。
[0047]而在本發(fā)明實施例中，則是通過其他方式，保持在整個功率半導體器件的制備過程中，光刻對準標記本體4的完整、清晰。具體如下文所述:
[0048]如圖1所示，本發(fā)明實施例還包括:
[0049]步驟S102、在光刻對準標記本體上，形成絕緣層。
[0050]其中，氮化硅直接覆蓋在光刻對準標記本體4上，如圖5所示，絕緣層6的材料應與形成光刻對準標記本體4的二氧化硅或硅襯底I不同，以保證在刻蝕絕緣層6時，刻蝕絕緣層6的刻蝕氣體或刻蝕液不會對二氧化硅或硅襯底I造成影響。
[0051]由于有著良好的絕緣性、致密性、穩(wěn)定性和對雜質(zhì)離子的掩蔽能力，氮化硅薄膜作為一種高效器件表面的鈍化層被廣泛應用在半導體工藝中。因此，本發(fā)明實施例中，絕緣膜優(yōu)選利用氮化硅形成。
[0052]氮化硅薄膜的制備方法很多:直接氮化法，濺射法，熱分解法。也可以在700?1000°C下由常壓化學氣相淀積法(Atmospheric-Pressure Chemical Vapor Deposit1n,簡稱APCVD)或者在750 °C左右用低壓化學氣相淀積法(Low Pressure Chemical VaporDeposit1n,簡稱LPCVD)制得。但現(xiàn)在工業(yè)上和實驗室一般使用等離子體增強化學氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposit1n，簡稱 PECVD)來生成氮化娃薄膜。這是因為這種方法淀積溫度低，對多晶硅中少子壽命影響較小，而且生產(chǎn)時能耗較低；淀積速度較快，生產(chǎn)能力高；工藝重復性好，淀積薄膜均勻；并且薄膜缺陷密度較低。
[0053]需要說明的是，由于氮化硅的應力較大，嚴重時可導致光刻對準標記本體4內(nèi)暴露出的硅襯底龜裂。因此為了防止制得的光刻對準標記變形，所以在氮化硅淀積之前，需在光刻對準標記本體4內(nèi)形成二氧化硅緩沖層5。該位于光刻對準標記4本體內(nèi)的二氧化硅緩沖層的厚度為50納米至100納米，作為應力緩沖層，有利于緩沖氮化硅的應力避免龜裂發(fā)生。
[0054]具體的，在本發(fā)明實施例中，若是光刻對準標記本體4是在硅襯底I上制成的，則需要在制得光刻對準標記本體4后，對硅襯底I進行氧化處理，以生成位于光刻對準標記本體4內(nèi)的二氧化硅緩沖層5。
[0055]而對于制備在二氧化硅薄膜2中的光刻對準標記本體4而言，二氧化硅緩沖層5可在對二氧化硅薄膜2進行刻蝕時，不將二氧化硅薄膜2刻穿，剩余部分二氧化硅形成所需的二氧化硅緩沖層5。
[0056]由于基于二氧化硅薄膜2直接形成的二氧化硅緩沖層5的厚度無法精確控制，因此，本發(fā)明實施例中，也可在將二氧化硅薄膜2刻穿制得光刻對準標記本體4之后，對光刻對準標記本體4進行進一步的二次氧化，使得光刻對準標記本體4內(nèi)形成有厚度理想的二氧化硅緩沖層5。
[0057]步驟S103、通過第二次光刻工藝，對絕緣層進行刻蝕，形成覆蓋光刻對準標記本體的保護膜，得到所需的光刻對準標記。
[0058]在形成了絕緣層6之后，再次形成光刻膠層3。之后，利用適當?shù)难谀ぐ鎸饪棠z層3進行構(gòu)圖工藝，在光刻膠層3上形成所要構(gòu)建的保護膜7形狀的圖案，如圖6所示。之后，通過刻蝕工藝，將光刻膠層3上的圖案轉(zhuǎn)移到絕緣層6上，形成覆蓋光刻對準標記本體4的保護膜7，得到所需的光刻對準標記，如圖7所示。
[0059]本發(fā)明實施例中，通過第二次光刻工藝，對絕緣層6進行刻蝕，將光刻對準標記本體4區(qū)域的絕緣層6保留，去除其他地方的絕緣層6，以形成覆蓋光刻對準標記本體4的保護膜7。其中，保護膜7的形狀可隨意設(shè)置，只要保證保護膜7位于劃片道，能夠完全覆蓋光刻對準標記，并且不會影響功率半導體器件各部分的制備過程即可。
[0060]另外，由于對保護膜7的形狀的要求不高，因此，還有利于降低形成保護膜7的第二次光刻工藝的制備工藝要求，降低功率半導體器件的制備成本。
[0061]—般的，位于硅襯底I上的光刻對準標記本體的深度為500納米至I微米。而制備過程中，在硅襯底I上形成的二氧化硅薄膜2的厚度也為500納米至I微米，第一次光刻工藝會將所生成的二氧化硅薄膜2刻穿，因此二氧化硅薄膜2中的光刻膠層3對準標記本體的深度與二氧化硅薄膜2的厚度相等，也為500納米至I微米。
[0062]若覆蓋光刻對準標記的保護膜7的厚度過大，將導致劃片道上局部介質(zhì)過厚或局部深坑，在劃片時容易引發(fā)芯片邊緣崩邊，降低功率半導體器件的良品率。因此，本發(fā)明實施例中的覆蓋光刻對準標記本體4的保護膜7的厚度優(yōu)選為100至300納米。不僅保護膜7的制備成本較低，同時能夠有效地保護光刻對準標記，防止制備功率半導體器件的過程中，光刻對準標記失效。
[0063]為了使得光刻機能夠準確地分辨光刻對準標記本體4，本發(fā)明實施例中，光刻對準標記本體4優(yōu)選為同時向兩個方向延伸的十字形。另外，光刻對準標記本體4也可選為多個并排的條形，具體可根據(jù)實際情況進行設(shè)置，本發(fā)明實施例對此不進行限定。
[0064]綜上，在本發(fā)明實施例的技術(shù)方案中，提供了一種光刻對準標記的制備方法，該方法在形成光刻對準標記本體4之后，在光刻對準標記本體4上覆蓋一層保護膜7。保護膜7的設(shè)置能夠有效地保護光刻對準標記本體4，防止制備功率半導體器件的過程中，光刻對準標記本體4失效，進而有利于提尚功率半導體器件的制備良品率。
[0065]雖然本發(fā)明所公開的實施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所公開的精神和范圍的前提下，可以在實施的形式上及細節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準。
【主權(quán)項】
1.一種光刻對準標記的制備方法，其特征在于，包括: 通過第一次光刻工藝，形成光刻對準標記本體； 在所述光刻對準標記本體上，形成絕緣層； 通過第二次光刻工藝，對所述絕緣層進行刻蝕，形成覆蓋所述光刻對準標記本體的保護膜，得到所需的光刻對準標記。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于， 所述光刻對準標記本體內(nèi)形成有二氧化硅緩沖層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，通過第一次光刻工藝，形成光刻對準標記本體包括: 在硅襯底上形成光刻膠層； 利用曝光工藝，對光刻膠層進行構(gòu)圖，在光刻膠層上形成對應光刻對準標記本體的圖案； 對所述硅襯底進行刻蝕處理，將光刻膠層上形成的對應光刻膠層對準標本體的圖案轉(zhuǎn)移到所述硅襯底上，形成所述光刻對準標記本體。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，位于所述硅襯底上的光刻膠層對準標記本體的深度為500納米至I微米。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，在通過第一次光刻工藝，形成光刻對準標記本體之前，還包括: 在娃襯底表面形成二氧化娃薄膜。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，通過第一次光刻工藝，形成光刻對準標記本體包括: 在所述二氧化硅薄膜上形成光刻膠層； 利用曝光工藝，對光刻膠層進行構(gòu)圖，在光刻膠層上形成對應光刻對準標記本體的圖案； 對所述二氧化硅薄膜進行刻蝕處理，將光刻膠層上形成的對應光刻膠層對準標本體的圖案轉(zhuǎn)移到所述二氧化硅薄膜上，形成所述光刻對準標記本體。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，通過第一次光刻工藝，形成光刻對準標記本體還包括: 在所述光刻對準標記本體內(nèi)形成二氧化硅緩沖層。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述二氧化硅薄膜的厚度為500納米至I微米，所述光刻對準標記本體的深度與所述二氧化硅薄膜的厚度相等。9.根據(jù)權(quán)利要求4或8所述的制備方法，其特征在于，覆蓋所述光刻對準標記本體的保護膜的厚度為100至300納米。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述絕緣層的材質(zhì)為氮化硅。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種光刻對準標記的制備方法，屬于功率半導體器件技術(shù)領(lǐng)域，以解決在功率半導體器件制造過程中，光刻對準標記受到影響導致功率半導體器件后續(xù)制備工藝的精度下降的技術(shù)問題。該光刻對準標記的制備方法包括：通過第一次光刻工藝，形成光刻對準標記本體；在所述光刻對準標記本體上，形成絕緣層；通過第二次光刻工藝，對所述絕緣層進行刻蝕，形成覆蓋所述光刻對準標記本體的保護膜，得到所需的光刻對準標記。
【IPC分類】H01L21/68
【公開號】CN105206557
【申請?zhí)枴緾N201510535381
【發(fā)明人】陳輝, 宋里千, 程銀華, 郭可, 劉鵬飛, 岳金亮
【申請人】株洲南車時代電氣股份有限公司
【公開日】2015年12月30日
【申請日】2015年8月28日