半導(dǎo)體封裝件及其制法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝件，尤指一種具防內(nèi)部電子元件相互電磁波干擾的半導(dǎo)體封裝件及其制法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體技術(shù)的演進(jìn)，半導(dǎo)體產(chǎn)品已開發(fā)出不同封裝產(chǎn)品型態(tài)，而為提升電性品質(zhì)，多種半導(dǎo)體產(chǎn)品具有屏蔽的功能，以防止電磁干擾(ElectromagneticInterference, EU)產(chǎn)生。
[0003]現(xiàn)有避免EMI的射頻(Rad1 frequency, RF)模組,如圖1A至圖1C所示,該射頻模組I用于將多個射頻晶片11a，Ilb與非射頻式電子元件11電性連接在一基板10上，再以如環(huán)氧樹脂的封裝膠體13包覆各該射頻晶片11a，Ilb與該非射頻式電子元件11，并于該封裝膠體13上形成一金屬薄膜14。該射頻模組I藉由該封裝膠體13保護該射頻晶片11a, lib、非射頻式電子元件11及基板10，并避免外界水氣或污染物的侵害，且藉由該金屬薄膜14保護該些射頻晶片11a，Ilb免受外界EMI影響。
[0004]然而，現(xiàn)有射頻模組I的外圍雖可藉由包覆該金屬薄膜14以達(dá)到避免EMI的目的，但卻無法避免其內(nèi)部各該射頻晶片11a，Ilb之間的電磁波干擾(EMI)，導(dǎo)致訊號容易發(fā)生錯誤。
[0005]因此，如何提供一種能避免射頻模組內(nèi)部的電子元件相互電磁波干擾的半導(dǎo)體封裝件，實為一重要課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為克服現(xiàn)有技術(shù)的種種缺失，本發(fā)明的目的為提供一種半導(dǎo)體封裝件及其制法，以避免各該半導(dǎo)體元件之間相互電磁波干擾。
[0007]本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件，包括:基板；多個半導(dǎo)體元件，其設(shè)于該基板上；至少一屏蔽件，其立設(shè)于該基板上并位于各該半導(dǎo)體元件之間；以及封裝膠體，其設(shè)于該基板上，以包覆各該半導(dǎo)體元件與該屏蔽件。
[0008]本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體封裝件的制法，包括:設(shè)置多個半導(dǎo)體元件與至少一屏蔽件于一基板上，且該屏蔽件位于各該半導(dǎo)體元件之間；以及形成封裝膠體于該基板上，以包覆各該半導(dǎo)體元件與該屏蔽件。
[0009]前述的半導(dǎo)體封裝件及其制法中，該些半導(dǎo)體元件的至少一者為射頻晶片。例如，該射頻晶片為藍(lán)牙晶片或W1-Fi晶片。
[0010]前述的半導(dǎo)體封裝件及其制法中，該屏蔽件外露于該封裝膠體。例如，該屏蔽件的外露表面齊平該封裝膠體的表面。
[0011 ] 前述的半導(dǎo)體封裝件及其制法中，該屏蔽件為板體。
[0012]前述的半導(dǎo)體封裝件及其制法中，還包括金屬層，其形成于該封裝膠體上。例如，該金屬層電性連接該屏蔽件，且該金屬層由銅、鎳、鐵、鋁及不銹鋼所組成的群組的材質(zhì)所制成。又該基板具有用于電性連接該金屬層的線路。
[0013]由上可知，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件及其制法，藉由該屏蔽件位于各該半導(dǎo)體元件之間，以避免各該半導(dǎo)體元件之間發(fā)生電磁波相互干擾的問題。
【附圖說明】
[0014]圖1A至圖1C為現(xiàn)有射頻模組的制法的剖面示意圖；以及
[0015]圖2A至圖2C為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝件的制法的剖面示意圖；其中，圖2A’為圖2A的立體圖，圖2C’為圖2C的另一實施例。
[0016]符號說明
[0017]I射頻模組
[0018]10,20 基板
[0019]11非射頻式電子元件
[0020]11a，Ilb 射頻晶片
[0021]13，23 封裝膠體
[0022]14 金屬薄膜
[0023]2,2’半導(dǎo)體封裝件
[0024]20a 上表面
[0025]20b 下表面
[0026]20c 側(cè)表面
[0027]200 電性接觸墊
[0028]201 接地部
[0029]202 內(nèi)部線路
[0030]21 半導(dǎo)體元件
[0031]21’電子元件
[0032]210 焊線
[0033]210’ 焊球
[0034]22 屏蔽件
[0035]22a 外露表面
[0036]23a 頂面
[0037]23b 底面
[0038]23c 側(cè)面
[0039]24 金屬層。
【具體實施方式】
[0040]以下藉由特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點及功效。
[0041]須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用于配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供本領(lǐng)域技術(shù)人員的了解與閱讀，并非用于限定本發(fā)明可實施的限定條件，所以不具技術(shù)上的實質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時，本說明書中所引用的如“上”、“一”及“下”等的用語，也僅為便于敘述的明了，而非用于限定本發(fā)明可實施的范圍，其相對關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)也視為本發(fā)明可實施的范疇。
[0042]請參閱圖2A至圖2C，其為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝件的制法的示意圖。于本實施例中，所述的半導(dǎo)體封裝件2可發(fā)出電磁波者,例如為射頻(Rad1 frequency, RF)模組。
[0043]如圖2A及圖2A’所示，提供一具有上表面20a及下表面20b的基板20 ;接著，接置多個半導(dǎo)體元件21與至少一屏蔽件22于該基板20的上表面20a上，且該屏蔽件22位于各該半導(dǎo)體元件21之間。
[0044]所述的基板20的上表面20a上具有線路層，該線路層包含多個電性接觸墊200與至少一接地部201。于本實施例中，該基板20的種類繁多，例如，該基板20的線路層具有至少一內(nèi)部線路202 (如圖2C’所示)，且該內(nèi)部線路202可選擇性地電性連接該電性接觸墊200與該接地部201，因而該基板20的構(gòu)造并無特別限制。
[0045]所述的半導(dǎo)體元件21為射頻晶片,例如:藍(lán)牙晶片或W1-Fi (Wireless Fidelity)晶片。于本實施例中，該些半導(dǎo)體元件21的其中一者為藍(lán)牙晶片，而另一者為W1-Fi晶片，且也可于該基板20的上表面20a上設(shè)置其它無影響電磁波干擾的電子元件21’。
[0046]此外，該半導(dǎo)體元件21為打線式晶片，即藉由多個焊線210對應(yīng)電性連接該基板20上表面20a上的電性接觸墊200 ;或者，該半導(dǎo)體元件21為覆晶式晶片，即藉由多個焊球210’對應(yīng)電性連接至該基板20上表面20a上的電性接觸墊200。
[0047]所述的屏蔽件22為導(dǎo)電材板體，其立設(shè)于該接地部201上并電性連接該接地部201，以將該基板20的上表面20a隔