Oled顯示模組及其顯示器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及OLED顯示的技術(shù)領(lǐng)域,具體是涉及一種OLED顯示模組及其顯示器。
【背景技術(shù)】
[0002]有源矩陣有機發(fā)光二極體(Active-matrixOrganic Light-Emitting D1de,AMOLED)作為新一代顯示技術(shù),具有低功耗,小體積,高色域,寬視角和快速響應(yīng)等優(yōu)點。但由于AMOLED是電流驅(qū)動,因此在點亮過程中,如果OLED產(chǎn)生的熱量不及時散走,容易使背板溫度升高,從而影響背板性能,出現(xiàn)顯示亮度下降,壽命縮短,大尺寸顯示亮度不均勻等問題。因此AMOLED的散熱性決定了顯示器的畫面質(zhì)量和使用壽命。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明實施例提供一種OLED顯示模組及其顯示器,以解決現(xiàn)有技術(shù)中OLED顯示模組散熱性能差以及陰極層導電性能差的技術(shù)問題。
[0004]為解決上述問題,本發(fā)明實施例提供了一種OLED顯示模組,所述OLED顯示模組包括:襯底基板、OLED發(fā)光單元以及封裝組件;所述OLED發(fā)光單元設(shè)于所述襯底基板上表面;所述封裝組件設(shè)于所述OLED發(fā)光單元外側(cè);其中,所述封裝組件進一步包括封裝蓋板、封裝膠框以及設(shè)于由所述封裝蓋板、所述封裝膠框以及所述OLED發(fā)光單元形成腔體內(nèi)的水銀填充物。
[0005]根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例,所述OLED發(fā)光單元包括:
[0006]設(shè)于所述襯底基板上的陽極層;
[0007]設(shè)于所述陽極層上的空穴注入層;
[0008]設(shè)于所述空穴注入層上的空穴傳輸層;
[0009]設(shè)于所述空穴傳輸層上的發(fā)光層;
[0010]設(shè)于所述發(fā)光層上的電子傳輸層;
[0011]設(shè)于所述電子傳輸層上的電子注入層;以及
[0012]設(shè)于所述電子注入層上的陰極層;
[0013]所述陰極層與所述封裝蓋板以及所述封裝膠框形成容納所述水銀填充物的腔體。
[0014]根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例,所述空穴注入層包括酞菁銅、四氰代對二亞甲基苯醌、菲啰啉-23- 二腈或鈦氧基酞菁中的一種或多種。
[0015]根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例,所述空穴傳輸層包括TCTA、F4TCNQ、四氰代對二亞甲基苯醌、菲啰啉-23-二腈、酞菁銅或鈦氧基酞菁中的一種或多種;所述空穴傳輸層為多層結(jié)構(gòu)。
[0016]根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例,所述發(fā)光層由磷光材料、TCTA以及TAZ混合而成。
[0017]根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例,所述電子傳輸層包括喹啉鋁、浴銅靈、Bphen, TPBiJS基喹啉鋰、Nbphen中的一種或多種。
[0018]根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例,所述電子注入層包括氟化鋰、LiBq4或Alq3:Li3N中的一種或多種。
[0019]根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例,所述空穴注入層、所述空穴傳輸層、所述電子傳輸層和/或所述電子注入層中摻雜有吸水有機物和吸氧有機物;所述吸水有機物為鋁基復合物,所述吸氧有機物為抗壞血酸及其衍生物。
[0020]根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例,所述襯底基板為玻璃材質(zhì)制成;所述陽極層為氧化銦錫涂層。
[0021]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明還提供一種OLED顯示器,所述OLED顯示器包括上述實施例中任一項所述的OLED顯示模組。
[0022]相對于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明提供的OLED顯示模組及其顯示器,通過水銀做封裝材料,利用水銀良好的導熱性,可以將OLED產(chǎn)生的熱量及時散走(傳遞到封裝蓋板),減少有機發(fā)光元件陣列在發(fā)光時所產(chǎn)生的熱量傳導到晶體管陣列,從而避免由此引起的顯示不均的現(xiàn)象,進而延長OLED使用壽命,提升顯示品質(zhì)。同時,由于水銀作為填充物,其與陰極層接觸,相當于增加了陰極層的厚度,進而提高了陰極層的導電性能。另外本發(fā)明中OLED顯示模組的空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層中摻雜有吸水有機物和吸氧有機物,使得環(huán)境中侵入的微量水氧不會進入到發(fā)光層,避免了在發(fā)光區(qū)域產(chǎn)生黑點等不良情況,進一步提高了顯示質(zhì)量和顯示壽命。同時,也保護了其他有機功能層,有效避免了水氧的侵蝕,從而提尚OLED顯不_旲組的壽命。
【附圖說明】
[0023]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0024]圖1是現(xiàn)有技術(shù)OLED顯示模組的組成結(jié)構(gòu)簡圖;
[0025]圖2是本發(fā)明OLED顯示模組一優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0026]圖3是圖2實施例中OLED顯示模組OLED發(fā)光單元的組成結(jié)構(gòu)圖;以及
[0027]圖4是本發(fā)明OLED顯示器一優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)簡圖。
【具體實施方式】
[0028]下面結(jié)合附圖和實施例,對本發(fā)明作進一步的詳細描述。特別指出的是,以下實施例僅用于說明本發(fā)明,但不對本發(fā)明的范圍進行限定。同樣的,以下實施例僅為本發(fā)明的部分實施例而非全部實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例,都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0029]請參閱圖1,圖1為現(xiàn)有技術(shù)OLED顯示模組的組成結(jié)構(gòu)簡圖。該OLED顯示模組包括TFT陣列基板1U0LED發(fā)光功能層12、封裝蓋板13、封框膠15以及填充氣體14,填充氣體14通常為N2等惰性氣體。該種結(jié)構(gòu)的弊端是由于填充物為氣體,而氣體的導熱性差,OLED產(chǎn)生的熱量不能被及時散走,容易使背板溫度升高,從而影響背板性能,出現(xiàn)顯示亮度下降,壽命縮短,大尺寸顯示亮度不均勻等問題。
[0030]鑒于以上問題,本發(fā)明提供了一種OLED顯示模組。請參閱圖2,圖2是本發(fā)明OLED顯示模組一優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。該OLED顯示模組包括但不限于以下元件:襯底基板100、OLED發(fā)光單元200以及封裝組件300。其中,封裝組件進一步包括封裝蓋板310、封裝膠框320以及水銀填充物330。
[0031]具體而言,封裝蓋板310、封裝膠框320以及OLED發(fā)光單元200形成腔體(圖中未標示),該腔體內(nèi)填充有水銀填充物330。優(yōu)選地,該襯底基板100為透明玻璃材質(zhì)制成。
[0032]請參閱圖3,圖3是圖2實施例中OLED顯示模組OLED發(fā)光單元的組成結(jié)構(gòu)圖;該OLED發(fā)光單元200包括依次層疊設(shè)置的陽極層210、空穴注入層220、空穴傳輸層230、發(fā)光層240、電子傳輸層250、電子注入層260以及陰極層270。
[0033]陽極層210設(shè)于襯底基板100上,空穴注入層220設(shè)于陽極層210上,空穴傳輸層230設(shè)于空穴注入層220上,發(fā)光層240設(shè)于空穴傳輸層230上,電子傳輸層250設(shè)于發(fā)光層240上,電子注入層260設(shè)于電子傳輸層250上,陰極層270設(shè)于電子注入層260上。陰極層270與封裝蓋板310以及封裝膠框320形成容納水銀填充物330的腔體。
[0034]優(yōu)選地,陽極層210為氧化銦錫涂層。而空穴注入層220可以使用具有良好空穴注入能力的酞菁銅(CuPc),也可以為F4TCNQ(2,3,5,6-四氟-7,7,8,-四氰二甲基對苯醌)、TCNQ(四氰代對二亞甲基苯醌)、PPDN(菲啰啉-23-二腈)或T1PC(鈦氧基酞菁)。其中,空穴注入層220使用的酞菁銅前體在熱蒸發(fā)之前摻雜有吸水有機物,優(yōu)選的,此吸水有機物可以為鋁基復合物,其摻雜質(zhì)量分數(shù)不超過千分之一,優(yōu)選的,其摻雜質(zhì)量分數(shù)可以為萬分之五。此外,同時摻雜有質(zhì)量分數(shù)為萬分之五的吸氧有機物,其材料可以為容易氧化的抗壞血酸及其衍生物。由于只是摻雜微量的吸水吸氧有機物,不影響空穴注入層220的空穴注入能力。
[0035]空穴傳輸層230可以使用良好的空穴傳輸能力的TCTA (4