二控制開關K2的控制端相連。
[0029]如圖3所示的，所述可編程電路220還包括電源端VDD、寫控制電路221和讀控制電路223。每個可編程單元222還包括第一電流源Il和第三控制開關K3，所述可編程器件為可編程MOS晶體管麗1，該可編程MOS晶體管麗I的源極、漏極、襯體均與接地端相連，其柵極與對應的第一控制開關Kl的一端相連，第一電流源Il的一端接可編程電路的電源端VDD相連，所述電源端VDD與工作電源電壓相連。如上文所述的，該工作電源電壓低于可編程電源電壓。第一電流源Il的另一端與第三控制開關K3的一端相連，第三控制開關K3的另一端與可編程MOS晶體管MNl的柵極相連。第一控制開關Kl的控制端與所述寫控制電路221的輸出控制端相連，第三控制開關K3的控制端與讀控制電路223的輸出控制端相連，第一電流源Il與第三控制開關K3的相連節(jié)點與所述讀控制電路223的輸入端相連，所述寫控制電路221與所述可編程電路220的輸入控制端和模式控制端相連。
[0030]在收到來自通訊接口 210的有效的可編程模式信號時，所述寫控制電路221基于所述輸入控制端DO-DN接收到的編程控制信號確定是否對所述可編程單元22進行編程，在需要對所述可編程單元22進行編程時，控制第一控制開關Kl導通，所述編程電源電壓VH會將所述可編程MOS晶體管麗I擊穿。在收到通訊接口 210的無效的可編程模式信號時，所述寫控制電路221控制所述可編程單元222中的第一控制開關Kl截止。在所述可編程MOS晶體管MNl被擊穿前，讀控制電路223在需要讀取所述可編程單元222時，控制第三控制開關K3導通，其能夠讀取到高電平信號。在所述可編程MOS晶體管麗I被擊穿后，讀控制電路223在需要讀取所述可編程單元222時，控制第三控制開關K3導通，其讀取到低電平信號。在所述可編程MOS晶體管MNl被擊穿后，控制第一控制開關Kl斷開。
[0031]如圖3所示的，所述可編程MOS晶體管MNl為NM0S(N_type Metal OxideSemiconductor)晶體管。在圖3中，僅僅示例出了一個可編程單元222，在其他實施例中，其也可以由多個可編程單元。
[0032]在一個具體的應用實例中，通過I2C可以設置芯片工作在編程狀態(tài)，
[0033]此時可編程模式信號Prog為高電平，其反相信號Progn為低電平，控制第二控制開關K2關斷，這樣第二控制開關K2將輸入到可編程引腳PINl的可編程電源電壓(高電壓信號)與功能電路230隔離，此時可以通過可編程引腳PINl將高壓信號輸入到可編程電路的可編程端VH，同時避免功能電路230被高壓所損壞。電源電壓VDD連接為工作電源電壓，其電壓低于可編程電源電壓，可以被視為低壓電源，其提供可編程電路220的讀操作功能。
[0034]當進行編程時，控制信號PGE為高電平，讓第一控制開關Kl導通，將高壓VH接至晶體管麗I的柵極，將晶體管麗I的柵極擊穿，從而實現(xiàn)編程效果。晶體管麗I的柵極未被擊穿時，進行讀操作時，控制信號RDE為高電平，讓第二控制開關K2導通，數(shù)據(jù)DRD為高電平；如果晶體管MNl的柵極被擊穿后，進行讀操作時，控制信號RDE信號為高電平，讓第二控制開關K2導通，數(shù)據(jù)DRD為低電平。因為晶體管麗I柵極被擊穿后，晶體管麗I柵極與地電平之間表現(xiàn)為低阻抗，可以將第一電流源Il下拉至低電平。而被擊穿前，晶體管MNl的柵極與地電平之間表現(xiàn)為高阻抗，第一電流源Il將節(jié)點DRD上拉至高電平。在具體實驗中，如果晶體管麗I為5V器件，為了可靠的將其柵極擊穿，可編程電源電壓VH可設置為IlV或以上；如果晶體管MNl為1.8V器件，為了可靠的將其柵極擊穿，可編程電源電壓VH可設置為4V或以上。一般晶體管麗I的柵極被擊穿后，其對地阻抗小于1K歐姆，第一電流源Il的電流值一般設置為等于或小于10微安。
[0035]本發(fā)明中的連接、相接、相連等表示電性連接的詞都是指直接或間接的電性連接，所述間接是指通過一個元件，比如電容、電感或晶體管等電性連接。
[0036]需要指出的是，熟悉該領域的技術人員對本發(fā)明的【具體實施方式】所做的任何改動均不脫離本發(fā)明的權利要求書的范圍。相應地，本發(fā)明的權利要求的范圍也并不僅僅局限于前述【具體實施方式】。
【主權項】
1.一種內置可編程電路的芯片，其特征在于，其包括: 可編程引腳和通訊引腳； 與通訊引腳相連的通訊接口； 可編程電路，其包括與可編程引腳相連的可編程端、輸入控制端、模式控制端和一個或多個可編程單元，每個可編程單元包括第一控制開關和可編程器件，第一控制開關的一端與所述可編程端相連，另一端與可編程器件相連，所述輸入控制端與所述通訊接口的第一輸出端相連，所述模式控制端與所述通訊接口的第二輸出端相連， 在通訊接口的第二輸出端輸出有效的可編程模式信號時，所述可編程引腳接入編程電源電壓，所述可編程電路基于來自所述通訊接口的第一輸出端的編程控制信號確定是否對所述可編程單元進行編程，在需要對所述可編程單元進行編程時，控制第一控制開關導通，所述編程電源電壓會將所述可編程器件擊穿， 在通訊接口的第二輸出端輸出無效的可編程模式信號時，所述可編程電路不對所述可編程單兀進行編程。2.根據(jù)權利要求1所述的內置可編程電路的芯片，其特征在于，其還包括: 第二控制開關； 功能電路，其通過第二控制開關與所述可編程引腳相連； 在通訊接口的第二輸出端輸出有效的可編程模式信號時，控制第二控制開關截止，在通訊接口的第二輸出端輸出無效的可編程模式信號時，控制第二控制開關導通。3.根據(jù)權利要求2所述的內置可編程電路的芯片，其特征在于，其還包括: 連接于所述可編程引腳的高壓靜電保護電路。4.根據(jù)權利要求2所述的內置可編程電路的芯片，其特征在于，在通訊接口的第二輸出端輸出無效的可編程模式信號時，所述可編程引腳接入最高電壓等于或低于工作電源電壓，該工作電源電壓低于可編程電源電壓。5.根據(jù)權利要求2所述的內置可編程電路的芯片，其特征在于，所述通訊接口為12C接口，該I2C接口的第一輸出端包括多個，該I2C接口的第二輸出端包括一個，該第二輸出端經過第一反相器后與第二控制開關的控制端相連。6.根據(jù)權利要求1所述的內置可編程電路的芯片，其特征在于， 所述可編程電路還包括電源端、寫控制電路和讀控制電路，每個可編程單元還包括第一電流源和第三控制開關，所述可編程器件為可編程MOS晶體管，該可編程MOS晶體管的源極、漏極、襯體均與接地端相連，其柵極與對應的第一控制開關的一端相連，第一電流源的一端接可編程電路的電源端相連，所述電源端與工作電源電壓相連，該工作電源電壓低于可編程電源電壓，第一電流源的另一端與第三控制開關的一端相連，第三控制開關的另一端與可編程MOS晶體管的柵極相連， 第一控制開關的控制端與所述寫控制電路的輸出控制端相連，第三控制開關的控制端與讀控制電路的輸出控制端相連，第一電流源與第三控制開關的相連節(jié)點與所述讀控制電路的輸入端相連，所述寫控制電路與所述可編程電路的輸入控制端和模式控制端相連。7.根據(jù)權利要求6所述的內置可編程電路的芯片，其特征在于， 在收到有效的可編程模式信號時，所述寫控制電路基于所述輸入控制端接收到的編程控制信號確定是否對所述可編程單元進行編程，在需要對所述可編程單元進行編程時，控制第一控制開關導通，所述編程電源電壓會將所述可編程MOS晶體管擊穿，在收到無效的可編程模式信號時，所述寫控制電路控制所述可編程單元中的第一控制開關截止。8.根據(jù)權利要求7所述的內置可編程電路的芯片，其特征在于，在所述可編程MOS晶體管被擊穿前，讀控制電路在需要讀取所述可編程單元時，控制第三控制開關導通，其讀取到高電平信號，在所述可編程MOS晶體管被擊穿后，讀控制電路在需要讀取所述可編程單元時，控制第三控制開關導通，其讀取到低電平信號。9.根據(jù)權利要求7所述的內置可編程電路的芯片，其特征在于，在所述可編程MOS晶體管被擊穿后，控制第一控制開關斷開。10.根據(jù)權利要求6所述的內置可編程電路的芯片，其特征在于，所述可編程MOS晶體管為NMOS晶體管。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種內置可編程電路的芯片，其包括：可編程引腳、通訊引腳、與通訊引腳相連的通訊接口和可編程電路。所述可編程電路包括與可編程引腳相連的可編程端和一個或多個可編程單元，每個可編程單元包括第一控制開關和可編程器件，第一控制開關的一端與所述可編程端相連，另一端與可編程器件相連。在收到有效的可編程模式信號時，所述可編程引腳接入編程電源電壓，在需要對所述可編程單元進行編程時，所述可編程電路控制第一控制開關導通，所述編程電源電壓會將所述可編程器件擊穿。這樣，在封裝之后仍能夠實現(xiàn)可編程，從而提高了編程后的精度，避免了封裝帶來的偏移效應。
【IPC分類】H01L23/49, H01L27/115
【公開號】CN105185763
【申請?zhí)枴緾N201510627315
【發(fā)明人】王釗
【申請人】無錫中感微電子股份有限公司
【公開日】2015年12月23日
【申請日】2015年9月28日