in，得到優(yōu)化后的黑硅表面結(jié)構(gòu)。
[0062] 對(duì)實(shí)施例2提供的處理方法處理后的黑硅的反射率、相應(yīng)電池效率和相應(yīng)組件功 率進(jìn)行檢測(cè)，結(jié)果表明，處理后的黑硅的反射率為9%，相應(yīng)電池效率為19. 0%，相應(yīng)組件 功率為270W。
[0063] 實(shí)施例3
[0064] (1)將實(shí)施例1所用的黑硅原料浸漬在體積比為1 :8的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為49 %的氫氟酸 和去離子水的氫氟酸溶液中，在15°C下清洗8min，再用去離子水在40°C下水洗8min，得到 待處理的黑硅。
[0065] (2)將待處理的黑硅浸漬在質(zhì)量濃度為33. 3%的氨水溶液中，在20°C下反應(yīng) 8min，再用去離子水在40°C下水洗8min，得到處理后的黑硅。
[0066] (3)將處理后的黑硅浸漬在體積比為1 :1 :20的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為49%的氫氟酸、質(zhì)量 分?jǐn)?shù)為37%的鹽酸和去離子水的混合酸溶液中，在15°C下酸洗8min，再用去離子水在40°C 下水洗8min，得到優(yōu)化后的黑硅表面結(jié)構(gòu)。
[0067] 對(duì)實(shí)施例3提供的處理方法處理后的黑硅的反射率、相應(yīng)電池效率和相應(yīng)組件功 率進(jìn)行檢測(cè)，結(jié)果表明，處理后的黑硅的反射率為9. 5%，相應(yīng)電池效率為19. 02%，相應(yīng)組 件功率為271W。
[0068] 實(shí)施例4
[0069] (1)將實(shí)施例1所用的黑硅原料浸漬在體積比為I :5的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40%的氫氟酸 和去離子水的氫氟酸溶液中，在20°C下清洗5min，再用去離子水在20°C下水洗5min，得到 待處理的黑硅。
[0070] (2)將待處理的黑硅浸漬在質(zhì)量濃度為10%的氫氧化鉀溶液中，在20°C下反應(yīng) 5min，再用去離子水在20°C下水洗5min，得到處理后的黑硅。
[0071] (3)將處理后的黑硅浸漬在體積比為1 :1 :18的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40%的氫氟酸、質(zhì)量 分?jǐn)?shù)為30%的鹽酸和去離子水的混合酸溶液中，在20°C下酸洗5min，再用去離子水在20°C 下水洗5min，得到優(yōu)化后的黑硅表面結(jié)構(gòu)。
[0072] 對(duì)實(shí)施例4提供的處理方法處理后的黑硅的反射率、相應(yīng)電池效率和相應(yīng)組件功 率進(jìn)行檢測(cè)，結(jié)果表明，處理后的黑硅的反射率為9. 5%，相應(yīng)電池效率為19. 03%，相應(yīng)組 件功率為271W。
[0073] 實(shí)施例5
[0074] (1)將實(shí)施例1所用的黑硅原料浸漬在體積比為1 :5的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為55%的氫氟酸 和去離子水的氫氟酸溶液中，在5°C下清洗5min，再用去離子水在5°C下水洗5min，得到待 處理的黑硅。
[0075] (2)將待處理的黑硅浸漬在質(zhì)量濃度為10 %的氫氧化鉀溶液中，在5°C下反應(yīng) 5min，再用去離子水在5°C下水洗5min，得到處理后的黑娃。
[0076] (3)將處理后的黑娃浸漬在體積比為1 :1 :18的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為55%的氫氟酸、質(zhì)量 分?jǐn)?shù)為40%的鹽酸和去離子水的混合酸溶液中，在5°C下酸洗5min，再用去離子水在5°C下 水洗5min，得到優(yōu)化后的黑硅表面結(jié)構(gòu)。
[0077] 對(duì)實(shí)施例5提供的處理方法處理后的黑硅的反射率、相應(yīng)電池效率和相應(yīng)組件功 率進(jìn)行檢測(cè)，結(jié)果表明，處理后的黑硅的反射率為9%，相應(yīng)電池效率為19. 0%，相應(yīng)組件 功率為270W。
[0078] 實(shí)施例6
[0079] (1)將實(shí)施例1所用的黑硅原料浸漬在體積比為1 :5的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%的氫氟酸 和去離子水的氫氟酸溶液中，在20°C下清洗5min，再用去離子水在80°C下水洗5min，得到 待處理的黑硅。
[0080] (2)將待處理的黑硅浸漬在質(zhì)量濃度為10%的氫氧化鉀溶液中，在25°C下反應(yīng) 5min，再用去離子水在80°C下水洗5min，得到處理后的黑硅。
[0081] (3)將處理后的黑硅浸漬在體積比為1 :1 :18的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%的氫氟酸、質(zhì)量 分?jǐn)?shù)為37%的鹽酸和去離子水的混合酸溶液中，在20°C下酸洗5min，再用去離子水在80°C 下水洗5min，得到優(yōu)化后的黑硅表面結(jié)構(gòu)。
[0082] 對(duì)實(shí)施例6提供的處理方法處理后的黑硅的反射率、相應(yīng)電池效率和相應(yīng)組件功 率進(jìn)行檢測(cè)，結(jié)果表明，處理后的黑硅的反射率為9. 2%，相應(yīng)電池效率為19. 02%，相應(yīng)組 件功率為272W。
[0083] 所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì) 這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一 般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將 不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致 的最寬的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種用于優(yōu)化黑硅表面結(jié)構(gòu)的處理方法，其特征在于，包括以下步驟： a) 將黑硅原料在氫氟酸溶液中進(jìn)行清洗，得到待處理的黑硅； b) 將待處理的黑硅在堿性溶液中進(jìn)行反應(yīng)，再經(jīng)水洗，得到處理后的黑硅； c) 將處理后的黑硅進(jìn)行酸處理，得到優(yōu)化后的黑硅表面結(jié)構(gòu)。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于，步驟a)中所述清洗的溫度為5°C~ 20°C，時(shí)間為Imin~IOmin。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于，所述步驟a)還包括： 將清洗后的黑硅原料進(jìn)行水洗，得到待處理的黑硅。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于，步驟b)中所述堿性溶液包括氫氧化 鉀溶液、氫氧化鈉溶液和氨水溶液中的一種或多種。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于，步驟b)中所述堿性溶液的質(zhì)量濃度 為1%~35%。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于，步驟b)中所述反應(yīng)的溫度為5°C~ 25°C，時(shí)間為Imin~IOmin。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于，步驟b)中所述水洗的溫度為5°C~ 80°C，時(shí)間為Imin~IOmin。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于，步驟c)中所述酸處理的過(guò)程具體 為： 將處理后的黑硅浸漬在酸溶液中進(jìn)行酸洗，再經(jīng)水洗，得到優(yōu)化后的黑硅表面結(jié)構(gòu)。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的處理方法，其特征在于，所述酸溶液為氫氟酸、鹽酸和水的混 合酸溶液。10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的處理方法，其特征在于，所述酸洗的溫度為5°C~20°C，時(shí)間 為Imin~IOmin0
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種用于優(yōu)化黑硅表面結(jié)構(gòu)的處理方法，包括以下步驟：a)將黑硅原料在氫氟酸溶液中進(jìn)行清洗，得到待處理的黑硅；b)將待處理的黑硅在堿性溶液中進(jìn)行反應(yīng)，再經(jīng)水洗，得到處理后的黑硅；c)將處理后的黑硅進(jìn)行酸處理，得到優(yōu)化后的黑硅表面結(jié)構(gòu)。采用本發(fā)明提供的處理方法對(duì)黑硅表面結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化，不僅能夠有效去除黑硅表面的多孔硅和金屬離子雜質(zhì)，還能夠去除黑硅表面損傷和懸掛鍵，降低黑硅表面結(jié)構(gòu)的復(fù)合速率，得到優(yōu)化后的黑硅表面結(jié)構(gòu)，在保證其具有較低反射率的同時(shí)，能夠提高黑硅相應(yīng)電池效率和相應(yīng)組件功率。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，采用本發(fā)明提供的處理方法優(yōu)化后的黑硅相應(yīng)電池效率在19％以上，相應(yīng)組件功率在270W以上。
【IPC分類】H01L31/18, H01L31/0236
【公開(kāi)號(hào)】CN105206709
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510651538
【發(fā)明人】劉長(zhǎng)明, 金井升, 蔣方丹, 金浩
【申請(qǐng)人】浙江晶科能源有限公司, 晶科能源有限公司
【公開(kāi)日】2015年12月30日
【申請(qǐng)日】2015年10月10日