芯片封裝結(jié)構(gòu)、制作方法及芯片封裝基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電路板制作領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片封裝結(jié)構(gòu)、制作方法及芯片封裝基板。
【背景技術(shù)】
[0002]芯片封裝基板可為芯片提供電連接、保護(hù)、支撐、散熱、組裝等功效，以實現(xiàn)多引腳化，縮小封裝產(chǎn)品體積、改善電性能及散熱性、超高密度或多芯片模塊化的目的。一般地，芯片封裝基板在置接芯片側(cè)形成防焊層開口，以暴露出焊墊，進(jìn)而可以在焊墊表面形成焊球并與芯片焊接。在高密度布線的需求下，線路越來越細(xì)，防焊層開口也越來越小，從而由防焊層開口所定義的焊墊的尺寸也越來越小，從而使焊接不良頻頻發(fā)生，一方面，焊球不易填充入防焊層開口進(jìn)而會造成空焊，另一方面，焊球直徑隨防焊層開口尺寸變小而變小，以至于焊接高度不足，導(dǎo)致芯片與封裝基板之間的距離不夠，難以填充封裝膠體，進(jìn)而導(dǎo)致芯片不能被牢固地封裝在封裝基板上。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]因此，有必要提供一種能夠提高焊接良率的芯片封裝結(jié)構(gòu)、制作方法和芯片封裝基板。
[0004]一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，包括步驟:提供一承載板，在所述承載板至少一側(cè)依次形成第一導(dǎo)電線路層、第一介電層、第二導(dǎo)電線路層，其中，所述第一介電層內(nèi)形成有多個第一介電層開口，多個第一導(dǎo)電柱形成于所述第一介電層開口內(nèi)，位于所述承載板同側(cè)的所述第一導(dǎo)電線路層及所述第二導(dǎo)電線路層通過多個第一導(dǎo)電柱相電連接；在所述第二導(dǎo)電線路層遠(yuǎn)離所述承載板的一側(cè)形成第二介電層，所述第二介電層內(nèi)形成有多個第二介電層開口 ；電鍍在所述第二介電層開口內(nèi)形成多個第二導(dǎo)電柱，其中，所述第二導(dǎo)電線路層與所述第二導(dǎo)電柱相電連接，所述第二導(dǎo)電柱遠(yuǎn)離所述第一介電層的表面與所述第二介電層的遠(yuǎn)離所述第一介電層的表面大致相齊平；去除所述承載板；在每個所述第二導(dǎo)電柱遠(yuǎn)離所述第一導(dǎo)電線路層的表面形成一第一焊球；及在多個所述第一焊球表面焊接一芯片，使所述芯片與所述第二導(dǎo)電柱電連接，從而形成所述芯片封裝結(jié)構(gòu)。
[0005]一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，包括步驟:提供一承載板，在所述承載板至少一側(cè)依次形成第一導(dǎo)電線路層、第一介電層、第二導(dǎo)電線路層，其中，所述第一介電層內(nèi)形成有多個第一介電層開口，多個第一導(dǎo)電柱形成于所述第一介電層開口內(nèi)，位于所述承載板同側(cè)的所述第一導(dǎo)電線路層及所述第二導(dǎo)電線路層通過多個第一導(dǎo)電柱相電連接；電鍍從而在所述第二導(dǎo)電線路層表面形成多個第二導(dǎo)電柱，所述第二導(dǎo)電線路層與所述第二導(dǎo)電柱相電連接；在所述第二導(dǎo)電線路層遠(yuǎn)離所述承載板的一側(cè)形成第二介電層，所述第二介電層內(nèi)形成有多個第二介電層開口，其中，所述多個第二導(dǎo)電柱均形成于所述第二介電層開口內(nèi)，所述第二導(dǎo)電柱遠(yuǎn)離所述第一介電層的表面與所述第二介電層的遠(yuǎn)離所述第一介電層的表面大致相齊平；去除所述承載板；在每個所述第二導(dǎo)電柱遠(yuǎn)離所述第一導(dǎo)電線路層的表面形成一第一焊球；及在多個所述第一焊球表面焊接一芯片，使所述芯片與所述第二導(dǎo)電柱電連接，從而形成所述芯片封裝結(jié)構(gòu)。
[0006]—種芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括一第一介電層、一第一導(dǎo)電線路層、一第二導(dǎo)電線路層、一第二介電層、多個第二導(dǎo)電柱及至少一芯片。所述第一介電層包括相對的第一表面及第二表面。所述第一導(dǎo)電線路層形成于所述第一介電層的第一表面并側(cè)嵌設(shè)于所述第一介電層內(nèi)，且所述第一導(dǎo)電線路層遠(yuǎn)離所述第二表面的面與所述第一表面相齊平。所述第二導(dǎo)電線路層形成于所述第二表面，所述第二導(dǎo)電線路層與所述第一導(dǎo)電線路層通過多個第一導(dǎo)電柱相電連接。所述第二介電層形成于所述第二表面及所述第二導(dǎo)電線路層的表面。所述第二介電層設(shè)有多個第二介電層開口。所述多個第二導(dǎo)電柱通過電鍍形成于所述第二介電層開口內(nèi)，所述多個第二導(dǎo)電柱均與所述第二導(dǎo)電線路層相電連接，且所述第二導(dǎo)電柱遠(yuǎn)離所述第一介電層的表面與所述第二介電層的遠(yuǎn)離所述第一介電層的表面大致相齊平。所述芯片通過多個第一焊球與所述第二導(dǎo)電柱相電連接。
[0007]—種芯片封裝基板，包括一第一介電層、一第一導(dǎo)電線路層、一第二導(dǎo)電線路層、一第二介電層、及多個第二導(dǎo)電柱。所述第一介電層包括相對的第一表面及第二表面。所述第一導(dǎo)電線路層形成于所述第一介電層的第一表面并側(cè)嵌設(shè)于所述第一介電層內(nèi)，且所述第一導(dǎo)電線路層遠(yuǎn)離所述第二表面的面與所述第一表面相齊平。所述第二導(dǎo)電線路層形成于所述第二表面，所述第二導(dǎo)電線路層與所述第一導(dǎo)電線路層通過多個第一導(dǎo)電柱相電連接。所述第二介電層形成于所述第二表面及所述第二導(dǎo)電線路層的表面。所述第二介電層設(shè)有多個第二介電層開口。所述多個第二導(dǎo)電柱通過電鍍形成于所述第二介電層開口內(nèi)，所述多個第二導(dǎo)電柱均與所述第二導(dǎo)電線路層相電連接，且所述第二導(dǎo)電柱遠(yuǎn)離所述第一介電層的表面與所述第二介電層的遠(yuǎn)離所述第一介電層的表面大致相齊平。
[0008]相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明實施例在芯片封裝結(jié)構(gòu)、其制作方法及芯片封裝基板的所述第二導(dǎo)電柱遠(yuǎn)離所述第一介電層的表面與所述第二介電層的遠(yuǎn)離所述第一介電層的表面大致相齊平，故，在第二導(dǎo)電柱表面形成焊球并與芯片焊接時，焊球不需要填充防焊層開口，故，不易發(fā)生空焊接，并且焊球高度即為芯片底部與封裝基板之間的距離，從而使芯片底部與封裝基板之間的距離足夠填滿封裝膠體，進(jìn)而使芯片能被牢固地封裝在封裝基板上，也即，本案的芯片封裝結(jié)構(gòu)、其制作方法及芯片封裝基板可以提高焊接良率；進(jìn)一步，本案利用承載板形成無芯層芯片封裝結(jié)構(gòu)及芯片封裝基板，可以制作的較薄。
【附圖說明】
[0009]圖1是本發(fā)明第一實施例提供的芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0010]圖2是本發(fā)明第二實施例提供在承載板上貼合銅箔后的剖視圖。
[0011]圖3是將圖2中的銅箔制作形成第一導(dǎo)電線路層后的剖視圖。
[0012]圖4是在圖3的第一導(dǎo)電線路層表面形成第一介電層后的剖視圖。
[0013]圖5是在圖4中的第一介電層表面形成第一圖案化光阻層后的剖視圖。
[0014]圖6是在圖5中的第一介電層內(nèi)形成第一導(dǎo)電柱及在第一介電層表面形成第二導(dǎo)電線路層后剖視圖。
[0015]圖7是將圖6中的第一圖案化光阻層去除后的剖視圖。
[0016]圖8是在圖7中的第二導(dǎo)電線路層表面壓合形成第二介電層并形成第二介電層開口后的剖視圖。
[0017]圖9是在圖7中的第二導(dǎo)電線路層表面注塑成型形成第二介電層的示意圖。
[0018]圖10是在圖8中的第二介電層開口內(nèi)形成第二導(dǎo)電柱后的剖視圖。
[0019]圖11是將圖10中的承載板110去除并形成兩個芯片封裝基板的示意圖。
[0020]圖12是在圖11的芯片封裝基板的第一導(dǎo)電線路層表面形成防焊層后的剖視圖。
[0021]圖13是本案第三實施例提供的在與第二實施例圖4類似第一介電層的表面形成第一圖案化光阻層并形成第一導(dǎo)電柱及第二導(dǎo)電線路層后的剖視圖。
[0022]圖14是在圖13中的第一圖案化光阻層表面形成第二圖案化光阻層并形成第二導(dǎo)電柱后的剖視圖。
[0023]圖15是將圖14中的第一及第二圖案化光阻層去除后的剖視圖。
[0024]圖16是在圖15中的第二導(dǎo)電柱側(cè)形成第二介電層后的剖視圖。
[0025]圖17是將圖16中的第二介電層研磨以露出所述第二導(dǎo)電柱后的剖視圖。
[0026]主要元件符號說明
[0027]芯片封裝結(jié)構(gòu)100
[0028]第一介電層126，926
[0029]第一表面1261
[0030]第二表面1262
[0031]第一導(dǎo)電線路層124，924
[0032]第二導(dǎo)電線路層134，934
[0033]第一導(dǎo)電柱132，932
[0034]第二介電層136，936
[0035]第二介電層開口138，938
[0036]第二導(dǎo)電柱140，940
[0037]芯片148
[0038]第一焊球150
[0039]封裝膠體154
[0040]防焊層142
[0041]防焊層開口144
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