一種基于ltcc技術(shù)的單只裸聲表面波芯片微型封裝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種聲表面波裸芯片的微封裝技術(shù)，尤其涉及一種基于LTCC技術(shù)的單只裸聲表面波芯片微型封裝。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著射頻技術(shù)的發(fā)展，越來(lái)越多的領(lǐng)域需要利用聲表面波芯片，而隨著整機(jī)尺寸的不斷縮小，用戶對(duì)于內(nèi)部器件的集成度、體積、性能也提出了越來(lái)越多、越來(lái)越高的要求，在此背景下，就必須要在傳統(tǒng)聲表面波芯片封裝的基礎(chǔ)上進(jìn)行進(jìn)一步突破，而且此突破的前提是對(duì)聲表面波器件本身的電特性不能造成影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是提供一種尺寸小、性能高的基于LTCC技術(shù)的單只裸聲表面波芯片微型封裝。
[0004]本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
[0005]本發(fā)明的基于LTCC技術(shù)的單只裸聲表面波芯片微型封裝，包括LTCC底座和頂部鍍鎳殼體，所述LTCC底座內(nèi)設(shè)有內(nèi)部電路和裸聲表面波芯片，所述裸聲表面波芯片與LTCC底座之間通過(guò)鍵合絲連接，所述裸聲表面波芯片的表面設(shè)有吸聲膠。
[0006]由上述本發(fā)明提供的技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明實(shí)施例提供的基于LTCC技術(shù)的單只裸聲表面波芯片微型封裝，由于包括LTCC底座和頂部鍍鎳殼體，LTCC底座內(nèi)設(shè)有內(nèi)部電路和裸聲表面波芯片，裸聲表面波芯片與LTCC底座之間通過(guò)鍵合絲連接，裸聲表面波芯片的表面設(shè)有吸聲膠，尤其適用于空間狹小，高度要求苛刻的場(chǎng)合，當(dāng)常規(guī)聲表面波器件封裝尺寸不能滿足實(shí)際使用需要時(shí)可以采取本專利所述的封裝方法，在高度上要比常規(guī)封裝一般小0.5_至1.5_，并且由于其內(nèi)部集成的低通濾波器，使得該單只聲表面波器件具有更高的電性能。
【附圖說(shuō)明】
[0007]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的基于LTCC技術(shù)的單只裸聲表面波芯片微型封裝的外部結(jié)構(gòu)示意圖。
[0008]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的基于LTCC技術(shù)的單只裸聲表面波芯片微型封裝的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009]圖中:
[0010]1、用于連接裸聲表面波芯片和LTCC底座的鍵合絲；2、裸聲表面波芯片；3、用于粘貼和調(diào)試裸聲表面波芯片的吸聲膠；4、特殊設(shè)計(jì)的LTCC底座；5、LTCC底座的內(nèi)部電路；6、頂部鍍鎳殼體。
【具體實(shí)施方式】
[0011]下面將對(duì)本發(fā)明實(shí)施例作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0012]本發(fā)明的基于LTCC技術(shù)的單只裸聲表面波芯片微型封裝，其較佳的【具體實(shí)施方式】是:
[0013]包括LTCC底座和頂部鍍鎳殼體，所述LTCC底座內(nèi)設(shè)有內(nèi)部電路和裸聲表面波芯片，所述裸聲表面波芯片與LTCC底座之間通過(guò)鍵合絲連接，所述裸聲表面波芯片的表面設(shè)有吸聲膠。
[0014]所述LTCC底座的基面上設(shè)有放置裸聲表面波芯片的凹槽，并在與所述頂部鍍鎳殼體接觸的部位設(shè)有一圈接地焊盤，所述鍵合絲的一端鍵合到所述裸聲表面波芯片上，另一端鍵合到所述LTCC底座的基面上或者凹槽內(nèi)。
[0015]所述鍵合絲采用金絲或者硅鋁絲。
[0016]所述裸聲表面波芯片的尺寸小于所述凹槽的內(nèi)輪廓尺寸，所述裸聲表面波芯片上的信號(hào)輸入鍵合點(diǎn)和信號(hào)輸出鍵合點(diǎn)分別鍵合于所述LTCC底座的左右兩側(cè)，所述裸聲表面波芯片上的接地鍵合點(diǎn)設(shè)于所述裸聲表面波芯片的任何位置。
[0017]所述吸聲膠用于調(diào)節(jié)裸聲表面波芯片的電性能參數(shù)，并用于粘貼所述裸聲表芯片與LTCC底座。
[0018]所述LTCC底座有一層或多層。
[0019]所述內(nèi)部電路包括以帶狀線形式存在的電感電容，該電路組成低通濾波器或帶通濾波器，用于便對(duì)聲表面波芯片2的二次、高次諧波進(jìn)行抑制。
[0020]所述頂部鍍鎳殼體的下部邊緣與所述LTCC底座焊接，內(nèi)部用氮?dú)馓畛洹?br>[0021]本發(fā)明的基于LTCC技術(shù)的單只裸聲表面波芯片微型封裝，是用裸聲表面波芯片直接鍵合到有凹槽的LTCC底座上，頂部在用鍍鎳的殼體進(jìn)行氣密封，LTCC底座內(nèi)還可以集成用以抑制聲表面波濾波器高次諧波的低通濾波器。基于LTCC封裝方法的實(shí)現(xiàn)，使得聲表面波濾波器在封裝高度上降低了 0.5mm至1.5mm，在長(zhǎng)寬尺寸上也有不同程度的減小，這樣高密度的封裝減小了原聲表面波濾波器的體積且保證了可靠性。
[0022]具體實(shí)施例:
[0023]如圖1所示，圖中上部殼體用焊錫密封到LTCC底座上，下部分為L(zhǎng)TCC底座，內(nèi)部集成有用以抑制聲表面波芯片高次諧波的低通濾波器。
[0024]如圖2所示，包括:用于連接裸聲表面波芯片和LTCC底座的鍵合絲I ;裸聲表面波芯片2 ;用于粘貼和調(diào)試裸聲表面波芯片的吸聲膠3 ;特殊設(shè)計(jì)的LTCC底座4 ;在LTCC底座內(nèi)部低通濾波器5 ;頂部鍍鎳殼體6。
[0025]鍵合絲根據(jù)實(shí)際應(yīng)用過(guò)程的需要，可將其一端鍵合到裸聲表面波芯片2上，另一端則選擇性的鍵合到LTCC底座4上，或者裸聲表面波芯片所在的凹槽內(nèi)，鍵合絲可采用金絲鍵合或者硅鋁絲鍵合，其作用是用來(lái)連接裸聲表面波芯片2和LTCC底座內(nèi)部電路5。
[0026]裸聲表面波芯片大小需要比LTCC底座4的凹槽略小，該裸聲表面波芯片的尺寸大小會(huì)隨著頻率的升高而減小。裸聲表面波芯片上的信號(hào)輸入、輸出鍵合點(diǎn)應(yīng)在LTCC底座4的左右兩側(cè)，以方便鍵合并減小整體寬度，接地的鍵合點(diǎn)沒(méi)有太大要求，可以在裸聲表面波芯片2的任何位置。
[0027]用于粘貼和調(diào)試裸聲表面波芯片的吸聲膠，首先該吸聲膠可以用來(lái)調(diào)節(jié)裸聲表面波芯片的電性能參數(shù)，其次，可以用以粘貼裸聲表芯片2，與LTCC底座4，該吸聲膠在高溫固化后應(yīng)能保持該聲表面波芯片2的電性能，并且具備用戶所需要的可靠性要求。
[0028]特殊設(shè)計(jì)的LTCC底座中間有一凹槽，內(nèi)部放置裸聲表面波器件2，與頂部鍍鎳殼體6接觸部分設(shè)計(jì)一圈接地焊盤，該底座具有較高的介電常數(shù)，用以縮小內(nèi)部電路的實(shí)際尺寸，并且根據(jù)實(shí)際需要設(shè)計(jì)該LTCC底座的具體層數(shù)，層數(shù)越多，高度越高，但是內(nèi)部能容納的電路也相對(duì)越復(fù)雜，反之亦然。
[0029]在LTCC底座內(nèi)部電路5均為以帶狀線形式存在的電感電容，該電路可以組成低通、帶通濾波器，以便對(duì)聲表面波芯片2的二次、高次諧波進(jìn)行抑制，相同復(fù)雜程度的電路，尺寸將會(huì)隨著頻率的升高而變小，而當(dāng)該電路略微復(fù)雜的情況下，則可以通過(guò)增加LTCC底座4的層數(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0030]頂部鍍鎳殼體表面鍍鎳，殼體下部邊緣與LTCC底座4焊接，內(nèi)部用氮?dú)馓畛洹?br>[0031]應(yīng)用本發(fā)明，聲表面波器件的整體尺寸得到了大幅縮減，而且其性能也得到了大幅提升，例如，使用者不必再獨(dú)自設(shè)計(jì)外圍電路來(lái)壓制聲表面波器件的高次諧波。解決了在常規(guī)聲表面波芯片的封裝太大不滿足用戶要求的問(wèn)題。
[0032]應(yīng)用本發(fā)明，可以將裸聲表面波芯片、鍍鎳殼體、低通濾波器等集成到一起，可以大大減少集成前的總體積。本發(fā)明將一個(gè)裸聲表面波芯片粘貼到一個(gè)有凹槽的LTCC底座上，并且將電路以帶狀線的方式做到了 LTCC底座內(nèi)部，用鍵合絲將LTCC底座和聲表面波芯片進(jìn)行鍵和，最后再在LTCC底座上焊接鍍鎳殼體，對(duì)內(nèi)部的聲表面波芯片進(jìn)行氣密封。
[0033]本發(fā)明所使用的鍵合方式和裸聲表面波芯片的粘貼方式均滿足軍品可靠性要求，內(nèi)部芯片使用氮?dú)饷芊庖脖ＷC了聲表面波芯片的可靠性，整個(gè)組件的形式為表貼式或者鍵合式，為滿足接地性能，整體的LTCC底座底部將整面鋪地。
[0034]本發(fā)明不限于上述實(shí)施例，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明專利構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明專利的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基于LTCC技術(shù)的單只裸聲表面波芯片微型封裝，其特征在于，包括LTCC底座和頂部鍍鎳殼體，所述LTCC底座內(nèi)設(shè)有內(nèi)部電路和裸聲表面波芯片，所述裸聲表面波芯片與LTCC底座之間通過(guò)鍵合絲連接，所述裸聲表面波芯片的表面設(shè)有吸聲膠。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于LTCC技術(shù)的單只裸聲表面波芯片微型封裝，其特征在于，所述LTCC底座的基面上設(shè)有放置裸聲表面波芯片的凹槽，并在與所述頂部鍍鎳殼體接觸的部位設(shè)有一圈接地焊盤，所述鍵合絲的一端鍵合到所述裸聲表面波芯片上，另一端鍵合到所述LTCC底座的基面上或者凹槽內(nèi)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于LTCC技術(shù)的單只裸聲表面波芯片微型封裝，其特征在于，所述鍵合絲采用金絲或者硅鋁絲。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于LTCC技術(shù)的單只裸聲表面波芯片微型封裝，其特征在于，所述裸聲表面波芯片的尺寸小于所述凹槽的內(nèi)輪廓尺寸，所述裸聲表面波芯片上的信號(hào)輸入鍵合點(diǎn)和信號(hào)輸出鍵合點(diǎn)分別鍵合于所述LTCC底座的左右兩側(cè)，所述裸聲表面波芯片上的接地鍵合點(diǎn)設(shè)于所述裸聲表面波芯片的任何位置。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于LTCC技術(shù)的單只裸聲表面波芯片微型封裝，其特征在于，所述吸聲膠用于調(diào)節(jié)裸聲表面波芯片的電性能參數(shù)，并用于粘貼所述裸聲表芯片與LTCC底座。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于LTCC技術(shù)的單只裸聲表面波芯片微型封裝，其特征在于，所述LTCC底座有一層或多層。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于LTCC技術(shù)的單只裸聲表面波芯片微型封裝，其特征在于，所述內(nèi)部電路包括以帶狀線形式存在的電感電容，該電路組成低通濾波器或帶通濾波器，用于便對(duì)聲表面波芯片2的二次、高次諧波進(jìn)行抑制。8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的基于LTCC技術(shù)的單只裸聲表面波芯片微型封裝，其特征在于，所述頂部鍍鎳殼體的下部邊緣與所述LTCC底座焊接，內(nèi)部用氮?dú)馓畛洹?br>【專利摘要】本發(fā)明公開了一種基于LTCC技術(shù)的單只裸聲表面波芯片微型封裝，包括LTCC底座和頂部鍍鎳殼體，LTCC底座內(nèi)設(shè)有內(nèi)部電路和裸聲表面波芯片，裸聲表面波芯片與LTCC底座之間通過(guò)鍵合絲連接，裸聲表面波芯片的表面設(shè)有吸聲膠。吸聲膠用于調(diào)節(jié)裸聲表面波芯片的電性能參數(shù)，并用于粘貼所述裸聲表芯片與LTCC底座，內(nèi)部電路包括以帶狀線形式存在的電感電容，該電路組成低通濾波器或帶通濾波器，用于便對(duì)聲表面波芯片2的二次、高次諧波進(jìn)行抑制。使得聲表面波濾波器在封裝高度上降低了0.5mm至1.5mm，在長(zhǎng)寬尺寸上也有不同程度的減小，這樣高密度的封裝減小了原聲表面波濾波器的體積且保證了可靠性。
【IPC分類】H03H9/25, H01L23/31, H01L23/28
【公開號(hào)】CN105185753
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510498477
【發(fā)明人】李洪, 萬(wàn)飛, 楊思川, 陳明和, 黃歆
【申請(qǐng)人】北京中科飛鴻科技有限公司
【公開日】2015年12月23日
【申請(qǐng)日】2015年8月13日