用于快速提升染污復(fù)合外絕緣電力設(shè)備表面憎水性的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于快速提升染污復(fù)合外絕緣電力設(shè)備表面憎水性的方法，屬于高壓外絕緣技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]在電力系統(tǒng)中，自然環(huán)境污穢較為嚴(yán)重的地區(qū)廣泛使用復(fù)合絕緣子以防止污閃事故。復(fù)合絕緣子具有優(yōu)異耐污性能的主要原因，在于其傘群護(hù)套由硅橡膠材料制成。硅橡膠材料表面具有的憎水性和憎水迀移特性，使得其在表面積污后，其憎水性能夠迀移至污層表面，即使在大霧、小雨、露、溶雪、溶冰等惡劣氣象條件下，復(fù)合絕緣子表面也能形成分離的水珠而不是連續(xù)的水膜，導(dǎo)致污層電導(dǎo)很低，因此泄漏電流很小，不易發(fā)生強(qiáng)烈的局部電弧，局部電弧也難以進(jìn)一步發(fā)展導(dǎo)致外絕緣閃絡(luò)。
[0003]然而，積污較為嚴(yán)重的復(fù)合絕緣子其自身的憎水迀移性也會(huì)存在憎水性喪失的情況。研究表面在某些特定污穢，例如高嶺土，以及低溫、高濕環(huán)境條件下硅橡膠材料的滋生憎水迀移速率會(huì)大大降低，甚至?xí)霈F(xiàn)完全迀移不出來的情況。絕緣子表面憎水性下降會(huì)極大地降低線路絕緣耐受電壓，嚴(yán)重威脅電網(wǎng)的安全穩(wěn)定。而現(xiàn)如今針對(duì)這樣的情況，采用的應(yīng)對(duì)方法多為大面積更換易產(chǎn)生污閃事故的復(fù)合絕緣子，該方法雖然較為及時(shí)有效，但是經(jīng)濟(jì)性較差，并且在一定運(yùn)行時(shí)段后仍然會(huì)出現(xiàn)類似問題。因此尋求如何快速提高或恢復(fù)染污硅橡膠材料表面憎水性或許成為一個(gè)新的選擇。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為解決現(xiàn)有技術(shù)問題，本發(fā)明提出一種用于快速提升染污復(fù)合外絕緣電力設(shè)備表面憎水性的方法，采用低溫等離子體射流處理、人工水槍清洗、RTV室溫硫化硅橡膠涂覆等處理方法提升表面憎水性。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:
[0006]用于快速提升染污復(fù)合外絕緣電力設(shè)備表面憎水性的方法，包括以下步驟:
[0007](I)采用定量涂刷法對(duì)復(fù)合絕緣子涂覆人工污穢懸濁液；
[0008](2)采用噴水分級(jí)法表征人工染污后的復(fù)合絕緣子表面憎水性；
[0009](3)采用低溫等離子體射流處理所述步驟(2)染污后的復(fù)合絕緣子；
[0010](4)采用自來水槍沖洗處理經(jīng)所述步驟(2)染污后的復(fù)合絕緣子；
[0011](5)采用RTV室溫硫化硅橡膠涂覆方法處理經(jīng)所述步驟(2)染污后的復(fù)合絕緣子;
[0012](6)采用噴水分級(jí)法分別表征經(jīng)所述步驟(3)、(4)、(5)處理后的染污復(fù)合絕緣子表面憎水性。
[0013]前述的步驟(I)中的復(fù)合絕緣子采用輸電線路用復(fù)合絕緣子。
[0014]前述的步驟(I)的污穢懸濁液采用鹽密度作為污穢度衡量準(zhǔn)則，人工污穢鹽密度設(shè)定值為0.05mg/cm2,0.lmg/cm2,0.2mg/cm2，灰密度設(shè)置為鹽密度的10倍配比。
[0015]前述的步驟(I)中復(fù)合絕緣子在染污后自然迀移7天后再進(jìn)行后面的處理。
[0016]前述的步驟(3)中進(jìn)行低溫等離子體射流處理所采用的處理系統(tǒng)包括空氣高壓等離子體射流系統(tǒng)以及氦氣低溫等離子體射流系統(tǒng)；所述低溫等離子體射流處理系統(tǒng)調(diào)節(jié)范圍為:輸出電壓幅值O?20kV ;輸出頻率O?6kHz ;氣體流速:空氣O?100m/s，99.99%氦氣O?20m3/h ;輸出最大等離子體距離:0?60mm ;放電形式:高壓高頻交流信號(hào)促發(fā)的介質(zhì)阻擋放電；所述進(jìn)行低溫等離子體射流處理的方法為:通過調(diào)節(jié)低溫等離子體射流處理系統(tǒng)的電壓、頻率，使其產(chǎn)生恒定的低溫等離子體射流，采用自上而下的手持處理方式將染污復(fù)合絕緣子傘裙表面完全處理；所述復(fù)合絕緣子的每片傘裙間距為40mm，每片傘裙處理時(shí)間設(shè)定為5s。
[0017]前述的步驟(4)中，采用自來水槍沖洗的方式進(jìn)行處理，所用沖洗水源為:電導(dǎo)率低于1200 μ S/cm的自來水；自來水槍噴射壓力為:0?20MPa ;水槍出口處理直徑為:8mm ；所述進(jìn)行來水槍沖洗的處理方法為:通過調(diào)節(jié)恒定壓力的自來水槍自上而下對(duì)染污后的復(fù)合絕緣子進(jìn)行高壓水沖洗處理；所述復(fù)合絕緣子的每片傘裙處理時(shí)間設(shè)定為2s，水槍噴頭間距染污復(fù)合絕緣子5m。
[0018]前述的步驟(5)中，采用RTV室溫硫化硅橡膠涂覆方法處理的方法為:采用高壓噴槍將RTV室溫硫化硅橡膠快速均勻涂覆至染污后的復(fù)合絕緣子表面，采用自上而下的處理順序?qū)θ疚酆蟮膹?fù)合絕緣子進(jìn)行RTV涂覆；所述噴槍壓力:0?5MPa ;噴槍處理直徑:2cm ;噴槍噴頭間距染污復(fù)合絕緣子:10cm ;所述復(fù)合絕緣子的每片傘裙處理時(shí)間設(shè)定為8s，涂覆后RTV薄層厚度要求〈1mm。
[0019]前述的步驟(2)和步驟(6)采用噴水分級(jí)法表征處理前、后染污復(fù)合絕緣子表面憎水性的方法為:對(duì)干燥的復(fù)合絕緣子表面采用恒定出水量的水壺噴水，選取復(fù)合絕緣子上表面內(nèi)側(cè)、上表面外側(cè)、下表面內(nèi)側(cè)、下表面外側(cè)拍照，依據(jù)噴水分級(jí)劃分標(biāo)準(zhǔn)對(duì)典型區(qū)域予以定性分析，劃分等級(jí)。
[0020]本發(fā)明的有益效果為:本發(fā)明在已有提升技術(shù)上提出了放電等離子體處理的處理方法，并將其應(yīng)用于實(shí)際復(fù)合絕緣子，該方法的順利推行有助于為電網(wǎng)防治污閃提供行之有效的解決方案。
【附圖說明】
[0021]圖1是本發(fā)明方法的流程示意圖；
[0022]圖2是本發(fā)明方法處理前后效果圖；(a)為處理前噴水分級(jí)法顯示染污復(fù)合絕緣子表面，(b)為經(jīng)低溫等離子體射流處理后的噴水分級(jí)法顯示染污復(fù)合絕緣子表面。
【具體實(shí)施方式】
[0023]在不破壞復(fù)合絕緣子內(nèi)在性能的基礎(chǔ)上，本發(fā)明提出了一種快速提高染污復(fù)合絕緣子表面憎水性的方法，采用低溫等離子體射流處理、人工水槍清洗RTV室溫硫化硅橡膠涂覆等處理方法提升表面憎水性。低溫等離子體射流處理應(yīng)用在提升染污硅橡膠材料表面憎水性上的優(yōu)勢(shì)已經(jīng)初見端倪，但是將其移植到實(shí)際染污復(fù)合絕緣子上仍然未見報(bào)道，同時(shí)通過與常用的人工水槍清洗方式、RTV室溫硫化硅橡膠涂覆方法進(jìn)行對(duì)比，可以分析得到最優(yōu)化處理方式。本發(fā)明從人工涂污方法、等離子體射流處理、人工水槍清洗處理方法、RTV室溫硫化硅橡膠涂覆方法以及處理前后的憎水性表面狀態(tài)表征等角度考察了該方法應(yīng)用于實(shí)際染污復(fù)合絕緣子處理過程中的可能性。
[0024]本發(fā)明的快速提高染污復(fù)合絕緣子表面憎水性的方法，包括以下步驟:
[0025](I)采用定量涂刷法對(duì)復(fù)合絕緣子涂覆人工污穢懸濁液；
[0026](2)采用噴水分級(jí)法表征人工染污后的復(fù)合絕緣子表面憎水性；
[0027](3)采用低溫等離子體射流處理經(jīng)步驟(2)染污后的復(fù)合絕緣子；
[0028](4)采用自來水槍沖洗處理經(jīng)步驟(2)染污的復(fù)合絕緣子；
[0029](5)采用RTV室溫硫化硅橡膠涂覆方法處理經(jīng)步驟(2)染污的復(fù)合絕緣子；
[0030](6)采用噴水分級(jí)法分別表征經(jīng)低溫等離子體射流處理、自來水槍沖洗處理、RTV室溫硫化硅橡膠涂覆方法處理后的復(fù)合絕緣子表面憎水性。
[0031]本發(fā)明的復(fù)合絕緣子，依據(jù)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)DL/T 859-2004高壓交流系統(tǒng)用復(fù)合絕緣子人工污穢實(shí)驗(yàn)選擇，所采用的復(fù)合絕緣子為輸電線路用復(fù)合絕緣子。
[0032]步驟(I)中采用的人工污穢懸濁液為某電瓷廠生產(chǎn)的憎水迀移性能較差的高嶺土。采用的可溶性鹽為商業(yè)純氯化鈉，選用電導(dǎo)率低于1200 μ S/cm的自來水作為混合液體。
[0033]本發(fā)明的步驟(I)中采用定量涂刷法作為涂污方法，設(shè)定鹽密度作為污穢度衡量準(zhǔn)則，人工污穢鹽密度設(shè)定值為0.05mg