一種鈀金ic封裝凸塊的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及IC封裝領(lǐng)域，具體涉及一種鈀金IC封裝凸塊。
【背景技術(shù)】
[0002]驅(qū)動IC封裝上使用的凸塊普遍為純金，成本高，目前有一種采用銅鎳金組合來代替純金的IC封裝凸塊，可以有效降低成本，鑒于黃金的成本，在鎳層上的金層有3um厚，短時間內(nèi)濺渡的連接性尚好，如在潮濕環(huán)境中過久，透過金層的疏孔，會使鎳層氧化腐蝕，進而導(dǎo)致金層表面漸漸失去連接性，而且鎳層中常含有的還原劑磷、硼將造成鎳層與金層的粘結(jié)力下降，性能可靠性低；鈀金IC封裝凸塊是一種利用鈀耐蝕、耐磨、耐變色性好、化學(xué)穩(wěn)定性高的優(yōu)點，確保與金層之間粘結(jié)力，以克服銅鎳金IC封裝凸塊的缺陷，但是由于不同金屬的膨脹系數(shù)不一樣，在溫度變化時，各金屬層之間產(chǎn)生應(yīng)力，很容易引起基體變形或產(chǎn)生裂紋，甚至?xí)冸x脫落，因此這種鈀金IC封裝凸塊也存在可靠性低的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種鈀金IC封裝凸塊，可以解決現(xiàn)有鈀金IC封裝凸塊在溫度變化時，各金屬層之間產(chǎn)生應(yīng)力，很容易引起基體變形或產(chǎn)生裂紋，甚至?xí)冸x脫落，導(dǎo)致可靠性差的問題。
[0004]本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實現(xiàn):
一種鈀金IC封裝凸塊，包括從下向上依次設(shè)置的載體、導(dǎo)電層、絕緣層、鈦鎢層、第一金層、鈀層和第二金層，所述絕緣層上設(shè)有孔，露出部分導(dǎo)電層，所述部分導(dǎo)電層的表面至少設(shè)有一個應(yīng)力緩沖塊，所述應(yīng)力緩沖塊為聚乙烯制品，所述鈦鎢層貼合部分導(dǎo)電層、應(yīng)力緩沖塊以及絕緣層的表面成波浪形，所述第一金層、鈀層和第二金層也成波浪形。
[0005]本發(fā)明的進一步方案是，所述載體為硅片。
[0006]本發(fā)明的進一步方案是，所述導(dǎo)電層為鋁墊。
[0007]本發(fā)明的進一步方案是，所述絕緣層為PSV絕緣材料。
[0008]本發(fā)明的進一步方案是，所述應(yīng)力緩沖塊均勻分布于部分導(dǎo)電層的表面。
[0009]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比的優(yōu)點在于:
應(yīng)力緩沖塊一方面可以吸收鈦鎢層與部分導(dǎo)電層之間的應(yīng)力，另一方面使各金屬層成波浪形，降低溫度變化時各金屬層的橫向位移，從而減小相鄰金屬層之間的應(yīng)力，進而削弱應(yīng)力產(chǎn)生的負面影響，提高鈀金IC封裝凸塊的可靠性。
【附圖說明】
[0010]圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0011]如圖1所示的一種鈀金IC封裝凸塊，包括從下向上依次設(shè)置的硅片載體1、鋁墊導(dǎo)電層2、PSV絕緣層3、鈦鎢層4、第一金層5、鈀層6和第二金層7，所述絕緣層3上設(shè)有孔，露出部分導(dǎo)電層21，所述部分導(dǎo)電層21的表面均勻濺鍍有至少一個聚乙烯應(yīng)力緩沖塊9，所述聚乙烯應(yīng)力緩沖塊9的橫斷面可以是矩形、三角形或弧形，所述鈦鎢層4貼合部分導(dǎo)電層21、應(yīng)力緩沖塊9以及絕緣層3的表面成波浪形，所述第一金層5、鈀層6和第二金層7也成波浪形。
【主權(quán)項】
1.一種鈀金IC封裝凸塊，包括從下向上依次設(shè)置的載體(1)、導(dǎo)電層(2)、絕緣層(3)、鈦鎢層(4)、第一金層(5)、鈀層(6)和第二金層(7)，所述絕緣層(3)上設(shè)有孔，露出部分導(dǎo)電層(21)，其特征在于:所述部分導(dǎo)電層(21)的表面至少設(shè)有一個應(yīng)力緩沖塊(9)，所述應(yīng)力緩沖塊(9)為聚乙烯制品，所述鈦鎢層(4)貼合部分導(dǎo)電層(21)、應(yīng)力緩沖塊(9)以及絕緣層(3 )的表面成波浪形，所述第一金層(5 )、鈀層(6 )和第二金層(7 )也成波浪形。2.如權(quán)利要求1所述的一種鈀金IC封裝凸塊，其特征在于:所述載體(I)為硅片。3.如權(quán)利要求1所述的一種鈀金IC封裝凸塊，其特征在于:所述導(dǎo)電層(2)為鋁墊。4.如權(quán)利要求1所述的一種鈀金IC封裝凸塊，其特征在于:所述絕緣層(3)為PSV絕緣材料。5.如權(quán)利要求1所述的一種鈀金IC封裝凸塊，其特征在于:所述應(yīng)力緩沖塊(9)均勻分布于部分導(dǎo)電層(21)的表面。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種鈀金IC封裝凸塊，包括從下向上依次設(shè)置的載體、導(dǎo)電層、絕緣層、鈦鎢層、第一金層、鈀層和第二金層，所述絕緣層上設(shè)有孔，露出部分導(dǎo)電層，所述部分導(dǎo)電層的表面至少設(shè)有一個應(yīng)力緩沖塊，所述應(yīng)力緩沖塊為聚乙烯制品，所述鈦鎢層貼合部分導(dǎo)電層、應(yīng)力緩沖塊以及絕緣層的表面成波浪形，所述第一金層、鈀層和金層也成波浪形。應(yīng)力緩沖塊一方面可以吸收鈦鎢層與部分導(dǎo)電層之間的應(yīng)力，另一方面使各金屬層成波浪形，降低溫度變化時各金屬層的橫向位移，從而減小相鄰金屬層之間的應(yīng)力，進而削弱應(yīng)力產(chǎn)生的負面影響，提高鈀金IC封裝凸塊的可靠性。
【IPC分類】H01L23/485
【公開號】CN105185761
【申請?zhí)枴緾N201510537870
【發(fā)明人】周義亮
【申請人】周義亮
【公開日】2015年12月23日
【申請日】2015年8月28日