一種tft基板、tft開關(guān)管及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種TFT基板、TFT開關(guān)管及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在TFT-LCD(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display薄膜晶體管液晶顯示器)顯示技術(shù)中，通過(guò)TFT開關(guān)管控制上、下基板產(chǎn)生的電場(chǎng)來(lái)改變液晶分子的偏轉(zhuǎn)方向，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)透明像素的光強(qiáng)的控制。常用的TFT開關(guān)管通常由三電極(柵極、源極以及漏極)、柵極絕緣層以及半導(dǎo)體活性層組成。在實(shí)際生產(chǎn)中，綜合考慮器件性能、制程與成本的周期，一般采用四道光罩或者五道光罩制程。
[0003]目前的主流制程中，源、漏電極的形成用同一道光罩，由于工業(yè)對(duì)于金屬的蝕刻通常采用化學(xué)方法，即采用蝕刻液進(jìn)行，源、漏電極間的距離設(shè)置過(guò)大，會(huì)造成TFT開關(guān)管的電阻提高，降低充電電流，源、漏電極間的距離設(shè)置過(guò)小，會(huì)造成濕法蝕刻的過(guò)程中存在短路的風(fēng)險(xiǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種TFT基板、TFT開關(guān)管及其制造方法，能夠在保證TFT開關(guān)管的電阻較低的情況下，降低源極和漏極蝕刻過(guò)程中短路風(fēng)險(xiǎn)。
[0005]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種TFT開關(guān)管的制造方法，該方法包括:提供一基板；在基板上設(shè)置柵極；在柵極上方設(shè)置一半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上設(shè)置與半導(dǎo)體層電連的源極；在源極上設(shè)置一第一絕緣層，并在第一絕緣層上設(shè)置像素電極，像素電極進(jìn)一步作為漏極通過(guò)設(shè)置在第一絕緣層上的第一通孔與半導(dǎo)體層電連。
[0006]其中，在基板上設(shè)置柵極的步驟包括:在基板上設(shè)置一與柵極同層且間隔設(shè)置的第一存儲(chǔ)電極。
[0007]其中，在柵極上方設(shè)置一半導(dǎo)體層的步驟之前包括:在柵極上設(shè)置一第二絕緣層，其中第二絕緣層的對(duì)應(yīng)第一存儲(chǔ)電極的區(qū)域未被半導(dǎo)體層覆蓋。
[0008]其中，在半導(dǎo)體層上設(shè)置與半導(dǎo)體層電連的源極的步驟進(jìn)一步包括:在第二絕緣層上的未被半導(dǎo)體層覆蓋的區(qū)域設(shè)置第二存儲(chǔ)電極，使得第二存儲(chǔ)電極對(duì)應(yīng)第一存儲(chǔ)電極設(shè)置。
[0009]其中，方法還包括:像素電極進(jìn)一步通過(guò)設(shè)置在第一絕緣層上的第二導(dǎo)通孔與第二存儲(chǔ)電極電連，以向由第一存儲(chǔ)電極和第二存儲(chǔ)電極所形成的存儲(chǔ)電容進(jìn)行充電。
[0010]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種TFT開關(guān)管，TFT開關(guān)管包括:基板；柵極，設(shè)置在基板上；半導(dǎo)體層，設(shè)置在柵極上方；源極，設(shè)置在半導(dǎo)體層上并與半導(dǎo)體層電連；第一絕緣層，設(shè)置在源極上，并在對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體層的位置設(shè)置第一通孔；像素電極，設(shè)置在第一絕緣層上，像素電極進(jìn)一步作為漏極通過(guò)第一通孔與半導(dǎo)體層電連。
[0011]其中，TFT開關(guān)管進(jìn)一步包括:第二絕緣層，設(shè)置在柵極上。
[0012]其中，TFT開關(guān)管進(jìn)一步包括:第一存儲(chǔ)電極，設(shè)置在基板上并與柵極同層且間隔設(shè)置，其中，第二絕緣層的對(duì)應(yīng)第一存儲(chǔ)電極的區(qū)域未被半導(dǎo)體層覆蓋；第二存儲(chǔ)電極，設(shè)置在第二絕緣層上的未被半導(dǎo)體層覆蓋的區(qū)域，使得第二存儲(chǔ)電極對(duì)應(yīng)第一存儲(chǔ)電極設(shè)置。
[0013]其中，第一絕緣層對(duì)應(yīng)第二存儲(chǔ)電極的位置進(jìn)一步設(shè)置第二通孔，像素電極進(jìn)一步通過(guò)第二導(dǎo)通孔與第二存儲(chǔ)電極電連，以向由第一存儲(chǔ)電極和第二存儲(chǔ)電極所形成的存儲(chǔ)電容進(jìn)行充電。
[0014]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的又一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種TFT基板，該TFT基板包括如前文所述的TFT開關(guān)管。
[0015]本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明提供一種TFT開關(guān)管的制造方法，該方法具體為:首先在基板上設(shè)置柵極，進(jìn)一步在柵極上方設(shè)置一半導(dǎo)體層，然后在半導(dǎo)體層上設(shè)置與半導(dǎo)體層電連的源極，最后在源極上設(shè)置一第一絕緣層，并在第一絕緣層上設(shè)置像素電極，像素電極進(jìn)一步作為漏極通過(guò)設(shè)置在第一絕緣層上的第一通孔與半導(dǎo)體層電連。因此，本發(fā)明的TFT開關(guān)管的源極和漏極為不同層設(shè)置，使得在源極和漏極的距離設(shè)置得較近的情況下，也不會(huì)存在蝕刻短路的風(fēng)險(xiǎn)，所以本發(fā)明在保證TFT開關(guān)管的電阻較低的情況下，同時(shí)能降低源極和漏極蝕刻過(guò)程中短路風(fēng)險(xiǎn)。進(jìn)一步的，由于漏極與柵極之間增加了第一絕緣層，加大了漏極和柵極之間的絕緣度，因此降低了漏極和柵極之間的寄生電容。
【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TFT開關(guān)管的制造方法的流程圖；
[0017]圖2是對(duì)應(yīng)圖1所示的制造方法的工藝制程圖；
[0018]圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TFT開關(guān)管的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0019]圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]請(qǐng)參閱圖1，圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TFT開關(guān)管的制造方法的流程圖。如圖1所示，本實(shí)施例的方法包括以下步驟:
[0021]步驟S1:提供一基板11。
[0022]本步驟中，基板11優(yōu)選為玻璃基板，在提供玻璃基板之前進(jìn)一步將玻璃基板進(jìn)行清洗和烘干等操作，以提供一干凈的玻璃基板。
[0023]步驟S2:在基板11上設(shè)置柵極121。
[0024]本步驟中，進(jìn)一步在基板11上設(shè)置一與柵極121同層且間隔設(shè)置的第一存儲(chǔ)電極122。
[0025]具體為，首先通過(guò)PVD (Physical Vapor Deposit1n，物理氣相沉)積沉積一金屬層12，然后對(duì)該金屬層12進(jìn)行影印方式來(lái)圖案化該金屬層12，進(jìn)而通過(guò)蝕刻和脫膜方式來(lái)形成同層且間隔設(shè)置的柵極121和第一存儲(chǔ)電極122。其中，為了節(jié)約成本，本步驟中使用的蝕刻為濕蝕刻。
[0026]步驟S3:在柵極121上方設(shè)置一半導(dǎo)體層131。
[0027]其中，半導(dǎo)體層131的材料優(yōu)選為銦鎵鋅氧化合物(a-1GZO)薄膜。
[0028]在本步驟之前進(jìn)一步在柵極121上設(shè)置一第二絕緣層17。因此本步驟具體為在第二絕緣層17上設(shè)置半導(dǎo)體層131。其中，設(shè)置半導(dǎo)體層131的方式具體為:通過(guò)PVD的方式沉積一層IGZO薄膜13，然后對(duì)該IGZO薄膜13進(jìn)行影印、蝕刻和脫膜方式來(lái)形成半導(dǎo)體層131。其中，為了節(jié)約成本，本步驟中使用的蝕刻為濕蝕刻。其中第二絕緣層17的對(duì)應(yīng)第一存儲(chǔ)電極122的區(qū)域未被半導(dǎo)體層131覆蓋。
[0029]步驟S4:在半導(dǎo)體層131上設(shè)置與半導(dǎo)體層131電連的源極141。
[0030]本步驟中，進(jìn)一步在第二絕緣層17上的未被半導(dǎo)體層131覆蓋的區(qū)域設(shè)置第二存儲(chǔ)電極142，使得第二存儲(chǔ)電極142對(duì)應(yīng)第一存儲(chǔ)電極122設(shè)置形成存儲(chǔ)電容。
[0031]具體為，首先通過(guò)PVD (Physical Vapor Deposit1n，物理氣相沉)積沉積一金屬層14，然后對(duì)該金屬層14進(jìn)行影印方式來(lái)圖案化該金屬層14，進(jìn)而通過(guò)蝕刻和脫膜方式來(lái)形成源極141和第二存儲(chǔ)電極142。其中，為了節(jié)約成本，本步驟中使用的蝕刻為濕蝕刻。
[0032]步驟S5:在源極141上設(shè)置一第一絕緣層15，并在第一絕緣層15上設(shè)置像素電極161，像素電極161進(jìn)一步作為漏極通過(guò)設(shè)置在第一絕緣層15上的第一通孔151與半導(dǎo)體層131電連。其中，像素電極的材質(zhì)優(yōu)選為IT0(Indium tin oxide，氧化銦錫)透明薄膜。
[0033]具體的，在源極141上沉積第一絕緣層15，并在第一絕緣層15上的對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體層131的位置通過(guò)影印、蝕刻和脫膜方式形成第一通孔151。然后在第一絕緣層15上沉積一層ITO透明薄膜16，并通過(guò)影印方式圖案化該ITO透明薄膜16