層間介電層201上沉積形成絕緣層203，并且將絕緣層203填滿溝槽。
[0037]刻蝕所述金屬層202，首先在所述金屬層上形成圖案化的掩膜層，例如光刻膠層，或者光刻膠層以及有機(jī)抗反射層等形成的疊層，其中所述掩膜層中定義了所述溝槽的形狀以及關(guān)鍵尺寸，然后以所述掩膜層為掩膜蝕刻所述金屬層202，形成溝槽。在該步驟中，選用干法或者濕法蝕刻所述金屬層202，當(dāng)選用干法蝕刻時(shí)，可以選用Cl2等離子體或Cl2和BCl3的組合，在本發(fā)明的一【具體實(shí)施方式】中，所述干法蝕刻可以選用BCl3和Cl2，其中氣體流量為10?2000sccm，優(yōu)選為50?200sccm，所述蝕刻壓力為30mTorr?0.15atm,蝕刻時(shí)間為5?1200s，但并不局限于所列舉的數(shù)值范圍。
[0038]當(dāng)選用濕法蝕刻時(shí)，可以選用HCl和NaOH的組合，其中選用較稀的HCl和NaOH水溶液，HCl的濃度為9.5%?10.5% (質(zhì)量分?jǐn)?shù))，所述NaOH水溶液的濃度為0.1-1.2mol/L，但并不局限于所述濃度，所述蝕刻方法也并不局限于該實(shí)施例。
[0039]用化學(xué)氣相沉積法在所述金屬層202和所述層間介電層202上形成絕緣層203，并且將絕緣層203填滿溝槽，用來作為器件間的隔離。本實(shí)施例中，絕緣層203的厚度為2000?10000埃，優(yōu)選為5000埃至6000埃；絕緣層203優(yōu)選為硅氧化物層。絕緣層203的材料可以是正硅酸乙酯(TEOS)、高密度等離子S12或富氧二氧化硅(SRO)，本實(shí)施例優(yōu)選高密度等離子Si02。在本發(fā)明的一【具體實(shí)施方式】中所述高密度等離子S12層的形成方法為高密度等離子體化學(xué)氣相淀積(HDP CVD)。由于絕緣層203沉積于金屬層202上和填滿溝槽后的高度不一致，因此絕緣層203在溝槽處有凹陷。
[0040]如圖2C所示，刻蝕絕緣層203至露出金屬層202，形成反射鏡面204陣列，同時(shí)在所述溝槽中剩余部分絕緣層203。
[0041]在所述蝕刻步驟中選用反應(yīng)離子蝕刻，在本發(fā)明的一【具體實(shí)施方式】中，所述反應(yīng)離子刻蝕選用CxFy氣體，例如CF4、CHF3, C4F8或C5F8，在本發(fā)明的一【具體實(shí)施方式】中，所述蝕刻可以選用CF4、CHF3，另外加上N2、CO2中的一種作為蝕刻氣氛，其中CF4流量為10?200sccm，CHF流量為310?200sccm，N2或CO2或O2流量為10?400sccm，所述蝕刻壓力為30?150mTorr，蝕刻時(shí)間為5?120s，優(yōu)選為5?60s，更優(yōu)選為5?30s。
[0042]由于經(jīng)過此步刻蝕后，反射鏡面204表面無絕緣層存在，表面光滑平整，無需再進(jìn)行化學(xué)機(jī)械平坦化(CMP)步驟，即可滿足器件對(duì)反射率的要求。
[0043]在反射鏡面204陣列及溝槽上表面形成氧化物層205。所述氧化物層材料為由等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積工藝制備的正硅酸乙酯TEOS (PETEOS)。此步驟沉積厚度比較薄的氧化物層即可工藝滿足要求，作為一個(gè)實(shí)例，所述氧化物層205的厚度范圍為100?1000埃。
[0044]之后，還需刻蝕去除溝槽中的氧化物層205，保留反射鏡面204上的比較薄的氧化物層205，并將硅基底100內(nèi)已經(jīng)合金化后的金屬焊盤打開(未示出)。具體地，在氧化物層205上形成圖案化的光阻層，其中所述光阻中定義了溝槽的形狀以及關(guān)鍵尺寸，以光阻層為掩膜，刻蝕溝槽中填充的氧化物層205。
[0045]圖3為本發(fā)明實(shí)施例一中制作硅基液晶顯示裝置反射鏡面的工藝流程圖包括以下步驟:
[0046]在步驟301中，提供硅基底，所述硅基底表面形成有層間介電層，進(jìn)行合金工藝；
[0047]在步驟302中，在所述層間介電層上形成金屬層；
[0048]在步驟303中，刻蝕金屬層至露出層間介電層，以形成溝槽；
[0049]在步驟304中，在所述金屬層和所述層間介電層上沉積形成絕緣層，并將絕緣層填滿溝槽；
[0050]在步驟305中，刻蝕絕緣層至露出金屬層，以形成反射鏡面陣列，同時(shí)在所述溝槽中剩余部分所述絕緣層；
[0051]在步驟306中，在反射鏡面陣列上形成氧化物層。
[0052]本發(fā)明提出的LCOS鏡面硅基液晶顯示裝置反射鏡面的制作方法，不使用化學(xué)機(jī)械平坦化工藝，而是對(duì)絕緣進(jìn)行刻蝕暴露出反射鏡面后直接進(jìn)行下步工藝，這樣可以有效避免金屬層的表面在CMP過程中產(chǎn)生凹陷、微劃痕和氧化等缺陷，提高了反射鏡面的反射率，同時(shí)制程的節(jié)約，還可提升產(chǎn)量，降低生產(chǎn)成本。
[0053]實(shí)施例二
[0054]本發(fā)明實(shí)施例提供一種采用實(shí)施例一中方法制作的硅基液晶顯示裝置反射鏡面，所述方法不包括化學(xué)機(jī)械研磨步驟。
[0055]由于所述反射鏡面的制作過程中未使用化學(xué)機(jī)械研磨步驟，因此反射鏡面沒有CMP過程中產(chǎn)生的表面凹陷、微劃痕和氧化等缺陷，反射鏡面的反射率也得以提高。
[0056]實(shí)施例三
[0057]本發(fā)明實(shí)施例提供一種硅基液晶顯示裝置，其包括實(shí)施例二中所述的硅基液晶顯示裝置反射鏡面。由于使用的硅基液晶顯示裝置反射鏡面具有良好的反射率，該液晶顯示裝置相應(yīng)的也具有優(yōu)異的性能和良品率。
[0058]本發(fā)明已經(jīng)通過上述實(shí)施例進(jìn)行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種硅基液晶顯示裝置反射鏡面的制作方法，所述方法包括: 提供硅基底，在所述硅基底上形成金屬層； 刻蝕所述金屬層至露出所述硅基底，以形成溝槽； 在所述硅基底和金屬層上沉積形成絕緣層，且將所述絕緣層填滿所述溝槽； 刻蝕所述絕緣層至露出所述金屬層，以形成反射鏡面陣列，且所述溝槽中剩余部分所述絕緣層； 在所述反射鏡面陣列上形成氧化物層。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅基底表面與所述金屬層之間還形成有層間介電層。3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述金屬層之前還包括對(duì)所述硅基底進(jìn)行合金工藝的步驟。4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬層選用金屬鋁、銅鋁合金和銀中的一種或幾種。5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述絕緣層為硅氧化物層。6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，選用化學(xué)氣相沉積法沉積形成所述絕緣層。7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化物層為正硅酸乙酯層。8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用化學(xué)氣相沉積法沉積形成所述氧化物層。9.一種采用權(quán)利要求1-8之一所述方法制作的硅基液晶顯示裝置反射鏡面，其特征在于，所述方法不包括化學(xué)機(jī)械研磨步驟。10.一種硅基液晶顯示裝置，其包括權(quán)利要求9所述的硅基液晶顯示裝置反射鏡面。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種硅基液晶顯示裝置反射鏡面及其制作方法，所述方法包括：提供硅基底，在所述硅基底上形成金屬層；刻蝕所述金屬層至露出所述硅基底，以形成溝槽；在所述硅基底和金屬層上沉積形成絕緣層，且將所述絕緣層填滿所述溝槽；刻蝕所述絕緣層至露出所述金屬層，以形成反射鏡面陣列，且所述溝槽中剩余部分所述絕緣層；在所述反射鏡面陣列上形成氧化物層。根據(jù)本發(fā)明的制作方法，可有效避免金屬層的表面在CMP過程中產(chǎn)生凹陷、微劃痕和氧化等缺陷，提高了反射鏡面的反射率，同時(shí)還可有效提升產(chǎn)量，降低生產(chǎn)成本。
【IPC分類】H01L21/00, H01L21/027, G02F1/1362, G03F7/00
【公開號(hào)】CN105097422
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410191463
【發(fā)明人】陳宇涵, 李海艇, 周強(qiáng), 葉菲
【申請(qǐng)人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
【公開日】2015年11月25日
【申請(qǐng)日】2014年5月7日