一種陣列基板及其制作方法、顯示面板的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板。
【背景技術】
[0002]TFT-1XD因其體積小、重量輕、功耗低且無輻射等優(yōu)點，在當前的平板顯示器市場占據(jù)主導地位。TFT-LCD顯示屏一般包括陣列基板、彩膜基板以及設置在陣列基板和彩膜基板之間的液晶。TFT-LCD顯示屏形成有幾十萬到上百萬陣列排布的顯示單元，每個顯示單元通過TFT的控制來顯示圖像。
[0003]示例的，如圖1所示，為現(xiàn)有的TFT-1XD顯示屏陣列基板上對應一個顯示單元的示意圖，陣列基板上形成有多條柵線121和數(shù)據(jù)線16，柵線121和數(shù)據(jù)線16交叉定義一個顯示單元。圖2為圖1所示的a-a'示意圖，如圖2所示，陣列基板包括:襯底基板11 ;形成在襯底基板11上的柵極(柵線121的部分)、公共電極線122 ;覆蓋柵極121和公共電極線122的柵絕緣層13 ;形成在柵絕緣層13上的有源層14以及源極161和漏極162 ;鈍化層15以及形成在鈍化層15上的像素電極17 ;平坦層18以及形成在平坦層18上的公共電極19。其中，公共電極19通過平坦層18、鈍化層15以及柵絕緣層13上的過孔I與公共電極線122連接，像素電極17通過鈍化層15上的過孔2與漏極162連接。
[0004]發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有的陣列基板上，如圖2所示，由于過孔I貫穿平坦層18、鈍化層15以及柵絕緣層13，過孔I較深，公共電極19與公共電極線122的連接容易出現(xiàn)斷裂，出現(xiàn)顯示不良，降低產(chǎn)品良率。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示面板，陣列基板上的公共電極通過多層導電層與公共電極線連接，避免過孔太深導致連接不良。
[0006]為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術方案:
[0007]—方面，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，包括:
[0008]襯底基板；
[0009]第一信號傳輸層，所述第一信號傳輸層包括:公共電極線；
[0010]第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述第一信號傳輸層，且在對應所述公共電極線的位置處具有第一過孔；
[0011]第一電極層，所述第一電極層位于所述第一絕緣層上，包括:連接電極，所述連接電極位于所述第一過孔位置處；
[0012]第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋所述第一電極層，且在對應所述連接電極的位置處具有第二過孔；
[0013]第二電極層，所述第二電極層包括公共電極，所述公共電極覆蓋所述第二過孔；
[0014]其中，所述連接電極分別與所述公共電極線、公共電極接觸。
[0015]可選的，所述第二過孔位于對應所述第一過孔的位置處；或者，
[0016]所述連接電極從所述第一過孔伸出形成在所述第一絕緣層的上表面；所述第二絕緣層在對應所述連接電極伸出于所述第一過孔的位置處具有第二過孔。
[0017]可選的，所述第一電極層包括:
[0018]第一電極子層，所述第一電極子層包括像素電極，以及位于所述第一過孔位置處的第一連接電極；
[0019]第二電極子層，所述第二電極子層包括位于所述第一過孔位置處的第二連接電極，且所述第二電極子層位于所述第一電極子層上。
[0020]可選的，形成所述第一電極子層的材料為銦氧化錫，形成所述第二電極子層的材料為金屬。
[0021]可選的，所述第二子層包括兩層鉬金屬層以及位于所述兩層鉬金屬層之間的鋁金屬層。
[0022]可選的，所述第一信號傳輸層還包括:柵線以及柵極；所述陣列基板還包括:
[0023]柵絕緣層，所述柵絕緣層覆蓋所述第一信號傳輸層，其中，所述柵絕緣層在對應所述公共電極線的位置處具有第一子過孔；
[0024]有源層，所述有源層位于所述柵絕緣層上；
[0025]第二信號傳輸層，所述第二信號傳輸層包括數(shù)據(jù)線、源極和漏極；
[0026]鈍化層，所述鈍化層在對應所述第一子過孔的位置處具有第二子過孔，且在對應所述漏極的位置處具有第三過孔，所述像素電極在所述第三過孔處與所述漏極連接；
[0027]所述第一電極層位于所述鈍化層上，所述第一絕緣層包括柵絕緣層以及鈍化層，所述第二電極子層還包括輔助電極，所述輔助電極至少在對應所述第三過孔的位置處與所述像素電極連接。
[0028]可選的，所述陣列基板包括透光區(qū)域和不透光區(qū)域，所述輔助電極在所述不透光區(qū)域與所述像素電極連接。
[0029]可選的，所述第二信號傳輸層還包括位于所述第一過孔位置處的第三連接電極。
[0030]另一方面，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板的制作方法，包括:
[0031]在襯底基板上形成第一信號傳輸層，所述第一信號傳輸層包括:公共電極線；
[0032]在所述襯底基板上形成第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述第一信號傳輸層，且在對應所述公共電極線的位置處具有第一過孔；
[0033]在所述襯底基板上形成第一電極層，所述第一電極層位于所述第一絕緣層上，包括:連接電極，所述連接電極位于所述第一過孔位置處；
[0034]在所述襯底基板上形成第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋所述第一電極層，且在對應所述連接電極的位置處具有第二過孔；
[0035]在所述襯底基板上形成第二電極層，所述第二電極層包括公共電極，所述公共電極覆蓋所述第二過孔；
[0036]其中，所述連接電極分別與所述公共電極線、公共電極接觸。
[0037]可選的，所述第二絕緣層在對應所述連接電極位置處具有第二過孔具體包括:
[0038]所述連接電極層在對應所述第一過孔的位置處具有第二過孔；或者，
[0039]所述連接電極從所述第一過孔伸出形成在所述第一絕緣層的上表面，所述第二絕緣層在對應所述連接電極伸出于所述第一過孔的位置處具有第二過孔。
[0040]可選的，所述在所述襯底基板上形成第一電極層具體包括:
[0041]在所述襯底基板上形成覆蓋所述第一電極層的第一導電薄膜、第二導電薄膜和光刻膠；其中，所述第一導電薄膜和所述第二導電薄膜覆蓋所述第一過孔；
[0042]利用半灰階掩膜板對所述光刻膠進行曝光和顯影；所述半灰階掩膜板包括透光區(qū)域、半透光區(qū)域和不透光區(qū)域，其中，所述不透光區(qū)域對應所述第一過孔，所述半透光區(qū)域對應像素電極；顯影后對應透光區(qū)域的光刻膠完全去除露出所述第二導電薄膜，對應半透光區(qū)域的光刻膠部分去除；刻蝕對應透光區(qū)域的第二導電薄膜以及第一導電薄膜；對所述光刻膠進行灰化處理，對應半透光區(qū)域的光刻膠完全去除露出所述第二導電薄膜，對應不透光區(qū)域的光刻膠部分保留；刻蝕對應半透光區(qū)域的第二導電薄膜；將所述光刻膠剝離。
[0043]可選的，形成所述第一導電薄膜的材料為銦氧化錫，形成所述第二導電薄膜的材料為金屬。
[0044]可選的，所述在所述襯底基板上形成覆蓋所述第一電極層的第一導電薄膜、第二導電薄膜和光刻膠具體包括:
[0045]在所述第一絕緣層上形成第一導電薄膜；
[0046]在所述第一導電薄膜上形成第二導電薄膜，包括:依次形成鉬金屬薄膜、鋁金屬薄膜以及鉬金屬薄膜；
[0047]在所述第二導電薄膜上形成光刻膠。
[0048]可選的，所述第一信號傳輸層還包括柵線和柵極；所述在所述襯底基板上形成覆蓋所述第一信號傳輸層的第一絕緣層具體包括:
[0049]在所述襯底基板上形成柵絕緣層，所述柵絕緣層覆蓋所述第一信號傳輸層，且在對應所述公共電極線的位置處具有第一子過孔；
[0050]在所述襯底基板上形成有源層；
[0051]在所述襯底基板上形成第二信號傳輸層，所述第二信號傳輸層包括數(shù)據(jù)線、源極和漏極；
[0052]在所述襯底基板上形成鈍化層，所述鈍化層在對應所述公共電極線的位置處具有第二子過孔，且在對應所述漏極的位置處具有第三過孔，所述像素電極在所述第三過孔處與所述漏極連接；
[0053]所述第一絕緣層包括柵絕緣層以及鈍化層，所述第二電極子層還包括輔助電極，所述輔助電極至少在對應所述第三過孔的位置處與所述像素電極連接。
[0054]可選的，在所述柵絕緣層上形成第二信號傳輸層之后，且在所述第二信號傳輸層上形成鈍化層之前，所述方法還包括:
[0055]對所述源極和漏極之間的區(qū)域進行等離子體表面處理。
[0056]另一方面，本發(fā)明實施例提供了一種顯示面板，包括本發(fā)明實施例提供的任一所述的陣列基板。
[0057]本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示面板，陣列基板上的公共電極通過第一絕緣層上的第一過孔以及第二絕緣層上的第二過孔與公共電極線連接，但在第一過孔處還形成有連接電極，則公共電極通過連接電極與公共電極線連接。相對于公共電極直接與公共電極線連接，能夠減小公共電極與公共電極線的連接深度，從而避免第一過孔和第二過孔太深，導致公共電極與公共電極線容易斷開的問題。
【附圖說明】
[0058]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地