一種coms像素電路基板回收工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于COMS像素電路基板領(lǐng)域，具體涉及一種COMS像素電路基板回收工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]COMS像素電路基板可以作為硅基液晶和硅基OLED微型顯示器的像素電路基板，其采用CMOS技術(shù)在硅片上加工制作而成。
[0003]但現(xiàn)有技術(shù)中COMS像素電路基板一旦檢驗(yàn)不合格，就只能丟棄浪費(fèi)，不可再次利用，不環(huán)保，成本極高。因此提供一種既能夠?qū)⒅苽涫〉脑牧匣厥绽?，減低了成本，又能夠完好的保留鈍化層和電路連接點(diǎn)形貌特性、界面態(tài)特性和電學(xué)特性；符合節(jié)能環(huán)保的理念的一種COMS像素電路基板回收工藝是電路基板加工領(lǐng)域中刻不容緩的事情。
[0004]化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是一種半導(dǎo)體材料表面平整技術(shù)，它是將機(jī)械摩擦和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的工藝，兼收了二者的優(yōu)點(diǎn)，可以獲得比較完美的晶片表面?？梢允褂脡A性二氧化硅拋光液，堿在硅表面發(fā)生化學(xué)腐蝕反應(yīng)，會生成可溶性的硅酸鹽，再通過細(xì)小柔軟、比表面積大、帶有負(fù)電荷的Si02膠粒的吸附作用及其與拋光墊和片子間的機(jī)械摩擦作用，及時(shí)除去反應(yīng)產(chǎn)物，從而達(dá)到去除晶片表面損傷層與沾污雜質(zhì)的拋光目的，這個(gè)化學(xué)和機(jī)械共同作用的過程就是硅片CMP拋光的過程。
[0005]硅基OLED微型顯示器在電極和發(fā)光層制作工藝工程中，在像素基板電路板上進(jìn)行金屬電極層鍍膜，再在金屬電極層上熱蒸鍍有機(jī)發(fā)光層和透明電極層，最后進(jìn)行阻隔層密封。整個(gè)過程中若出現(xiàn)工藝偏移必定造成像素基板電路報(bào)廢，基板的回收再利用對降低原材料成本具有重要意義。
[0006]等離子清洗(plasma cleaner)，利用等離子體來達(dá)到常規(guī)清洗方法無法達(dá)到的效果。等離子體是物質(zhì)的一種狀態(tài)，也叫做物質(zhì)的第四態(tài)。對氣體施加足夠的能量使之離化便成為等離子狀態(tài)。等離子體的“活性”組分包括:離子、電子、活性基團(tuán)、激發(fā)態(tài)的核素(亞穩(wěn)態(tài))、光子等。等離子清洗機(jī)就是通過利用這些活性組分的性質(zhì)來處理樣品表面，從而實(shí)現(xiàn)界面表面改性的目的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]為此，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于克服現(xiàn)有技術(shù)中COMS像素電路基板一旦檢驗(yàn)不合格，就只能丟棄浪費(fèi)，不可再次利用，不環(huán)保，成本高的技術(shù)瓶頸，從而提出一種既能夠?qū)⒅苽涫〉脑牧匣厥绽?，減低了成本，又能夠完好的保留鈍化層和電路連接點(diǎn)形貌特性、界面態(tài)特性和電學(xué)特性；符合節(jié)能環(huán)保的理念的一種COMS像素電路基板回收工
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[0008]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明公開了一種COMS像素電路基板回收工藝，其中，該工藝包含如下步驟:
[0009]用混有四氫呋喃、氫氧化鈉、異丙醇、丙酮的去離子水混合溶液溶液浸泡；進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光后，用去離子水兆聲沖洗。
[0010]優(yōu)選的，所述的COMS像素電路基板回收工藝，其中，所述的去離子水混合溶液中四氫呋喃、氫氧化鈉、異丙醇、丙酮、去離子的質(zhì)量比為25: 5: 15: 3: 52。
[0011]優(yōu)選的，所述的COMS像素電路基板回收工藝，其中，所述化學(xué)機(jī)械拋光順序分為粗拋、細(xì)拋、精拋三步。
[0012]更為優(yōu)選的，所述的COMS像素電路基板回收工藝，其中，所述粗拋所使用的拋光劑為Nalco2350，拋光墊為romenhas suba800，拋光的轉(zhuǎn)速55rpm，使用的拋光液PH值為10-12，拋光壓力 2.2N/cm2。
[0013]進(jìn)一步的，所述的COMS像素電路基板回收工藝，其中，所述細(xì)拋所使用的拋光劑為Nalco2330，拋光墊為romenhas suba600，轉(zhuǎn)速為40rpm，拋光液PH值為10-12，拋光壓力為1.5N/cm2，拋光時(shí)間為完全去除底層電極后30s。
[0014]更為進(jìn)一步的，所述的COMS像素電路基板回收工藝，其中，所述精拋所使用的拋光劑為Nalco2330，拋光墊為Politex精墊，轉(zhuǎn)速為35rpm，拋光液PH值為10-11，拋光壓力為0.5N/cm2，拋光時(shí)間為60s。
[0015]優(yōu)選的，所述的COMS像素電路基板回收工藝，其中，所述兆聲頻率850KHZ，清洗時(shí)間 2min。
[0016]優(yōu)選的，所述的COMS像素電路基板回收工藝，其中，所述去離子水兆聲沖洗后還需用高壓氮?dú)鈱Υ蹈伤鲭娐坊濉?br>[0017]進(jìn)一步的，所述的COMS像素電路基板回收工藝，其中，所述吹干所述電路基板后還需對所述電路基板進(jìn)行等離子清洗。
[0018]更為進(jìn)一步的，所述的COMS像素電路基板回收工藝，其中，所述等離子清洗清洗時(shí)間為150s，壓力為25Pa，功率為350W。
[0019]本發(fā)明的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn):在微型OLED顯示器制造過程中，會在COMS像素電路基板的鈍化層上通過各種鍍膜方式依次制作底層電極、有機(jī)發(fā)光層、頂層電極、氧化鋁阻隔層、PMMA阻隔層。本發(fā)明通過溶解、化學(xué)機(jī)械拋光、等離子清洗手段去除經(jīng)過檢驗(yàn)不合格的基板的底層電極、有機(jī)發(fā)光層、頂層電極、氧化鋁阻隔層、PMMA阻隔層，完好的保留鈍化層和電路連接點(diǎn)形貌特性、界面態(tài)特性和電學(xué)特性；進(jìn)行了回收利用，避免了材料的浪費(fèi)，減低了成本，符合節(jié)能環(huán)保的理念，具有極大的市場價(jià)值和應(yīng)用前景。
【具體實(shí)施方式】
[0020]實(shí)施例1本實(shí)施例公開了一種COMS像素電路基板回收工藝，具體步驟如下:
[0021](I)浸泡溶解:配制以下重量份的溶液:25重量份四氫呋喃+5重量份氫氧化鈉+15重量份異丙醇+3重量份丙酮+52重量份去離子水；將溶液倒入特氟龍清洗槽內(nèi)，攪拌Imin;把要回收的基板水平裝入特氟龍?zhí)峄@，水平放入清洗槽內(nèi)，液面要能完全浸沒基板，5min 一次上下晃動提籃，浸泡25min ;浸泡后取出基板，用去離子水加兆聲沖洗，兆聲頻率850KHz，清洗時(shí)間2min ；
[0022]用高壓氮?dú)怆x子風(fēng)槍吹干；在顯微鏡下觀察若存在沒有去除雜質(zhì)，進(jìn)行重復(fù)浸泡清洗，重復(fù)浸泡時(shí)間相應(yīng)縮短，清洗時(shí)間不變。
[0023](2)化學(xué)機(jī)械磨拋:
[0024]粗拋:拋光劑Nalco2350，拋光墊romenhas suba800,轉(zhuǎn)速55rpm，拋光液PH值控制在10到12之間，拋光壓力2.2N/cm2，拋光量根據(jù)殘留底層電極決定；
[0025]細(xì)拋:拋光劑Nalco2330，拋光塾romenhas suba600，轉(zhuǎn)速40rpm，拋光液PH值控制在10到12之間，拋光壓力1.5N/cm2，拋光時(shí)間控制在完全去除底層電極后30s ;
[0026]精拋:拋光劑Nalco2330，拋光墊Politex精墊，轉(zhuǎn)速35rpm，拋光液PH值控制在10到11之間，拋光壓力0.5N/cm2，拋光時(shí)間60s ；
[0027]拋光后，再用去離子水加兆聲沖洗，兆聲頻率850KHZ，清洗時(shí)間2min ;然后用高壓氮?dú)怆x子風(fēng)槍吹干；
[0028]在顯微鏡下放大10倍暗場下觀察，底層電極完全去除，面變無明顯劃痕。
[0029](3)等離子清洗:
[0030]清洗時(shí)間控制150s，基礎(chǔ)壓力25Pa，功率350W，氬氣35ml/min，氮?dú)?50ml/min。然后真空烘箱200°C烘烤60min后，放入氮?dú)庀浯娣拧?br>[0031]顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例，而并非對實(shí)施方式的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處于本發(fā)明創(chuàng)造的保護(hù)范圍之中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種COMS像素電路基板回收工藝，其特征在于，該工藝包含如下步驟: 用混有四氫呋喃、氫氧化鈉、異丙醇、丙酮的去離子水混合溶液溶液浸泡；進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光后，用去離子水兆聲沖洗。2.如權(quán)利要求1所述的一種COMS像素電路基板回收工藝，其特征在于，所述的去離子水混合溶液中四氫呋喃、氫氧化鈉、異丙醇、丙酮、去離子的質(zhì)量比為25:5:15:3:52o3.如權(quán)利要求1所述的一種COMS像素電路基板回收工藝，其特征在于，所述化學(xué)機(jī)械拋光順序分為粗拋、細(xì)拋、精拋三步。4.如權(quán)利要求3所述的一種COMS像素電路基板回收工藝，其特征在于，所述粗拋所使用的拋光劑為Nalco2350，拋光墊為romenhas suba800，拋光的轉(zhuǎn)速55rpm，使用的拋光液PH值為10-12，拋光壓力2.2N/cm2。5.如權(quán)利要求4所述的一種COMS像素電路基板回收工藝，其特征在于，所述細(xì)拋所使用的拋光劑為Nalco2330，拋光墊為romenhas suba600，轉(zhuǎn)速為40rpm，拋光液PH值為10-12，拋光壓力為1.5N/cm2，拋光時(shí)間為完全去除底層電極后30s。6.如權(quán)利要求5所述的一種COMS像素電路基板回收工藝，其特征在于，所述精拋所使用的拋光劑為Nalco2330，拋光墊為Politex精墊，轉(zhuǎn)速為35rpm，拋光液PH值為10-11，拋光壓力為0.5N/cm2，拋光時(shí)間為60s。7.如權(quán)利要求1-6任一所述的一種COMS像素電路基板回收工藝，其特征在于，所述兆聲頻率850KHz，清洗時(shí)間2min。8.如權(quán)利要求1-6任一所述的一種COMS像素電路基板回收工藝，其特征在于，所述去離子水兆聲沖洗后還需用高壓氮?dú)鈱Υ蹈伤鲭娐坊濉?.如權(quán)利要求8所述的一種COMS像素電路基板回收工藝，其特征在于，所述吹干所述電路基板后還需對所述電路基板進(jìn)行等離子清洗。10.如權(quán)利要求9所述的一種COMS像素電路基板回收工藝，其特征在于，所述等離子清洗清洗時(shí)間為150s，壓力為25Pa，功率為350W。
【專利摘要】本發(fā)明屬于COMS像素電路基板領(lǐng)域，具體涉及一種COMS像素電路基板回收工藝。本發(fā)明通過溶解、化學(xué)機(jī)械拋光、等離子清洗手段去除經(jīng)過檢驗(yàn)不合格的基板的底層電極、有機(jī)發(fā)光層、頂層電極、氧化鋁阻隔層、PMMA阻隔層，完好的保留鈍化層和電路連接點(diǎn)形貌特性、界面態(tài)特性和電學(xué)特性；進(jìn)行了回收利用，避免了材料的浪費(fèi)，減低了成本，符合節(jié)能環(huán)保的理念，具有極大的市場價(jià)值和應(yīng)用前景。
【IPC分類】H01L21/304, H01L21/77, B24B1/00, H01L27/32, B24B37/04
【公開號】CN105185741
【申請?zhí)枴緾N201510466094
【發(fā)明人】李海萍
【申請人】深圳市星火輝煌系統(tǒng)工程有限公司
【公開日】2015年12月23日
【申請日】2015年7月31日