一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 應(yīng)用于手機、平板電腦等小尺寸的IXD產(chǎn)品（Liquid Crystal Display，液晶顯示 裝置）主要通過以下方式獲得：
[0003] 將大尺寸的彩膜母板與陣列母板對盒形成顯示母板，顯示母板經(jīng)過切割后形成包 括有幾個小尺寸IXD產(chǎn)品的用于標(biāo)準(zhǔn)測試的Q-panel ;其中"Q"表示"quality (品質(zhì)）"。 Q-panel的彩膜表面鍍有一層透明導(dǎo)電層，其作用是轉(zhuǎn)移彩膜上積累的靜電電荷。之后對 Q-panel進(jìn)行再次切割，形成多個single panel (單個面板），即多個小尺寸的IXD產(chǎn)品。其 中，為了釋放single panel中積累的靜電荷，會在single panel的陣列基板未被彩膜基板 覆蓋的區(qū)域上涂覆有導(dǎo)電膠，通過使導(dǎo)電膠的一端連接彩膜基板上的透明導(dǎo)電層，另一端 連接陣列基板上的接地信號端，來消除陣列基板與彩膜基板上積累的靜電電荷。
[0004] 然而，在對Q-panel進(jìn)行切割以形成多個小尺寸的single panel過程中，每個 single panel的彩膜基板的切割邊緣會產(chǎn)生人眼難以觀察到的細(xì)小微裂紋等破損，導(dǎo)致后 續(xù)在陣列基板上涂覆上述的導(dǎo)電膠時，導(dǎo)電膠極易從彩膜基板切割邊緣的破損處向陣列基 板與彩膜基板對盒后的內(nèi)部區(qū)域進(jìn)行滲透。由于陣列基板四周靠近于彩膜基板的切割邊緣 處設(shè)置有排列密集的如柵線引線、數(shù)據(jù)線引線等用于外接信號的外圍引線，由于導(dǎo)電膠具 有導(dǎo)電性，導(dǎo)電膠向內(nèi)滲透流動到外圍引線上時會引起外圍引線的信號串?dāng)_，并由此而產(chǎn) 生IXD廣品的顯不異常，影響顯不品質(zhì)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 鑒于此，為解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板及其制備方 法、顯示裝置，可阻擋陣列基板與彩膜基板對盒后，導(dǎo)電膠從彩膜基板的切割破損處向內(nèi)滲 透到陣列基板的外圍引線上，避免外圍引線信號受到串?dāng)_，減小由于導(dǎo)電膠內(nèi)滲而產(chǎn)生的 顯示裝置顯示不良的問題。
[0006] 為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案：
[0007] 第一方面、本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括：外圍引線；接 地信號端，用于通過導(dǎo)電膠與彩膜基板上的透明導(dǎo)電層連接；所述陣列基板還包括：位于 所述外圍引線與所述接地信號端之間的擋墻結(jié)構(gòu)，用于阻擋所述導(dǎo)電膠向所述外圍引線方 向滲透。
[0008] 可選的，所述陣列基板具有對應(yīng)于所述彩膜基板的相對區(qū)域以及位于所述相對區(qū) 域外側(cè)的周邊區(qū)域；所述擋墻結(jié)構(gòu)位于所述相對區(qū)域與所述周邊區(qū)域相鄰的邊角處，所述 接地信號端位于所述周邊區(qū)域靠近所述邊角處的位置；所述擋墻結(jié)構(gòu)包括至少一個擋墻； 其中，沿平行于所述陣列基板板面的方向，所述擋墻的截面中相交的兩邊分別與構(gòu)成所述 邊角處的兩條邊界線相重疊；或者，沿平行于所述陣列基板板面的方向，所述擋墻的截面為 弧條形；所述弧條形沿長度方向的兩邊為弧形，且所述弧形的圓心位于所述弧形靠近所述 邊角處的一側(cè)；或者，沿平行于所述陣列基板板面的方向，所述擋墻的截面為長條形；所述 長條形的長度方向與構(gòu)成所述邊角處的兩條邊界線呈銳角夾角設(shè)置。
[0009] 優(yōu)選的，所述擋墻結(jié)構(gòu)包括至少2個擋墻；所述至少2個擋墻由一個第一擋墻和 至少一個第二擋墻構(gòu)成；其中，所述第二擋墻高于所述第一擋墻；沿平行于所述陣列基板 板面的方向，所述第一擋墻的截面中相交的兩邊分別與構(gòu)成所述邊角處的兩條邊界線相重 疊；沿平行于所述陣列基板板面的方向，所述第二擋墻的截面為弧條形或長條形。
[0010] 優(yōu)選的，所述第二擋墻的兩端分別與構(gòu)成所述邊角處的兩條邊界線相接觸。
[0011] 優(yōu)選的，所述第二擋墻的數(shù)量為2至5個；且沿背離所述第一擋墻的方向，每個第 二擋墻的高度依次遞增。
[0012] 優(yōu)選的，所述第一擋墻的高度取值范圍為500A至15()〇Ar沿背離所述第一擋墻 的方向，最后一個第二擋墻的高度取值范圍為3500人至4500人。
[0013] 優(yōu)選的，離所述第一擋墻最接近的一個所述第二擋墻與所述第一擋墻之間的高度 差取值范圍為200A至1000A;任意相鄰的兩個所述第二擋墻之間的高度差取值范圍為 2_ 至 1000A。
[0014] 優(yōu)選的，離所述第一擋墻最接近的一個第二擋墻靠近所述第一擋墻一側(cè)的中心與 所述第一擋墻之間的間距取值范圍為8 ym至15 ym ;和/或，相鄰的兩個所述第二擋墻之 間的間距取值范圍為8 ym至15 ym。
[0015] 優(yōu)選的，離所述第一擋墻最接近的一個第二擋墻靠近所述第一擋墻的一側(cè)中心與 所述第一擋墻之間的間距大于相鄰的兩個所述第二擋墻之間的間距，且沿背離所述第一擋 墻的方向，相鄰的兩個所述第二擋墻之間的間距依次遞減。
[0016] 優(yōu)選的，所述第一擋墻的截面為等腰直角三角形，所述等腰直角三角形的邊長取 值范圍為80 ym至120 ym;所述第二擋墻的截面寬度取值范圍為8 ym至12 ym。
[0017] 第二方面、本發(fā)明實施例還提供了一種如上述任一項所述的陣列基板的制備方 法，所述制備方法包括：在陣列基板上形成膜層；對所述膜層進(jìn)行構(gòu)圖工藝處理，形成用于 阻擋導(dǎo)電膠向外圍引線方向滲透的擋墻結(jié)構(gòu)；其中，所述擋墻結(jié)構(gòu)位于所述外圍引線與接 地信號端之間；所述接地信號端，用于通過導(dǎo)電膠與彩膜基板上的透明導(dǎo)電層連接。
[0018] 優(yōu)選的，所述擋墻結(jié)構(gòu)包括：一個第一擋墻和遠(yuǎn)離所述第一擋墻的至少2個第二 擋墻；其中，所述第一擋墻的高度小于所述第二擋墻的高度；且沿背離所述第一擋墻的方 向，每個第二擋墻的高度依次遞增；對所述膜層進(jìn)行構(gòu)圖工藝處理，形成用于阻擋導(dǎo)電膠向 外圍引線方向滲透的一個所述第一擋墻和遠(yuǎn)離所述第一擋墻的至少2個第二擋墻具體包 括：在所述膜層上形成光刻膠層；通過半色調(diào)或灰色調(diào)掩膜板對形成有所述光刻膠層的基 板進(jìn)行曝光、顯影，形成光刻膠完全保留部分、高度依次降低的光刻膠半保留部分，以及光 刻膠完全去除區(qū)域；其中，所述光刻膠完全保留部分對應(yīng)待形成的最高的第二擋墻，高度依 次降低的光刻膠半保留部分依次對應(yīng)待形成的高度依次降低的其余第二擋墻以及所述第 一擋墻，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)其余區(qū)域；采用刻蝕工藝去除其余區(qū)域的膜層；采 用灰化和刻蝕工藝形成一個所述第一擋墻和遠(yuǎn)離所述第一擋墻的至少2個所述第二擋墻。
[0019] 第三方面、本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：彩膜基板， 所述彩膜基板中設(shè)置有透明導(dǎo)電層；所述顯示裝置還包括：與所述彩膜基板相對的如上述 任一項所述的陣列基板；所述透明導(dǎo)電層通過導(dǎo)電膠與所述陣列基板上的接地信號端連 接。
[0020] 基于此，通過本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板，由于在外圍引線與接地信號端 之間設(shè)置了上述的擋墻結(jié)構(gòu)，如果陣列基板與彩膜基板對盒后由于切割而在彩膜基板的邊 緣產(chǎn)生破損，擋墻結(jié)構(gòu)也能夠阻擋后續(xù)在接地信號端上涂覆導(dǎo)電膠時，導(dǎo)電膠從切割的破 損處向陣列基板中的外圍引線方向滲透，避免了外圍引線信號受到串?dāng)_，減小了由于導(dǎo)電 膠內(nèi)滲而產(chǎn)生的顯示裝置性能不良問題。
【附圖說明】
[0021] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0022] 圖1為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的剖視結(jié)構(gòu)具體示意圖；
[0024]圖3a為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板中擋墻結(jié)構(gòu)的俯視結(jié)構(gòu)具體示意圖 ，
[0025]圖3b為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板中擋墻結(jié)構(gòu)的俯視結(jié)構(gòu)具體示意圖 -**
[0026]圖3c為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板中擋墻結(jié)構(gòu)的俯視結(jié)構(gòu)具體示意圖 -* ? -?，
[0027]圖4為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板中擋墻結(jié)構(gòu)的剖視結(jié)構(gòu)具體示意圖；
[0028]圖5a為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板中擋墻結(jié)構(gòu)的俯視結(jié)構(gòu)具體示意圖 四；
[0029]圖5b為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板中擋墻結(jié)構(gòu)的俯視結(jié)構(gòu)具體示意圖 五；
[0030]圖6為本發(fā)明具體實施例提供的一種陣列基板中擋墻結(jié)構(gòu)的制備流程示意圖；
[0031] 圖7至圖16依次為圖6中每個步驟的具體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0032] 附圖標(biāo)記：
[0033] 〇1_陣列基板；Ola-相對區(qū)域；Olb-周邊區(qū)域；100-襯底基板；10-外圍引線； IOa-柵線引線；12-接地信號端；13-擋墻結(jié)構(gòu)；131-第一擋墻；132-第二擋墻；14-TFT; 14a_柵極；14b_有源層；14c_源極；14d_漏極；15-柵絕緣層；16-像素電極；17-鈍化層； 18-公共電極；02-導(dǎo)電膠；30-透明導(dǎo)電層；40-PVX層；50-光刻膠層；51-光刻膠完全保留 部分；52a至52c-高度依次降低的光刻膠半保留部分；53-光刻膠完全去除區(qū)域。
【具體實施方式】
[0034]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實