發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]—般來說，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)通常是將發(fā)光二極管芯片配置于由陶瓷材料或金屬材料所形成的凹杯型態(tài)的承載基座上，以固定及支撐發(fā)光二極管芯片。之后，再使用封裝膠體來包覆發(fā)光二極管芯片，而完成發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作。此時(shí)，發(fā)光二極管芯片的電極是位于承載基座的上方并位于凹杯內(nèi)。然而，凹杯型態(tài)的承載基座具有一定的厚度，而使得發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的厚度無法有效降低，因而使發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)無法滿足現(xiàn)今薄型化的需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，其無需采用現(xiàn)有的承載支架，可具有較薄的封裝厚度且符合薄型化的需求。
[0004]本發(fā)明的發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)，其包括一發(fā)光元件以及一保護(hù)件。發(fā)光元件具有彼此相對的一上表面與一下表面、一連接上表面與下表面的側(cè)表面以及位于下表面上且彼此分離的一第一電極墊與一第二電極墊。保護(hù)件包覆發(fā)光元件的側(cè)表面且暴露出發(fā)光元件的至少部分上表面及暴露出第一電極墊的至少部分一第一底面以及第二電極墊的至少部分一第二底面。
[0005]本發(fā)明的發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括以下步驟。將多個間隔排列的發(fā)光元件配置于一基板上，其中各發(fā)光元件具有位于下表面上且彼此分離的一第一電極墊與一第二電極墊，而第一電極墊與第二電極墊設(shè)置在基板上。形成一保護(hù)件以包覆各發(fā)光元件。移除部分保護(hù)件，以暴露出各發(fā)光元件的一上表面。進(jìn)行一切割程序，以切割保護(hù)件，而形成多個彼此分離的發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)，其中各發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)分別具有至少一個發(fā)光元件以及包覆發(fā)光元件的一側(cè)表面且暴露出上表面的保護(hù)件。移除基板，以暴露各發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)的保護(hù)件的一底面，以及暴露第一電極墊的一第一底面以及第二電極墊的一第二底面。
[0006]本發(fā)明的發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括以下步驟。將多個間隔排列的發(fā)光元件配置于一基板上，其中各發(fā)光元件具有位于一下表面上且彼此分離的一第一電極墊與一第二電極墊，而各發(fā)光元件的一上表面設(shè)置在基板上。形成一保護(hù)件以包覆各發(fā)光元件。移除部分保護(hù)件，以暴露出各發(fā)光元件的第一電極墊的一第一底面以及第二電極墊的一第二底面。形成一延伸電極層，與各發(fā)光元件的第一電極墊以及第二電極墊電性連接。進(jìn)行一切割程序，以切割保護(hù)件與延伸電極層，而形成多個彼此分離的發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)，其中各發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)分別具有至少一個發(fā)光元件、至少包覆發(fā)光元件的側(cè)表面的保護(hù)件、一第一延伸電極以及一第二延伸電極，而第一延伸電極與第二延伸電極彼此分離且覆蓋保護(hù)件的至少部分一底面。
[0007]基于上述，由于本發(fā)明的保護(hù)件包覆發(fā)光元件的側(cè)表面，且保護(hù)件的底面切齊于發(fā)光元件的第一電極墊的第一底面以及第二電極墊的第二底面。因此，本發(fā)明的發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)不但不需要使用現(xiàn)有的承載支架來支撐及固定發(fā)光元件，而可有效較少封裝厚度以及制作成本，同時(shí)，也可有效提高發(fā)光元件的正向出光效率。
[0008]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。
【附圖說明】
[0009]圖1為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0010]圖2為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0011]圖3為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0012]圖4為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0013]圖5為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0014]圖6為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0015]圖7為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0016]圖8為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0017]圖9為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0018]圖1OA至圖1OD為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的剖面示意圖；
[0019]圖1lA至圖1lC為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的局部步驟的剖面示意圖；
[0020]圖12A至圖12E為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的剖面示意圖；
[0021]圖13A至圖13D為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的局部步驟的剖面示意圖。
[0022]附圖標(biāo)記說明:
[0023]10:基板；
[0024]20:另一基板；
[0025]100a、100b、100c、100d、100e、10f、100g、100h、101:發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)；
[0026]IlOaUlOb:發(fā)光元件；
[0027]112a、112b:上表面；
[0028]113:第一電極墊；
[0029]113a:第一底面；
[0030]114a、114b:下表面；
[0031]115:第二電極墊；
[0032]115a:第二底面；
[0033]116a、116b:側(cè)表面；
[0034]120、120’:保護(hù)件；
[0035]122:頂面；
[0036]124:底面；
[0037]130d、130e:第一延伸電極；
[0038]140d、140e:第二延伸電極；
[0039]150:封裝膠層；
[0040]160、160’:透光層；；
[0041]L:切割線;;
[0042]E:延伸電極層。
【具體實(shí)施方式】
[0043]圖1為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。請先參考圖1，在本實(shí)施例中，發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)10a包括一發(fā)光元件IlOa以及一保護(hù)件120。發(fā)光元件IlOa具有彼此相對的一上表面112a與一下表面114a、一連接上表面112a與下表面114a的側(cè)表面116a以及位于下表面114a上且彼此分離的一第一電極墊113與一第二電極墊115。保護(hù)件120包覆發(fā)光元件IlOa的側(cè)表面116a且暴露出至少部分上表面112a及暴露出第一電極墊113的至少部分一第一底面113a以及第二電極墊115的至少部分一第二底面115a。
[0044]更具體來說，如圖1所示，本實(shí)施例的發(fā)光元件IlOa的上表面112a與保護(hù)件120的一頂面122切齊，保護(hù)件120的一底面124與第一電極墊113的一第一底面113a以及第二電極墊115的一第二底面115a切齊，且保護(hù)件120可覆蓋或曝露出發(fā)光元件IlOa位于第一電極墊113與一第二電極墊115之間的下表面114a。在本實(shí)施例中，發(fā)光兀件IlOa的偵U表面116a垂直于上表面112a與下表面114a，但并不以此為限，而發(fā)光元件IlOa例如是發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管的發(fā)光波長(包括但不限于)介于315納米至780納米之間，該發(fā)光二極管包括但不限于紫外光、藍(lán)光、綠光、黃光、橘光或紅光發(fā)光二極管。
[0045]保護(hù)件120的反射率至少大于90%，也就是說，本實(shí)施例的保護(hù)件120具有高反射率的特性，其中保護(hù)件120的材質(zhì)為包括一摻有高反射粒子的高分子材料，該高反射粒子例如但不限于是二氧化鈦(T12)粉末，而該高分子材料例如不限于是環(huán)氧樹脂或硅樹脂。此外，本實(shí)施例的發(fā)光元件IlOa的第一電極墊113與第二電極墊115的材質(zhì)為一金屬材料或金屬合金，例如是金、鋁、錫、銀、鉍、銦或其組合，但不以此為限。
[0046]在本實(shí)施例中，保護(hù)件120包覆發(fā)光元件IlOa的側(cè)表面116a，且曝露出發(fā)光元件I 1a的第一電極墊113的第一底面113a以及第二電極墊115的第二底面115a，發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)10a不需要使用現(xiàn)有的承載支架來支撐及固定發(fā)光元件110a，而可有效減少封裝厚度以及制作成本，同時(shí)，也可通過具有高反射率的保護(hù)件120來有效提高發(fā)光元件IlOa的正向出光效率。
[0047]在此必須說明的是，下述實(shí)施例沿用前述實(shí)施例的元件標(biāo)號與部分內(nèi)容，其中采用相同的標(biāo)號來表示相同或近似的元件，相同技術(shù)內(nèi)容的說明可參考前述實(shí)施例，下述實(shí)施例不再重復(fù)贅述。
[0048]圖2為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。請同時(shí)參考圖1與圖2，本實(shí)施例的發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)10b與圖1中的發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)10a的主要差異之處在于:本實(shí)施例的發(fā)光元件IlOb的側(cè)表面116b并非垂直于上表面112b與下表面114b，本實(shí)施例中發(fā)光元件10b的上表面