根據(jù)權利要求49所述的元件，其中所述有機陽離子是具有兩個帶正電荷的氮原子 的有機伯錠化合物、有機仲錠化合物、有機叔錠化合物或有機季錠化合物。54. 根據(jù)權利要求53所述的元件，其中所述有機陽離子選自（RR'R"R" 'r，其中所述 R、R'、R"和R"'中的每個獨立于其他，選自氨、烷基、締基、烘基、環(huán)烷基、環(huán)締基、環(huán)烘基、芳 基、雜芳基、雜環(huán)基、面素、亞烷基-C00H、醋、-0H、-甜、和-畑。55. 根據(jù)權利要求54所述的元件，其中所述陽離子選自RNH3、RR'NH2、RR' 1?"畑、畑3尺畑3 或其任何組合，其中R、R'、R"和R" '中的每個如在權利要求54中所定義的被選擇。56. 根據(jù)權利要求54所述的元件，其中所述陽離子選自RNH=R'、畑2二R、RN=R'R"、 R' =N=R、RR'N=R=NR"R"'、&N=R=畑2、和RR'N=CHNR"R" '，其中R、R'、R"和 R"'中的每個如在權利要求54中所定義。57. 根據(jù)權利要求54所述的元件，其中所述陽離子是化2N=CHNH2)+。58. 根據(jù)權利要求8所述的元件，其中所述巧鐵礦材料具有式AMX3,其中A和MW及X 各自在權利要求8中被定義。59. 根據(jù)權利要求8所述的元件，其中所述巧鐵礦材料具有式AMX'X2,其中A、M、X和X' 中的每個在權利要求8中被定義。60. 根據(jù)權利要求8所述的元件，其中所述巧鐵礦材料具有式RNHsMX'X2,其中R選自 氨、烷基、締基、烘基、環(huán)烷基、環(huán)締基、環(huán)烘基、芳基、雜芳基、雜環(huán)基、面素、亞烷基-COOH、 醋、-OH、-甜、和-畑。61. 根據(jù)權利要求60所述的元件，其中所述巧鐵礦材料包含或選自CHsNHsPbFs、 細3琴6化、畑3琴化、CHsNHsPbB。、CHsNHsPbBrIz、CHsNHsPbBrClz、CHsNHsPbIBrz、 邸3畑sPbIClz、邸3畑sPbClB。和CHsMlsPbIzClo62. 根據(jù)權利要求60所述的元件，其中所述巧鐵礦材料包含或選自CHsNHsSnlClz、 CHsNHsSnBrIz、CHsNHsSn化CI2、CHsNHsSnFzBr、CHsNHsSnI化2、CHsNHsSnFzI、CHsNHsSnClBrz、 CHsNHsSnIzCl和CHsNHsSnFzCl。63. 根據(jù)權利要求8所述的元件，其中所述巧鐵礦材料具有式RNH3MX3,其中R選自 氨、烷基、締基、烘基、環(huán)烷基、環(huán)締基、環(huán)烘基、芳基、雜芳基、雜環(huán)基、面素、亞烷基-C00H、 醋、-0H、-甜、和-畑。64. 根據(jù)權利要求63所述的元件，其中所述巧鐵礦材料包含或選自CHsNHsPbFs、 邸3畑sPbCls、邸3畑sPbIs和邸3畑sPbB。。65. 根據(jù)權利要求63所述的元件，其中所述巧鐵礦材料是CHsNHsPblj。66. 根據(jù)權利要求8所述的元件，其中所述巧鐵礦材料具有式（NH2=CH-NH2)M)(3。67. 根據(jù)權利要求66所述的元件，其中所述巧鐵礦材料包含或選自（NH2=CH-NH2) Pb化3、（畑2=CH-NH2)Pbl3、（畑2=CH-NH2)PbCl3、（畑2=CH-NH2)PbFCl2、（畑2=邸-畑2)Pb化CI2、（畑2=CH-NH2)PbICl2、（畑2=CH-NH2)PbFCl2、（畑2=CH-NH2)PbFB。、（畑2= CH-NH2)PbFl2和（畑2二CH-NH2)PbIB。。68. 根據(jù)權利要求8所述的元件，其中所述巧鐵礦材料具有式AMX3,其中M是金屬陽離 子。69. 根據(jù)權利要求68所述的元件，其中所述巧鐵礦材料具有式M'MX'X2。70. 根據(jù)權利要求69所述的元件，其中所述巧鐵礦材料包含或選自Cs化I2CI、 CsPbIClz、CsPbIzF、CsPbIFz、CsPbIz化和CsPbIB。。71. 根據(jù)權利要求69所述的元件，其中所述巧鐵礦材料包含或選自CsSnI2F、CsSn化、 CsSnIzCl、CsSnIClz、CsSnIz&r和CsSnIB。。72. 根據(jù)前述權利要求中任一項所述的元件，其中所述基板是柔性的或剛性的基板，選 自二維和=維表面。73. 根據(jù)權利要求72所述的元件，其中所述基板具有選自玻璃、紙、半導體無機或有機 材料、聚合物材料和陶瓷表面的固體材料。74. 根據(jù)前述權利要求中任一項所述的元件，其中所述基板是柔性的。75. 根據(jù)前述權利要求中任一項所述的元件，其中所述基板是導電的。76. 根據(jù)前述權利要求中任一項所述的元件，其中所述基板是透明的。77. 根據(jù)前述權利要求中任一項所述的元件，其中所述基板是導電的并且透明的。78. 根據(jù)權利要求72所述的元件，其中所述基板是選自W下的無機半導體材料：娃、 錫、棚的化合物、蹄、錯、嫁、神化嫁（GaAs)、憐化嫁（GaP)、蹄化儒（CdTe)、嫁侶神（GaAlAs)、 憐化銅（InP)、憐神化嫁（GaAsP)、硫化儒（CdS)、銅銅嫁二砸（CIG巧、蹄儒隸化gCdTe)、和銅 銅硫或銅銅砸。79. 根據(jù)權利要求72所述的元件，其中所述基板選自玻璃、多孔玻璃、石英、氧化銅錫 (ITO)、氣化氧化錫（FTO)、錬滲雜的氧化錫（ATO)、云母、SrGe〇3和氧化鋒。80. 根據(jù)權利要求72所述的元件，其中所述基板選自Sn〇2:F、Sn化:Sb、InzSA=Sru ZnO:Al、aiO:Al2〇3、和ZnO:Ga2〇3。81. 根據(jù)權利要求72所述的元件，其中所述基板是氧化銅錫（ITO)或氣化氧化錫 (FTO)O82. 根據(jù)權利要求72所述的元件，其中所述基板由選自W下的聚合物材料（導電聚 合物）形成：聚奧類、聚亞苯基類、聚巧類、聚糞類、聚醋（PET)、聚酷亞胺、聚（化咯）類、 (PPY)、聚（嚷吩）類（PT)、聚化4-亞乙基二氧嚷吩）（P邸OT)、聚氮雜萃類、聚嗎I噪類、 聚巧挫類、聚（對亞苯基亞乙締基）（PPV)、聚（乙烘）類（PAC)、聚（對亞苯硫酸）（PPS)、 聚-3-己基嚷吩（P3HT)和聚苯胺類。83. 根據(jù)權利要求72所述的元件，其中所述基板是碳基板或HOPG(石墨）。84. 根據(jù)權利要求72所述的元件，其中所述基板是或包含金屬。85. 根據(jù)權利要求72所述的元件，其中所述基板包含選自Sc、Ti、V、化、Mn、Fe、Ni、化、 化、Y、Zr、佩、Tc、Ru、Mo、化、W、Au、Pt、Pd、Ag、Mn、Co、Cd、Hf、化、Re、Os、Ir、Hg和其任何 組合的過渡金屬。86. 根據(jù)權利要求84所述的元件，其中所述金屬選自金、銀、銅、銷、儀、鈕、鐵、銀和其 任何組合。87. 根據(jù)權利要求72所述的元件，其中所述基板是玻璃或包含被導電材料或金屬納米 顆粒包覆的玻璃材料的塑料基板。88. 根據(jù)前述權利要求中任一項所述的元件，其中所述導電層是或包含金屬、過渡金屬 或金屬合金。89. 根據(jù)權利要求88所述的元件，其中所述導電層包含選自Sc、Ti、V、化、Mn、Fe、Ni、 化、Zn、Y、Zr、佩、Tc、Ru、Mo、化、W、Au、Pt、Pd、Ag、Mn、Co、Cd、Hf、化、Re、Os、Ir、Hg和其任 何組合的過渡金屬。90. 根據(jù)權利要求88所述的元件，其中所述金屬選自金、銀、銅、銷、儀、鈕、鐵、銀和其 任何組合。91. 根據(jù)權利要求88所述的元件，其中所述金屬是Au和/或Ag。92. 根據(jù)權利要求1至87中任一項所述的元件，其中所述導電層是或包含碳基板或 HOPG(石墨）。93. 根據(jù)權利要求1至87中任一項所述的元件，其中所述導電層是或包含無機半導 體材料，所述無機半導體材料包括但不限于娃、錫、棚的化合物、蹄、錯、嫁、神化嫁（GaAs)、 憐化嫁（GaP)、蹄化儒（CdTe)、嫁侶神（GaAlAs)、憐化銅（InP)、憐神化嫁（GaAsP)、硫化儒 (CdS)、銅銅嫁二砸（CIG巧、蹄儒隸化gCdTe)、和銅銅硫或銅銅砸。94. 根據(jù)權利要求1至87中任一項所述的元件，其中所述導電層是或包含聚合物（導 電聚合物），例如聚奧類、聚亞苯基類、聚巧類、聚糞類、聚醋（PET)、聚酷亞胺、聚（化咯） 類、（PPY)、聚（嚷吩）類（PT)、聚化4-亞乙基二氧嚷吩）（P邸OT)、聚氮雜.'羣，類、聚嗎I噪類、 聚巧挫類、聚（對亞苯基亞乙締基）（PPV)、聚（乙烘）類（PAC)、聚（對亞苯硫酸）（PPS)、 聚-3-己基嚷吩（P3HT)、和聚苯胺類。95. 根據(jù)前述權利要求中任一項所述的元件，其中所述另外的層不是骨架層。96. 根據(jù)前述權利要求中任一項所述的元件，其中至少一個另外的層被定位（a)在所 述巧鐵礦層和所述基板之間；和/或化）在所述巧鐵礦層和所述導電層之間；和/或（C)在 至少兩個巧鐵礦層之間。97. 根據(jù)前述權利要求中任一項所述的元件，其中所述另外的層是保護層。98. 根據(jù)權利要求97所述的元件，其中所述保護層是無機材料或金屬氧化物層。99. 根據(jù)權利要求97所述的元件，其中所述保護層是抗反射層。100. 根據(jù)權利要求97所述的元件，其中所述保護層具有介電材料。101. 根據(jù)權利要求97所述的元件，其中所述保護層是ITO或FTO。102. 根據(jù)權利要求97所述的元件，其中所述金屬氧化物選自SiO、SiO2、SisN*、Ti化、 了曰2〇5、AI2O3、Z;r〇2、Nd2〇3、MgFz、MgO、SrFz、ZnO、Mo〇3、In-ZnO和HfzO。103. 根據(jù)權利要求97所述的元件，其中所述保護層是水分屏障。104. 根據(jù)權利要求97所述的元件，其中所述保護層包含氣化的聚合物。105. 根據(jù)權利要求1至104中任一項所述的元件，其中所述至少一個另外的層是空穴 傳輸材料。106. 根據(jù)權利要求105所述的元件，其中所述空穴傳輸材料由導電聚合物制造。107. 根據(jù)前述權利要求中任一項所述的元件，其中所述元件是柔性的。108. 根據(jù)前述權利要求中任一項所述的元件，其中不包括所述基板的所述元件是柔性 的。109. 根據(jù)前述權利要求中任一項所述的元件，其中所述元件處于固態(tài)中。110. -種用于形成本發(fā)明的元件的方法，所述方法包括： -獲得基板； -任選地，把至少一個另外的層放置（或應用或沉積）在所述基板上； -把至少一個巧鐵礦層放置（或應用或沉積）在基板上或在至少一個另外的層上；W及 -把導電層放置（或應用或沉積）在所述巧鐵礦層的頂部上或在至少一個另外的層 上； W由此獲得如定義的本發(fā)明的元件。111. 一種根據(jù)權利要求110制造的元件。112. 根據(jù)權利要求111所述的元件，在低的溫度下形成。113. -種異質(zhì)結，包括根據(jù)權利要求1至109中任一項所述的元件或由根據(jù)權利要求 1至109中任一項所述的元件組成。114. 根據(jù)權利要求113所述的異質(zhì)結，其中所述異質(zhì)結處于固態(tài)中。115. -種裝置，實施或包括至少一個根據(jù)權利要求1至109中任一項所述的元件。116. -種裝置，包括有源部件，所述有源部件由基板、至少一個巧鐵礦層、導電層和任 選地至少一個另外的層組成，其中所述至少一個巧鐵礦層被設置在所述基板上，直接地在 所述基板上或在所述至少一個另外的層上，其中所述至少一個另外的層不同于骨架層。117. -種裝置，包括有源部件，所述有源部件由基板、至少一個巧鐵礦層、導電層和任 選地至少一個另外的層組成，其中所述元件沒有骨架層。118. -種裝置，包括有源部件，所述有源部件由基板、至少一個巧鐵礦層、導電層和任 選地至少一個另外的層組成，其中所述元件沒有在所述基板和所述巧鐵礦層之間的骨架 層。119. 一種裝置，包括有源部件，所述有源部件由基板、至少一個巧鐵礦層、導電層和任 選地至少一個另外的層組成，其中所述至少一個巧鐵礦層被直接地定位在所述基板上。120. 根據(jù)權利要求115至119中任一項所述的裝置，其中所述裝置是電子裝置或光電 子裝置。121. 根據(jù)權利要求115至120中任一項所述的裝置，其中所述裝置是電至光換能器和 /或光至電換能器。122. 根據(jù)權利要求115至121中任一項所述的裝置，其中所述裝置是光電導體和/或 光電二極管和/或太陽能電池和/或發(fā)光集中器、發(fā)光二極管（LED)和/或包括有機發(fā)光 二極管和激光器；和/或光傳感器和/或像素傳感器、和/或?qū)Ｓ镁w管和/或包括有機晶 體管和/或無機晶體管和/或混合晶體管。123. 根據(jù)權利要求115至122中任一項所述的裝置，其中所述裝置用于在印刷電子設 備和/或觸摸屏和/或顯示器背板和/或大或小面積的柔性應用中使用。124. 根據(jù)權利要求115至122中任一項所述的裝置，其中所述裝置用于在光電子應用 和/或RF收音機和/或功率整流器和/或光敏電阻器（LDR)和/或其他中使用。125. 根據(jù)權利要求115至122中任一項所述的裝置，其中所述裝置用于在光伏電池裝 置中使用。126. -種光伏電池，包括基板、至少一個巧鐵礦層、導電層、和任選地至少一個另外的 層，其中所述至少一個巧鐵礦層被設置在所述基板上，直接地在所述基板上或在所述至少 一個另外的層上，其中所述至少一個另外的層不同于骨架層。127. 根據(jù)權利要求126所述的光伏電池，其中所述導電層是所述電池的對電極。128. 根據(jù)權利要求127所述的光伏電池，其中所述對電極直接地或通過被連接于外部 電流的集電器被連接于導電的支撐體層。129. -種光伏電池，不含骨架結構層。130. 根據(jù)權利要求126至129中任一項所述的光伏電池，被沉積在導電的玻璃基板上。131. 根據(jù)權利要求126至130中任一項所述的光伏電池，是太陽能電池。132. -種太陽能電池，包括根據(jù)權利要求1至109中任一項所述的元件。133. -種太陽能電池，不含骨架結構層。
【專利摘要】本發(fā)明提供不含骨架結構層的裝置例如光伏電池。
【IPC分類】H01L51/42, H01L51/00
【公開號】CN105210204
【申請?zhí)枴緾N201380071471
【發(fā)明人】里奧茲·艾加
【申請人】耶路撒冷希伯來大學伊森姆研究發(fā)展有限公司
【公開日】2015年12月30日
【申請日】2013年12月19日
【公告號】CA2895654A1, EP2936579A1, US20150340632, WO2014097299A1