> D= (4/ JT) X [500/ {(22+23+19) /3} ] = 29.9 μ m。
[0036]構(gòu)成支撐基板的多晶陶瓷燒結(jié)體，優(yōu)選是含有鋁原子或二氧化硅原子的陶瓷的燒結(jié)體，特別優(yōu)選為氧化鋁、氮化鋁、氮化娃、碳化娃。
[0037]適宜的實(shí)施方式中，構(gòu)成支撐基板的多晶陶瓷燒結(jié)體，以純度99.9%以上的陶瓷粉末為原料、通過燒結(jié)而制造。
[0038]透光性氧化鋁的情況下，優(yōu)選對(duì)于純度99.9%以上(優(yōu)選99.95%以上)的高純度氧化鋁粉末添加10ppm以上、300ppm以下的氧化鎂粉末。作為此種高純度氧化鋁粉末，可例示有大明化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社制造的高純度氧化鋁粉體。此外，該氧化鎂粉末的純度優(yōu)選99.9%以上，平均粒徑優(yōu)選0.3 μπι以下。
[0039]多晶陶瓷燒結(jié)體的成形方法并無特別限定，可以是刮刀法、擠出法、凝膠注塑法等任意的方法。特別優(yōu)選使用凝膠注塑法制造空白基板?；蛘咭部梢詫⑻沾傻膸畛尚误w通過具有用于形成切口的目標(biāo)形狀的金屬模具進(jìn)行沖裁加工，制作成形體，將該成形體燒結(jié)，由此得到多晶陶瓷燒結(jié)體。此時(shí)，可以通過該帶狀成形體的沖裁加工而成形燒成面。
[0040]適宜的實(shí)施方式中，如圖3所示，制造含有陶瓷粉末、分散介質(zhì)以及凝膠劑的漿料，將該漿料注入模具，使其凝膠化，由此得到成形體。在這里，在凝膠成形階段，在模具上涂布脫模劑，組合模具，將漿料注入模具。接著，使凝膠在模具內(nèi)固化，得到成形體，將成形體脫模。接著將模具洗凈。將該凝膠成形體燒結(jié)，由此得到空白基板。
[0041 ] 在這里，本發(fā)明中，可以通過模具的內(nèi)部形狀，在成形體上形成切口。
[0042]接著，將凝膠成形體干燥，優(yōu)選在大氣中預(yù)燒，接著，在氫中正式燒結(jié)。正式燒結(jié)時(shí)的燒結(jié)溫度，基于燒結(jié)體致密化的觀點(diǎn)，優(yōu)選1700?1900°C，更優(yōu)選1750?1850°C。
[0043]此外，在燒結(jié)時(shí)生成充分致密的燒結(jié)體后，可以通過進(jìn)一步追加實(shí)施退火處理來修正翹曲。該退火溫度，基于防止變形或產(chǎn)生異常晶粒生長(zhǎng)的同時(shí)促進(jìn)燒結(jié)助劑排出的觀點(diǎn)，優(yōu)選在燒結(jié)時(shí)的最高溫度±100°C以內(nèi)，更優(yōu)選最高溫度在1900°C以下。此外，退火時(shí)間優(yōu)選為I?6小時(shí)。
[0044]另外，退火溫度優(yōu)選在燒結(jié)時(shí)的最高溫度+0?100°C的范圍內(nèi)。
[0045]通過對(duì)如此得到的空白基板進(jìn)行精密研磨加工，減小其接合面3的Ra。作為此種精密研磨加工，一般是CMP(Chemical Mechanical Polishing，化學(xué)機(jī)械拋光)加工。作為其中使用的研磨楽料，使用的是堿性或中性溶液中分散了 30nm?200nm粒徑的磨粒的研磨漿料。作為磨粒材質(zhì)，可例示有，二氧化硅、氧化鋁、金剛石、氧化鋯、氧化鈰，將它們單獨(dú)或組合使用。此外，拋光墊可例示有，硬質(zhì)聚氨酯拋光墊、無紡布拋光墊、麂皮絨拋光墊。
[0046]
此外，理想的是在實(shí)施粗研磨加工后，實(shí)施最終的精密研磨加工前進(jìn)行退火處理。退火處理的環(huán)境氣體可例示有，大氣、氫、氮、氬、真空。優(yōu)選退火溫度為1200?1600°C，退火時(shí)間為2?12小時(shí)。由此，可以無損表面的平滑而促進(jìn)燒結(jié)助劑的排出。
[0047](復(fù)合晶片)
復(fù)合晶片7，例如圖4(c)所示，是支撐基板IA(IB)和施主基板6接合而成的產(chǎn)物。
[0048]首先，準(zhǔn)備具有切口 2A(2B)的規(guī)定直徑及厚度的支撐基板IA(IB)(圖4(a))。此夕卜，準(zhǔn)備具有與支撐基板相同直徑、并且具有切口 5的半導(dǎo)體基板14。接著，通過離子注入法或研磨使得半導(dǎo)體基板14變薄至規(guī)定厚度，由此使其成為施主基板6，將施主基板與支撐基板接合，得到復(fù)合晶片7 (參照?qǐng)D4 (c))。
[0049]通過離子注入法使半導(dǎo)體基板14薄板化的情況下，向半導(dǎo)體基板14中預(yù)先打入離子，將其與支撐基板IA(IB)接合后，機(jī)械性或熱性剝離一部分半導(dǎo)體基板14。將半導(dǎo)體基板14薄板化時(shí)，如果想要減少對(duì)于半導(dǎo)體基板14的損傷，優(yōu)選不使用離子注入法，而使用研磨。
[0050]在如此得到的復(fù)合晶片7上，之后使用一般的光刻技術(shù)繪制圖案。具體的，在施主基板6的表面6a涂布光致抗蝕劑并使其干燥，通過光掩模向光致抗蝕劑照射光(掩模曝光)。接著浸漬于顯影液，除去不需要的光致抗蝕劑。光致抗蝕劑為負(fù)性抗蝕劑的情況下，光致抗蝕劑中照射到光的部分殘留在施主基板6上。另一方面，光致抗蝕劑為正性抗蝕劑的情況下，光致抗蝕劑中沒有照射到光的部分殘留在施主基板6上。然后，通過蝕刻除去施主基板6表面中沒有被光致抗蝕劑覆蓋的部分。
[0051]復(fù)合晶片的厚度根據(jù)JEITA或SEMI標(biāo)準(zhǔn)確定。例如，4英寸晶片的情況下，厚度可以為0.525mm，6英寸晶片的情況下，厚度可以為0.625mm，8英寸晶片的情況下，厚度可以為0.725mm0
[0052](接合形態(tài))
作為接合所使用的技術(shù)，并無特別限定，可以使用例如通過表面活性化直接接合的技術(shù)、或使用粘合層的基板接合技術(shù)。
直接接合適宜使用通過表面活性化進(jìn)行的低溫接合技術(shù)?？梢栽谡婵諣顟B(tài)下通過02或N2等離子體實(shí)施表面活性化后，令Si等單晶材料在常溫下介由S12等粘合層與多晶材料接合。
[0053]作為粘合層的例子，除了通過樹脂粘合以外，可使用Si02、A1203、SiN0 【實(shí)施例】
[0054](實(shí)施例1)
為了確認(rèn)本發(fā)明的效果，使用透光性氧化鋁陶瓷，參照?qǐng)D3，同時(shí)根據(jù)說明的步驟制作8英寸的支撐基板，實(shí)施評(píng)價(jià)。
[0055]首先，為了制作透光性氧化鋁陶瓷制的空白基板，調(diào)制以下成分混合而成的漿料。
(原料粉末)
?比表面積3.5?4.5m2/g，平均一次粒徑0.35?0.45 μ m的α -氧化鋁粉末
100質(zhì)量份
?MgO (氧化鎂)0.025質(zhì)量份
?ZrO2 (氧化鋯)0.040質(zhì)量份
?Y2O3 (氧化釔)0.0015質(zhì)量份 (分散介質(zhì))
?戊二酸二甲酯27質(zhì)量份
?乙二醇0.3質(zhì)量份
(凝膠劑)
?MDI樹脂4質(zhì)量份 (分散劑)
?高分子表面活性劑3質(zhì)量份
(催化劑)
?N，N-二甲基氨基己醇0.1質(zhì)量份
[0056]在室溫下將該漿料注入鋁合金制的模具后，室溫下放置I小時(shí)。接著40°C下放置30分鐘，固化后脫模。再于室溫、接著于90°C下分別放置2小時(shí)，得到板狀的粉末成形體。
[0057]
將得到的粉末成形體在大氣中以1100°c預(yù)燒(預(yù)燒結(jié))后，在氫3:氮I的氣氛中以1750°C燒結(jié)，然后，以相同條件實(shí)施退火處理，作為空白基板。
[0058]但是，本實(shí)施例中，通過在凝膠注塑用的模具內(nèi)部設(shè)置切口成形部分，由此在成形體上形成切口。切口成形部分的形態(tài)，是在燒結(jié)收縮后可以得到SEMI標(biāo)準(zhǔn)下的切口的形狀。
[0059]
對(duì)制作的空白基板實(shí)施高精度研磨加工。首先通過綠碳化硅進(jìn)行雙面研磨加工調(diào)整出形狀后，通過金剛石研磨漿實(shí)施雙面研磨加工。金剛石的粒徑為3 μπι。最后通過S12磨粒和金剛石磨粒進(jìn)行CMP加工，實(shí)施洗凈。另外，洗凈采用的是一般的半導(dǎo)體洗凈工序中所使用的RCA洗凈。
[0060]根據(jù)AFM的接合面3的表面粗糙度測(cè)定結(jié)果，Ra值為1.5nm( □ 70 μπι視野)。通過激光顯微鏡確認(rèn)燒結(jié)體的平均粒徑為30 μπι。
此外，切口的表面粗糙度Ra為0.3 μ m。
[0061]其結(jié)果是，洗凈后，一個(gè)8英寸支撐基板上，大小在2 μπι以上的微粒數(shù)為5個(gè)。
[0062](比較例I)
與實(shí)施例1同樣的制造支撐基板。
切口沒有在凝膠注塑成形時(shí)成形。作為替代，在CMP加工前通過磨削而形成切口。
[0063]
根據(jù)AFM的接合面表面粗糙度測(cè)定結(jié)果，Ra值為1.5nm( □ 70 μπι視野)。通過激光顯微鏡確認(rèn)燒結(jié)體的平均粒徑為30 μπι。
此外，切口的表面粗糙度Ra為0.8 μ m。
[0064]其結(jié)果是，洗凈后，一個(gè)8英寸支撐基板上，大小在2 μπι以上的微粒數(shù)約為200個(gè)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種支撐基板，是半導(dǎo)體用復(fù)合晶片的支撐基板， 所述支撐基板由多晶陶瓷燒結(jié)體形成，在所述支撐基板的外周邊緣部有切口，所述切口由燒結(jié)面形成。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的支撐基板，其中，所述燒成面的表面粗糙度Ra在0.5 μπι以下。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的支撐基板，其中，所述燒成面通過凝膠注塑成形而成形。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的支撐基板，其中，所述多晶陶瓷燒結(jié)體通過帶狀成形體的燒結(jié)而制作，所述帶狀成形體是使用目標(biāo)形狀的金屬模具進(jìn)行沖裁加工而成的，所述燒成面通過所述帶狀成形體的所述沖裁加工而成形。5.根據(jù)權(quán)利要求1?4任意一項(xiàng)所述的支撐基板，其中，所述多晶陶瓷燒結(jié)體為透光性氧化鋁。6.根據(jù)權(quán)利要求1?5任意一項(xiàng)所述的支撐基板，其中，依據(jù)的是SEMI標(biāo)準(zhǔn)。7.一種半導(dǎo)體用復(fù)合晶片，具有權(quán)利要求1?6任意一項(xiàng)所述的支撐基板、以及與所述支撐基板的接合面接合的施主基板。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的復(fù)合晶片，其中，所述施主基板由單晶硅構(gòu)成。
【專利摘要】一種半導(dǎo)體用復(fù)合晶片的支撐基板，可以抑制形成有切口的晶片的微粒。半導(dǎo)體用復(fù)合晶片的支撐基板(1A)、(1B)由多晶陶瓷燒結(jié)體形成，在外周邊緣部有切口(2A)、(2B)。切口由燒成面形成。
【IPC分類】H01L21/02, C04B35/115
【公開號(hào)】CN105051862
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480016581
【發(fā)明人】高垣達(dá)朗, 巖崎康范, 宮澤杉夫, 井出晃啟, 中西宏和
【申請(qǐng)人】日本礙子株式會(huì)社
【公開日】2015年11月11日
【申請(qǐng)日】2014年10月15日
【公告號(hào)】EP2953157A1, US20150357221, WO2015102065A1