層封裝基板上設(shè)有第一塑封體，第一塑封體將第二芯片與引線整體封裝。本發(fā)明工藝流程步驟較少，工藝簡(jiǎn)單；由于采用上下整體拼板單次塑封，其生產(chǎn)效率較高，成本隨之降低。
【IPC分類】H01L21/56, H01L21/58, H01L23/13, H01L23/31
【公開號(hào)】CN105047617
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510313834
【發(fā)明人】徐健
【申請(qǐng)人】華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司
【公開日】2015年11月11日
【申請(qǐng)日】2015年6月9日