到第三溝槽P3，之后可進行現(xiàn)有技術(shù)的其他處理。
[0125](j)如圖6所示，對稱設(shè)置上述各實施例中的步驟⑴中獲得的兩件半成品，兩件半成品之間設(shè)置太陽能電池封裝膜4。
[0126]因為玻璃基底占用了整個薄膜太陽能電池成本的30-50%左右，現(xiàn)有的薄膜太陽能電池需要設(shè)置上下兩塊玻璃基底，本實施例中在不增加玻璃基底數(shù)量的前提下，對稱設(shè)置薄膜太陽能電池，使其正反面都可參與光電轉(zhuǎn)換，充分利用地面或墻體的反射光進行光電轉(zhuǎn)換，進一步提高其吸收太陽光的能力。
[0127]所述太陽能電池封裝膜為乙烯-醋酸乙烯共聚物。
[0128]實施例5
[0129]本實施例提供一種薄膜太陽能電池的生產(chǎn)方法，包括如下步驟:
[0130](a)在玻璃基底上形成透明導電層。
[0131](b)在所述透明導電層上形成窗口層。
[0132](C)接觸電極穿透所述窗口層與所述透明導電層歐姆接觸。
[0133](d)在步驟(C)中的所述透明導電層上，與所述接觸電極相鄰位置、貫通所述透明導電層進行劃溝槽工序得到第一溝槽；本實施例中設(shè)置所述接觸電極為頂針接觸電極，若干所述頂針接觸電極矩陣排列，每列所述頂針接觸電極的排布方向與所述第一溝槽的延伸方向平行。
[0134](e)將上述半成品放置于電沉積槽內(nèi)，對所述接觸電極和對電極進行通電，在所述窗口層上電沉積吸收層并同時填充所述第一溝槽。
[0135](f)在步驟(e)的所述吸收層上形成背接觸層。
[0136](g)移除所述頂針接觸電極后，在移除所述接觸電極后在該半成品上形成的接觸電極空缺為頂針孔，與所述第一溝槽平行穿過所述頂針孔進行劃溝槽工序得到第二溝槽。
[0137](h)在步驟(g)中獲得的半成品上同時形成背電極層和填充所述第二溝槽。
[0138](i)對步驟(h)中獲得的半成品的所述吸收層上，與所述第二溝槽平行且相鄰位置、貫通所述背接觸層和背電極層進行劃溝槽工序得到第三溝槽，之后可進行現(xiàn)有技術(shù)的其他處理。
[0139](j)對步驟⑴中獲得的半成品進行電池封裝。
[0140]顯然，上述實施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例，而并非對實施方式的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處于本發(fā)明創(chuàng)造的保護范圍之中。
【主權(quán)項】
1.一種薄膜太陽能電池的生產(chǎn)方法，包括如下步驟: (a)在玻璃基底上形成透明導電層； (b)在所述透明導電層上形成窗口層； (C)接觸電極穿透所述窗口層與所述透明導電層歐姆接觸； (d)在步驟(C)中的所述透明導電層上，與所述接觸電極相鄰位置、貫通所述透明導電層進行劃溝槽工序得到第一溝槽； (e)將上述半成品放置于電沉積槽內(nèi)，對所述接觸電極和對電極進行通電，在所述窗口層上電沉積吸收層并同時填充所述第一溝槽； (f)在步驟(e)的所述吸收層上形成背接觸層或在背接觸層上還繼續(xù)形成背電極層； (g)移除所述接觸電極，所述接觸電極為頂針接觸電極或長條接觸電極，所述長條接觸電極的長邊與所述第一溝槽的長邊延伸方向相同；當所述接觸電極為頂針接觸電極時，移除所述接觸電極后在該半成品上形成的接觸電極空缺為頂針孔，與所述第一溝槽平行穿過所述頂針孔進行劃溝槽工序得到第二溝槽；當所述接觸電極為長條接觸電極時，移除所述接觸電極后在該半成品上形成的接觸電極空缺為長條形溝槽，所述長條形溝槽為第二溝槽并與所述第一溝槽平行； (h)當步驟(f)中所述吸收層上只形成背接觸層時，填充在步驟(g)中獲得的半成品的所述第二溝槽后再形成背電極層或在步驟(g)中獲得的半成品上同時形成背電極層和填充所述第二溝槽； 當步驟(f)中所述吸收層上在形成背接觸層后在背接觸層上還繼續(xù)形成背電極層時，填充在步驟(g)中獲得的半成品的所述第二溝槽； (i)對步驟(h)中獲得的半成品的所述吸收層上，與所述第二溝槽平行且相鄰位置、貫通所述背接觸層和背電極層進行劃溝槽工序得到第三溝槽； U)對步驟(i)中獲得的半成品進行電池封裝。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述薄膜太陽能電池的生產(chǎn)方法，其特征在于，步驟(f)中的背接觸層或在背接觸層上還繼續(xù)形成背電極層都是通過蒸發(fā)或濺射或電沉積形成。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述薄膜太陽能電池的生產(chǎn)方法，其特征在于，步驟(h)中的背電極層通過蒸發(fā)或濺射或電沉積形成在所述背接觸層和所述第二溝槽內(nèi)。4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述薄膜太陽能電池的生產(chǎn)方法，其特征在于，背電極層通過電沉積方式形成的，在電沉積時背電極層與所述透明導電層歐姆接觸。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述薄膜太陽能電池的生產(chǎn)方法，其特征在于，在步驟(e)之后且步驟(f)之前對所述吸收層進行退火處理。6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述薄膜太陽能電池的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述長條接觸電極的接觸長邊的長度大于或等于所述第一溝槽的長邊長度。7.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述薄膜太陽能電池的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述長條接觸電極垂直于所述長邊方向的截面為圓形、方形、倒三角或梯形的一種。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述薄膜太陽能電池的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述長條接觸電極在端部連接通電時，步驟(g)中的所述長條接觸電極空缺通過向遠離所述玻璃基底方向撕除所述長條接觸電極獲得。9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一所述薄膜太陽能電池的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述長條接觸電極長度方向上的側(cè)面為平面或曲面。10.根據(jù)權(quán)利要求1-9任一所述薄膜太陽能電池的生產(chǎn)方法，其特征在于，用于形成所述背電極層的材料為透明導電材質(zhì)。11.根據(jù)權(quán)利要求1-10任一所述薄膜太陽能電池的生產(chǎn)方法，其特征在于，步驟(j)為:對稱設(shè)置步驟(i)中獲得的兩件半成品，兩件半成品之間設(shè)置太陽能電池封裝膜。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述薄膜太陽能電池的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述太陽能電池封裝膜為乙烯-醋酸乙烯共聚物。13.一種用于權(quán)利要求1-12任一所述薄膜太陽能電池生產(chǎn)方法的電沉積裝置，其特征在于，其包括 電沉積槽，其中充滿電解液； 長條接觸電極，設(shè)置在所述電沉積槽內(nèi)與待電沉積表面電連接； 對電極，與所述長條接觸電極形成電連通； 所述長條接觸電極與所述待電沉積表面歐姆接觸且為面接觸，所述長條接觸電極與所述透明導電層的接觸面為長條形，所述長條接觸電極在垂直于所述待電沉積表面的截面為圓形、方形、倒三角形或梯形的一種。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電沉積裝置，其特征在于，所述長條接觸電極平行設(shè)置在所述待電沉積表面第一溝槽相鄰的位置上。
【專利摘要】本發(fā)明所述薄膜太陽能電池生產(chǎn)方法，所述第一溝槽內(nèi)填充與吸收層相同的物質(zhì)，所述吸收層的物質(zhì)為半導體，并在長條接觸電極空缺內(nèi)直接填充與背電極層相同的物質(zhì)，背電極與吸收層直接的接觸的電阻很大，因而不會對太陽能電池單元的串聯(lián)有影響；即在薄膜太陽能電池中不需要填充電絕緣物質(zhì)，而電絕緣物質(zhì)不參與光電轉(zhuǎn)換，即減少了死區(qū)面積，從而避免了電絕緣物質(zhì)對太陽能電池的占用，提高了太陽能電池參與光電轉(zhuǎn)換的面積。此外，當所使用的接觸電極為長條接觸電極，電沉積完畢后移除長條接觸電極所得到的長條接觸電極空缺代替了原先需要刻劃的溝槽的工序，對生產(chǎn)材料的浪費減少，而且節(jié)省了工序，進而降低了生產(chǎn)成本。
【IPC分類】C25D17/12, H01L31/18
【公開號】CN105206703
【申請?zhí)枴緾N201410225488
【發(fā)明人】張征宇, 李偉中
【申請人】北京恒基偉業(yè)投資發(fā)展有限公司
【公開日】2015年12月30日
【申請日】2014年5月26日