一種新型腔內(nèi)倒角陶瓷環(huán)的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導體鍍膜設備用的新型腔內(nèi)倒角陶瓷環(huán)，該倒角陶瓷環(huán)主要應用于半導體鍍膜設備反應腔內(nèi)常溫或高溫工藝過程中，屬于半導體薄膜沉積的應用技術領域。
【背景技術】
[0002]現(xiàn)有的半導體鍍膜設備的晶圓承載陶瓷環(huán)承托晶圓的圓形凹槽的邊緣為直角，在高溫工藝過程中，當?shù)入x子體氣流通過凹槽邊緣時，直角對氣流的流動產(chǎn)生影響，從而影響膜層的均勻性，并易造成尖端放電，形成電弧放電現(xiàn)象，對工藝結果造成負面影響，并可能損傷腔內(nèi)硬件。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明以解決上述問題為目的，設計了一種新型腔內(nèi)倒角陶瓷環(huán)，解決了工藝均勻性和尖端放電的問題。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用下述技術方案:一種新型腔內(nèi)倒角陶瓷環(huán)，將陶瓷環(huán)承托晶圓的圓形凹槽的邊緣加工成斜角，并在邊緣利用圓弧過渡防止電荷堆積。具體結構:它包括晶圓、熱盤及陶瓷環(huán)。
[0005]進一步陶瓷環(huán)上設有圓形凹槽；
[0006]進一步圓形凹槽邊緣加工成斜坡；
[0007]進一步斜坡的角度由25度至40度。
[0008]本發(fā)明的陶瓷環(huán)放在熱盤上，晶圓放在陶瓷環(huán)的圓形凹槽內(nèi)。工藝時，工藝氣體從晶圓上方噴下，并形成等離子體，反應物沉積在晶圓表面，其他副產(chǎn)物和帶電粒子逐漸向四周移動，最終被排除腔體。這個過程中攜有帶電粒子的氣體通過陶瓷環(huán)承托晶圓的凹槽邊緣時，會在此處產(chǎn)生波動，此處為斜坡，氣流經(jīng)過時不會受到過大的阻礙，形成紊流，仍能保持層流狀態(tài)，因此可改善膜層的均勻性。與此同時，帶電粒子會吸附在陶瓷環(huán)表面，并產(chǎn)生堆積，由于陶瓷環(huán)的邊緣是圓角結構，面與面通過圓弧過渡，工藝過程中，帶電粒子不會在邊緣形成過度堆積，而產(chǎn)生尖端放電現(xiàn)象，從而保證了工藝的穩(wěn)定性。
[0009]本發(fā)明的有益效果及特點在于:
[0010]1、結構簡單，易加工；
[0011]2、安全可靠，可改善膜層均勻性及尖端放電的問題。
[0012]3、可廣泛地應用于半導體薄膜沉積的技術領域。
【附圖說明】
[0013]圖1是本發(fā)明的結構示意圖。
[0014]圖2是本發(fā)明的局部放大圖。
[0015]圖中零件標號分別代表:
[0016]1、晶圓；2、熱盤;3、陶瓷環(huán);4、斜坡。
【具體實施方式】
[0017]實施例
[0018]參照圖1，一種新型腔內(nèi)倒角陶瓷環(huán)，將陶瓷環(huán)承托晶圓的圓形凹槽的邊緣加工成斜角，并在邊緣利用圓弧過渡防止電荷堆積。具體結構:它包括晶圓1、熱盤2及陶瓷環(huán)3。所述陶瓷環(huán)3上設有圓形凹槽；所述圓形凹槽邊緣加工成斜坡4 ;所述斜坡4的角度由25
度至40度。
[0019]本發(fā)明的陶瓷環(huán)3放在熱盤2上，晶圓I放在陶瓷環(huán)3的圓形凹槽內(nèi)，工藝時，工藝氣體從晶圓I上方噴下，并形成等離子體，反應物沉積在晶圓I表面，其他副產(chǎn)物和帶電粒子逐漸向四周移動，最終被排除腔體。這個過程中攜有帶電粒子的氣體通過陶瓷環(huán)3承托晶圓的凹槽邊緣時，會在此處產(chǎn)生波動，此處為斜坡4，氣流經(jīng)過時不會受到過大的阻礙，形成紊流，仍能保持層流狀態(tài)，因此可改善膜層的均勻性。與此同時，帶電粒子會吸附在陶瓷環(huán)3表面，并產(chǎn)生堆積，由于陶瓷環(huán)3的邊緣是圓角結構，面與面通過圓弧過渡，工藝過程中，帶電粒子不會在邊緣形成過度堆積，而產(chǎn)生尖端放電現(xiàn)象，從而保證了工藝的穩(wěn)定性。
【主權項】
1.一種新型腔內(nèi)倒角陶瓷環(huán)，其特征在于:將陶瓷環(huán)承托晶圓的圓形凹槽的邊緣加工成斜角，并在邊緣利用圓弧過渡防止電荷堆積。2.如權利要求1所述的新型腔內(nèi)倒角陶瓷環(huán)，其特征在于:它包括晶圓、熱盤及陶瓷環(huán)，所述陶瓷環(huán)上設有圓形凹槽。3.如權利要求2所述的新型腔內(nèi)倒角陶瓷環(huán)，其特征在于:所述圓形凹槽邊緣加工成斜坡。4.如權利要求3所述的新型腔內(nèi)倒角陶瓷環(huán)，其特征在于:所述斜坡的角度由25度至40度。
【專利摘要】一種新型腔內(nèi)倒角陶瓷環(huán)，將陶瓷環(huán)承托晶圓的圓形凹槽的邊緣加工成斜角，并在邊緣利用圓弧過渡防止電荷堆積。所述陶瓷環(huán)放在熱盤上，晶圓放在陶瓷環(huán)的圓形凹槽內(nèi)。工藝時，工藝氣體從晶圓上方噴下，并形成等離子體，反應物沉積在晶圓表面，其他副產(chǎn)物和帶電粒子逐漸向四周移動，最終被排除腔體。這個過程中攜有帶電粒子的氣體通過陶瓷環(huán)承托晶圓的凹槽邊緣時，會在此處產(chǎn)生波動，此處為斜坡，氣流經(jīng)過時不會受到過大的阻礙，形成紊流，仍能保持層流狀態(tài)，因此可改善膜層的均勻性，從而保證了工藝的穩(wěn)定性?？蓮V泛地應用于半導體薄膜沉積的技術領域。
【IPC分類】H01L21/67, H01L21/687
【公開號】CN105097638
【申請?zhí)枴緾N201510527646
【發(fā)明人】柴智
【申請人】沈陽拓荊科技有限公司
【公開日】2015年11月25日
【申請日】2015年8月24日